UNIDAD III-MEMORIA SEMICONDUCTORAS.pptx

cursos de memorias semiconductoras

1. “Ciencia y Tecnología al Servicio del País”

2. Curso: Introducción a la Computación Docente: Carolyn Rojas Vargas F acultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica 22-I Ciclo Académico

3. Memorias semiconductoras

4. Índice Memorias Semiconductoras: Tipos de memorias ROM ( Read Only Memory ): EPROM, EEPROM y Flash Memory . Tipos de memorias RAM ( Random Access Memory ). Memoria DRAM síncronas: SDRAM, DDR1, DDR2, DDR3 y DDR4. Tipos de memoria SRAM: Memoria caché L1, L2 y L3.

5. Una memoria es un dispositivo físico capaz de almacenar información. La memoria es la parte de la computadora en donde se guardan o almacenan los programas (las instrucciones y los datos). Sin una memoria en el que los procesadores leyeran o escribieran la información, no habría computadoras con programas almacenados. ¿Qué es la MEMORIA?

6. Existen una gran variedad de parámetros que permiten caracterizar o clasificar una memoria: Naturaleza física del almacenamiento: Semiconductor: El chip, hecho principalmente de silicio, recibe una carga para almacenar los datos (RAM, ROM, Unidades Flash, etc.) Magnético: Todos los medios magnéticos utilizan el mismo proceso general de material de magnetización del cabezal de lectura / escritura (Unidad de disco duro y disquete.) Óptico: Se escribe y lee con un láser (Unidades DVD, CDROM y Blu-rays ) - Modo de Acceso a la Información: Secuencial: Para acceder a un byte se requieren leer o escribir en las posiciones previas. (Ej. Unidad de cinta, FIFO) Aleatorio: Se puede acceder a cualquier byte sin condición de acceder a bytes previos (Ej. RAM, ROM, DVD, Discos magnéticos). ¿Qué es la MEMORIA?

7. - Mantenimiento de la información: Volátiles: pierden la información almacenada transcurrido cierto tiempo o si se desconecta la alimentación de la memoria. (Ej. DRAM, RAM) No volátiles: la información almacenada perdura en el tiempo independientemente de la alimentación del dispositivo y hasta que ésta sea sustituida por una nueva. (Ej. NVRAM, FLASH, Magnéticas, Ópticas. Tiempo de acceso: Mide el intervalo de tiempo que transcurre desde que se solicita un dato a la memoria y ésta lo devuelve. Bajo. Ej. SRAM (caché), DRAM, ROM (en general las de tipo semiconductor) Alto. Ej. Unidades magnéticas y ópticas. ¿Qué es la MEMORIA?

8. JERARQUIA DE MEMORIAS

9. Las memorias semiconductoras (o de semiconductor) son aquellas memorias que utilizan circuitos integrados basados en semiconductores para almacenar información. Un chip de memoria de semiconductor puede contener millones de minúsculos transistores o condensadores. ¿Qué son los transistores o condensadores? El transistor es un dispositivo semiconductor que se utiliza para amplificar y cambiar señales electrónicas y energía eléctrica y el condensador es un componente eléctrico que se utiliza para almacenar energía durante un corto período de tiempo. ¿Qué son las Memorias Semiconductoras

10. La unidad mínima de almacenamiento es el bit y la estructura física que lo soporta se denomina celda básica. El flip flop -un dispositivo electrónico que es a su vez un elemento ampliamente utilizado en las computadoras en su conjunto, especialmente en los registros- es la celda de memoria mínima de las memorias electrónicas. Un flip-flop , puede almacenar un bit de información digital o binaria. Una unidad de memoria es un conjunto de celdas de almacenamiento junto con los circuitos asociados que se necesitan para ingresar y sacar la información de almacenamiento. La memoria almacena información binaria en grupos de bits que se denominan palabras. Una palabra en la memoria es una entidad de bits que se introducen o se sacan del almacenamiento como una unidad. Una palabra de memoria es un grupo de números 1 y 0 que puede representar un número, un código de instrucción, uno o más caracteres alfanuméricos o cualquier otra información en código binario. La mayor parte de las memorias de las computadoras utilizan palabras cuyo número de bits es un múltiplo de 8, por lo tanto, una palabra de 16 bits contiene dos bytes, y una palabra de 32 bits está formada de cuatro bytes. Arquitectura general de una memoria

