Diodos tunel

breve descripción de los diodos túnel y problema aplicados

1. Diodos tunel

2. Introducción 1958 1973

3. El Diodo túnel es un diodo semiconductor que tiene una unión PN, en la cual se produce el efecto túnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la característica corriente-tensión, Permite el paso de la corriente en un solo sentido

4. Una característica importante del diodo túnel es su resistencia negativa en un determinado intervalo de voltajes de polarización directa, este diodo es un dispositivo de baja potencia para aplicaciones que involucran microondas y que están relativamente libres de los efectos de la radiación.

5. El Diodo túnel es un diodo semiconductor que tiene una unión PN, en la cual se produce el efecto túnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la característica corriente-tensión, Permite el paso de la corriente en un solo sentido. Los diodos túnel se construyen con arseniuro de germanio o galio dopado las regiones P y N mucho más intensamente dopado que en un diodo rectificador convencional. Este dopado excesivo produce una región de empobrecimiento extremadamente estrecha. El dopado excesivo permite conducción con todos los voltajes en inversa, de modo que no se presenta el efecto de ruptura como en el diodo rectificador convencional.

6. DIODO TUNEL El diodo Tunnel se comporta de una manera muy interesante conforme se le va aumentando una tensióntensióntensióntensión aplicada en sentido directo. - Cuando se aplica una pequeña tensión, el diodo tunnel empieza a conducir (la corriente empieza a fluir). - Si se sigue aumentando esta tensión la corriente aumentará hasta llegar un punto después del cual la corriente disminuye. - La corriente continuará disminuyendo hasta llegar al punto mínimo de un "valle" y .... - Después volverá a incrementarse. En esta ocasión la corriente continuará aumentando conforme aumenta la tensión.

7. Preguntas : Un diodo con característica de resistencia negativa es el diodo Schottky (b) diodo túnel (c) diodo láser (d) diodo portador caliente ¿Cuál es la característica clave de un diodo túnel ? Los diodos túnel tienen resistencia negativa. ¿ Cuál es una aplicación de un diodo túnel ? Osciladores. 27. La característica V-I de un cierto diodo túnel muestra que la corriente cambia de 0.25 a 0.15 mA cuando el voltaje cambia de 125 a 200 mV . ¿Cuál es la resistencia ? 28. ¿En qué tipo de circuito comúnmente se utilizan diodos túnel?

8. . ¿Cuáles son las diferencias esenciales entre un diodo de unión semiconductor y un diodo túnel ? La diferencia primaria entre el diodo de unión p-n estándar y el diodo de túnel es que El diodo de túnel está dopado a un nivel de 100 a varios miles de veces el nivel de dopaje de un P-n, produciendo así un diodo con una región de "resistencia negativa" en su Curva característica .

9. *16. Observe en el circuito equivalente de la figura 16.14 que el capacitor aparece en paralelo con la resistencia negativa. Determine la reactancia del capacitor a 1 MHz y a 100 MHz si C =5 pF , y determine la impedancia total de la combinación en paralelo (con R = 152 ) en cada frecuencia. ¿Es la amplitud de la reactancia inductiva algo por lo que haya que preocuparse a cualquiera de estas frecuencias si Ls =6 nH ?

10. *17. ¿Por qué cree que el valor nominal de la corriente en inversa máxima para el diodo túnel puede ser mayor que el valor nominal de la corriente en directa? (Sugerencia: Observe las características y considere el valor nominal de la potencia .) * The heavy doping greatly reduces the width of the depletion region resulting in lower levels of Zener voltage. Consequently, small levels of reverse voltage can result in a significant current levels . El dopado pesado reduce en gran medida la anchura de la región de agotamiento, lo que da como resultado niveles más bajos Del voltaje Zener . Por consiguiente, pequeños niveles de voltaje inverso pueden Los niveles actuales.

11. 18.Determine la resistencia negativa para el diodo túnel de la figura 16.13 entre VT=0.1 V y VT=0.3 V

12. 19. Determine los puntos de operación estables para la red de la figura 16.17 si E=2 V, R =0.39 k, y se emplea el diodo túnel de la figura 16.13 . Use valores típicos de la tabla 16.1

13. 20. Para E=0.5 V y R=51 , trace vT para la red de la figura 16.18 y el diodo túnel de la figura 16.13.

14. 21. Determine la frecuencia de oscilación para la red de la figura 16.19 si L=5 mH , R1 =10 , y C = 1 F