Cinco tipos de transistores de uso común

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de material tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. al primero se le llama transistor npn, en tanto que al segundo transistor pnp.

1. TRANSISTORES Luis Palacios Aguirre Universidad Telesup Física Electrónica

2. Introducción Dispositivo semiconductor activo que tiene tres o más electrodos. Los tres electrodos principa- les son emisor, colector y base. La conducción entre estos electrodos se realiza por medio de electrones y huecos. El germanio y el sicilio son los materiales más frecuentemente utilizados para la fabricación de los elementos semiconductores. Los transistores pueden efectuar prácticamente todas las funciones de los antiguos tubos electrónicos, incluyendo la ampliación y la rectificación , con muchísimas ventajas . En el presente trabajo expondré cinco tipos de transistores.

3. 1 BJT

4. BJT El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.

5. 2 JFET

6. JFET El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en español transistor de efecto de campo de juntura o unión) es un dispositivo electrónico, esto es, un circuito que, según unos valores eléctricos de entrada, reacciona dando unos valores de salida. En el caso de los JFET, al ser transistores de efecto de campo eléctrico, estos valores de entrada son las tensiones eléctricas, en concreto la tensión entre los terminales S (fuente) y G (puerta), VGS. Según este valor, la salida del transistor presentará una curva característica que se simplifica definiendo en ella tres zonas con ecuaciones definidas: corte, óhmica y saturación.

7. 3 MESFET

8. MESFET MESFET significa de metal-semiconductor de efecto de campo transistor. Es muy similar a un JFET en la construcción y terminología. La diferencia es que en lugar de utilizar una unión pn para una puerta, una Schottky ( de metal - semiconductor ) se utiliza de unión. MESFETs generalmente se construyen en las tecnologías de semiconductores compuestos que carecen de pasivación de alta calidad de la superficie, tales como GaAs , InP , o SiC , y son más rápidos pero más caros que los basados ​​en silicio JFET o MOSFET . MESFETs de producción son operados hasta aproximadamente 45 GHz, [1] y se utilizan comúnmente para microondas de frecuencia de comunicaciones y de radar . Los primeros MESFETs se desarrollaron en 1966, y un año después su extremadamente alta frecuencia RF desempeño microondas se demostró. [2] A partir de un digital de circuito de diseño de punto de vista, cada vez es más difícil de usar MESFETs como base para digitales circuitos integrados como la escala de integración aumenta, en comparación con CMOS de fabricación basado en silicio.

9. 4 MOSFET

10. MOSFET El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales, aunque el transistor de unión bipolar fue mucho más popular en otro tiempo. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET . El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y sustrato (B). Sin embargo, el sustrato generalmente está conectado internamente al terminal del surtidor, y por este motivo se pueden encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales.

11. 5 HBT

12. HBT El transistor bipolar de heterounión (HBT) es un tipo de transistor de unión bipolar (BJT), que utiliza materiales semiconductores diferentes para las regiones de emisor y la base, la creación de una heterounión . El HBT mejora en el BJT en que puede manejar señales de frecuencias muy altas, de hasta varios cientos de GHz . Se utiliza comúnmente en circuitos ultrarrápidos modernas, la mayoría de radiofrecuencia (RF) de sistemas, y en aplicaciones que requieren una alta eficiencia de potencia, tales como los amplificadores de potencia de RF en los teléfonos celulares. La idea de emplear una heterounión es tan antigua como el BJT convencional, que se remonta a una patente a partir de 1951