11. La capacidad de las memorias en las computadoras comerciales por lo general se define como la cantidad total de bytes que pueden almacenarse. La estructura interna de una unidad de memoria está especificada por el número de palabras que contiene y la cantidad de bits en cada palabra. Una línea especial de entrada, llamadas líneas de direccionamiento, seleccionan una palabra particular. La memoria organiza las celdas por filas y columnas (estructura matricial). Se puede representar la memoria digital como un casillero ordenado en el que cada casilla corresponde a una dirección en la que se guarda información. A continuación se muestra la representación más usual de una memoria. Arquitectura general de una memoria

12. Existen varias formas de acceder la celdas (o grupos de ellas): decodificación por filas y decodificación por filas y columnas. Por ejemplo, una memoria de 256 posiciones de 8 bits, esta compuesta internamente, por un decodificador de direcciones de 8 entradas y 2n=28=256 salidas que se utilizan para señalar cada una de las posiciones como se muestra en la siguiente figura Arquitectura general de una memoria

13. Bus de direcciones: Por intermedio de este bus o grupo de bits se generan las direcciones que apuntan o señalan hacia cualquier posición de la memoria en particular. Bus de datos: En el proceso de lectura el contenido de la posición localizada por el bus de direcciones aparece por este bus. En un sistema de lógica programada o de microcomputadores es frecuente que varias memoria compartan el mismo bus de datos. Este es uno de los motivos por el cual las salidas del bus de datos son de tipo tristate. Este bus es bidireccional, para el proceso de lectura es salida y para la escritura cambia de dirección y se comporta como entrada. CS: Cuando esta señal esta activa bajo (0 lógico), el bus de datos se conecta al exterior. De lo contrario permanece en estado de alta impedancia. Se usa esta señal para seleccionar entre diferentes memorias que comparten el mismo bus. WE: A través de esta línea se le indica a los circuitos internos de la memoria sobre la naturaleza de la operación que se pretende efectuar. Si WE es activa en baja por ejemplo, la operación es de escritura y se pueden almacenar o escribir datos en cualquier posición de memoria. Si WE es alta la operación es de lectura, es decir, se puede leer cualquier posición de memoria. En términos generales, el diagrama lógico de una memoria semiconductora es como se muestra a continuación y está compuesta por las siguientes líneas. Arquitectura general de una memoria

14. Desde 1972 el tipo de memoria universalmente empleada como memoria principal es la memoria de semiconductores. Se puede establecer la siguiente clasificación: De lectura y escritura o RAM Estáticas (SRAM) Dinámicas o con refresco (DRAM) De sólo lectura ROM MEMORIA PRINCIPAL SEMICONDUCTORA

15. La RAM (memoria de acceso aleatorio) es una memoria de lectura/escritura en la que los datos se pueden escribir o leer seleccionando cualquier orden y dirección, utilizándose para almacenamiento de datos a corto plazo. Las dos categorías de memorias RAM son la Estática (SRAM) y la Dinámica (DRAM). MEMORIA RAM

16. Existen diversos tipos d e memor i as RA M . L as diferencias son básicamente por: Tecnología de fabricación: Dinámicas ( DRAM ). Estáticas ( SRAM ). La forma como trabajan internamente: Asíncronas: sin reloj (lentas). Síncronas: con reloj (rápidas). Su factor de forma: encapsulado o empaquetado. TIPOS DE RAM

17. La memoria principal de las computadoras se implementan con este tipo de memorias. Son memorias que requiere de un proceso de lectura llamado " refresco de memoria " para que los datos almacenados no se pierdan (recuerde que estas memorias almacenan la información en capacidades parásitas). Su gran ventaja es que son memorias baratas en comparación a las memorias SRAM . DRAM (Dynamic Random Access Memory) AM

18. Familia DRAM (Dynamic Random Access Memory) Hay dos tipos de memorias DRAM : Asincrónicas: no utilizan clock. DRAM Sincrónicas: utilizan clock. SDRAM RDRAM DRAM (Dynamic Random Access Memory) AM

19. DIP (Dual in-line package): Fueron el primer formato de memorias RAM que se emplearon en una mainboard de PC. Se usaron en las mainboards 8088 ( XT ) y 80286 ( AT ). Las memorias más usadas eran: DRAM 4116: Memoria de 16Kx1bit, por ende se requería 8 memorias para formas un byte. Adicionalmente se tenía una memoria más para el bit de paridad. Las 9 memorias formaban lo que se denomina un banco. DRAM 4164: Memoria de 64Kx1bit. DRAM 4464: Memoria de 64Kx4bits. DRAM 41256: Memoria de 256Kx1bit. DRAM 44256: Memoria de 256Kx4bits. DRAM (Dynamic Random Access Memory) AM

20. Algunas de estas memorias se usaron para realizar las primeras implementaciones de memoria caché. M e m o ria DRAM 41256 tiene u n tiempo d e acc e s o d e 120 microsegundos = 0.12 milisegundos. DRAM (Dynamic Random Access Memory) AM

21. SIPP (Single In-line Pin Package): So n mem or ias d e 8 b i t s . Se emplea r o n e n mainboa r d 80286. Son memorias de 30 pines . Su v elocidad d e t r a baj o e r a la mi s ma qu e los microprocesadores de la época, entre 25 MHZ y 33 MHz. Esta memoria estaba compuesta por: T a r j e t a ( 1 ) : e s una pla c a sob r e l a c u ál e s t án so l da d as los componentes de la memoria. Chips (2): son módulos de memoria volátil. Conector (3): son 30 pines que se insertan en el mainboard. DRAM (Dynamic Random Access Memory) AM

22. DRAM (Dynamic Random Access Memory) AM

23. SIMM (Single in line Memory Module): – Debido a que se requería mayores capacidades de memoria de las computadoras comenzó a utilizar módulos de memoria para ahorrar espacio en la mainboard. En lugar de conectar individualmente 9 chips del tipo DIP solo se requería un sólo módulo de memoria SIMM para incrementar la memoria del computador. DRAM (Dynamic Random Access Memory) AM

24. Habían dos tipos de memoria SIMM : SIMM de 30 pines y de 8 bits de datos (adicionalmente tienen 1 bits para la paridad). Fueron utilizados en mainboards 80286, 80386 y 80486. Ejemplos: Para una mainboard 80286 se requería 2 módulos SIMM de 30 pines por banco (para formar los 16 bits de datos que manejaba el 80286). Para una mainboard 80386DX se requería 4 módulos SIMM de 30 pines por banco (32 bits). DRAM (Dynamic Random Access Memory) AM

25. 80286 80386 DRAM (Dynamic Random Access Memory) AM

26. SIMM tiene 72 pines y 32 bits de datos. Fueron empleados en mainboards 80486, Pentium I, Pentium Pro, y en las primeras mainboards de Pentium II. Ejemplos: – Para 80386DX o 80486 se requería de un solo módulo por banco para tener los 32 bits del procesador. DRAM (Dynamic Random Access Memory) AM

27. Las tecnologías DRAM implementados ​​en SIMM fueron: FPM RAM (Fast Page Mode RAM): Fue inspirado en técnicas como el Burst Mode usado en procesadores como el Intel 80486. Se implantó un modo direccionamiento en el que el controlador de memoria envía una sola dirección y recibía el contenido de esa y varias consecutivas sin necesidad de generar todas las direcciones. Esto supuso un ahorro de tiempos ya que ciertas operaciones son repetitivas cuando se desea acceder a muchas posiciones consecutivas. Se fabricaban con tiempos de acceso de 70 ó 60 ns. Se emplearon en mainboard Pentium I. Estas memorias se implementaron en formato SIMM de 30 pines y 72 pines. DRAM (Dynamic Random Access Memory) AM

28. EDO RAM (Ex t ende d D a t a O u tput RAM): V e r si ó n mejora de FPM RAM . Se fabricaron con tiempos de accesos de 40 y 30 ns. Se implementaron en formato SIMM de 72 pines. DRAM (Dynamic Random Access Memory) AM

29. Son memoria que está sincronizada con el clock del l e per m i t e m ay o r v eloci d ad de p r o ce sad o r . E s t o respuesta. Familia SDRAM Familia RDRAM Memorias Síncronas (con reloj )

30. SDR SDRAM (Single Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory): Son memorias de 64 bits . Memoria síncrona, con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns. Fue utilizada en las mainboards: Pentium II, Pentium III, AMD K6, AMD Athlon K7 y Duron. Estas memorias trabajan con los flancos de subida de la señal de reloj. SDRAM (Synchronous Dynamic Random-Access Memory)

31. Los tipos disponibles son: PC66: SDR SDRAM, funciona a un máximo de 66.6 MHz. Tasa de transferencia: 533 MB/s. PC100: SDR SDRAM, funciona a un máximo de 100 MHz. Tasa de transferencia: 800MB/s. PC133: SDR SDRAM, funciona a un máximo de 133.3 MHz. Tasa de transferencia: 1066MB/s. SDRAM (Synchronous Dynamic Random-Access Memory)

32. – Se encapsularon en módulos DIMM de 168 contactos. – Las memorias DIMM se instalan de la siguiente manera: SDRAM (Synchronous Dynamic Random-Access Memory)

33. RDRAM (Rambus Dynamic Random Access Memory): Fueron memorias de 16 bits (aunque luego parecieron memorias de 32 bits , pero no fueron muy comerciales). Fue utilizada en las mainboards Pentium 4. Era la memoria más rápida en su tiempo, pero por su elevado costo fue rápidamente cambiada por la económica DDR . Trabajaba con los flancos de subida y bajada del clock . SDRAM (Synchronous Dynamic Random-Access Memory)

34. Los tipos disponibles fueron ( 16 bits ): PC600: RIMM RDRAM, funciona a un máximo de 300 MHz. La velocidad de transferencia es 300x2 = 600Mhz (flanco de subida y bajada). Tasa de transferencia: 1200MB/s. PC700: RIMM RDRAM, funciona a un máximo de 356 MHz. Tasa de transferencia: 1400MB/s. PC800: RIMM RDRAM, funciona a un máximo de 400 MHz. Tasa de transferencia: 1600MB/s. PC1066: RIMM RDRAM, funciona a un máximo de 533 MHz. Tasa de transferencia: 2132MB/s PC1200: RIMM RDRAM, funciona a un máximo de 600 MHz. Tasa de transferencia: 2400MB/s. SDRAM (Synchronous Dynamic Random-Access Memory)

35. Estas memorias son implementadas en módulos RIMM de 184 contactos: Disipador (1): es una placa metálica que cubre la tarjeta plástica y los chips, ya que tienden a sobrecalentarse y de este modo absorbe el calor y lo transmite al ambiente. Conector (2): son 184 contactos que se insertan en la mainboard. Muescas (3): son 2 hendiduras características de la memoria RIMM y que indican la posición correcta dentro de la ranura de memoria. SDRAM (Synchronous Dynamic Random-Access Memory)

36. Estas memorias al ser instalas requieren de un terminator denominado CRIMM (Continuity-RIMM) en todos los conectores de memoria que estén vacíos para evitar el efecto de "reflejo de la señal". CRIMM es “ un módulo de memoria vacío ” que evita la generación de ruido. SDRAM (Synchronous Dynamic Random-Access Memory)

37. Ejemplo: Tenemos 4 conectores de memoria RIMM y tenemos 4 módulos de memoria RIMM : Si s o lo t e n emos do s módulos d e me m o r ia RIM M , entonces requerimos conectar 2 módulos CRIMM : SDRAM (Synchronous Dynamic Random-Access Memory)

38. Ejemplo: Tenemos 2 conectores de memoria RIMM y tenemos 2 módulos de memoria RIMM : Si solo tenemos 1 módulo de memoria RIMM , entonces requerimos conectar 1 módulos CRIMM : SDRAM (Synchronous Dynamic Random-Access Memory)

39. DDR SD R AM ( Do uble D a t a R a t e S ynch r onous Dynamic Random-Access Memory): – Memoria síncrona, envía los datos dos veces por cada ciclo de clock (trabajan con flanco de subida y bajada). SDRAM (Synchronous Dynamic Random-Access Memory)

40. La nomenclatura utilizada para DDR, DDR2, DDR3 y DDR4 es: DDRx-yyyy PCx-zzzz x representa a la generación DDR yy yy l a f r e c uencia apa r e n t e o v e l o cid a d de transferencia en MHz . zzzz la m á x ima t asa d e t r an s f e r en c ia d e d a t o s por segundo, en megabytes. La tasa de transferencia depende de dos factores: Ancho de bus de datos (por lo general 64 bits ) Frecuencia aparente. Ejemplo: igual a dos veces la frecuencia de clock . Tasa de transferencia en MB/s = (Frecuencia de aparente) x (8) SDRAM (Synchronous Dynamic Random-Access Memory)

41. – Ejemplo: 1 GB DDR-400 PC-3200 , representa un módulo de 1 GB (Gigabyte) de tipo DDR ; con frecuencia aparente de 400 MHz (su frecuencia de clock externa es de 200MHz); y una tasa de transferencia de datos máxima de: 400MHz*8 = 3200 MB/s. Los tipos disponibles son: PC1600 o DDR 200: funciona a un máximo de 100 MHz. PC2100 o DDR 266: funciona a un máximo de 133.3 MHz. PC2700 o DDR 333: funciona a un máximo de 166.6 MHz. PC3200 o DDR 400: funciona a un máximo de 200 MHz. SDRAM (Synchronous Dynamic Random-Access Memory)

42. – Se encapsularon en módulos DIMM de 184 contactos: SDRAM (Synchronous Dynamic Random-Access Memory)

43. E x i s t e v e r s i one s DI M M pa r a co mpu t ado r as por t á t i les denominados SO-DIMM (Small Outline DIMM): SO-DIMM de 72 contactos para memorias FPM y EDO . SO-DIMM DDR de 100 contactos: son de 32 bits. S O-DIM M SD R AM d e 14 4 c o n t ac t o s pa r a memorias FPM y EDO : son de 64 bits. S O-DIM M DD R d e 20 c o n t a c t o s pa r a memorias DDR1 y DDR2 : son de 64 bits. SO-DIMM DDR de 204 contactos para memorias DDR3 . SO-DIMM DDR de 256 contactos para memorias DDR4 . SDRAM (Synchronous Dynamic Random-Access Memory)

44. SDRAM (Synchronous Dynamic Random-Access Memory)

45. DDR2 SDRAM (Double Data Rate type two SDRAM): – Trabajan al doble de la frecuencia del clock , permitiendo que durante cada ciclo de reloj (externo) se realicen cuatro transferencias. – Trabajan a un voltaje de 1.8 1.9 voltios. SDRAM (Synchronous Dynamic Random-Access Memory)

46. Los tipos disponibles son: PC2-3200 o DDR2-400: funciona a un máximo de 100 MHz. PC2-4200 o DDR2-533: funciona a un máximo de 133.3 MHz. PC2-5300 o DDR2-667: funciona a un máximo de 166.6 MHz. PC2-6400 o DDR2-800: funciona a un máximo de 200 MHz. PC2-8500 o DDR2-1066: funciona a un máximo de 266.6 MHz. PC2-9600 o DDR2-1200: funciona a un máximo de 300 MHz. Se presentan en módulos DIMM de 240 contactos . SDRAM (Synchronous Dynamic Random-Access Memory)

47. DDR3 SDRAM (Double Data Rate type three SDRAM): Trabajan al cuádruple de la frecuencia del reloj externa , permitiendo que durante cada ciclo de reloj se realicen ocho transferencias. Trabaja con un voltaje menor al DDR2 , (1.35 o 1.5 voltios), lo que genera una disminución en el consumo eléctrico. SDRAM (Synchronous Dynamic Random-Access Memory)

48. Los tipos disponibles son: PC3-6400 o DDR3-800 : funciona a un máximo de 100 MHz. PC3-8500 o DDR3-1066 : funciona a un máximo de 133.3 MHz. PC3-10600 o DDR3-1333 : funciona a un máximo de 166.6 MHz. PC3-12800 o DDR3-1600 : funciona a un máximo de 200 MHz. PC3-14900 o DDR3-1866 : funciona a un máximo de 233.3 MHz. PC3-17000 o DDR3-2133 : funciona a un máximo de 266.6 MHz. PC3-19200 o DDR3-2400 : funciona a un máximo de 300 MHz. PC3-21300 o DDR3-2666 : funciona a un máximo de 333.3 MHz. SDRAM (Synchronous Dynamic Random-Access Memory)

49. – Se presentan en módulos DIMM de 240 contactos (el mismo número que DDR2 ); sin embargo son físicamente incompatibles, debido a una ubicación diferente de la muesca. SDRAM (Synchronous Dynamic Random-Access Memory)

50. DDR4 SDRAM (Double Data Rate type four SDRAM) – No son compatibles con las memoria DDR3 SDRAM (Synchronous Dynamic Random-Access Memory)

51. 51 Resumen de memorias DDR

52. Memoria Caché : Es una memoria muy rápida y que es usada por el procesador para reducir el tiempo de acceso a datos ubicados en la memoria principal que se utilizan con más frecuencia. Existen varios tipos de memoria caché dependiendo de su ubicación: SRAM (Static Random Access Memory)

53. Memoria caché Nivel 1 (Level 1): Es una memoria ubicada en el núcleo del procesador. Inicialmente esta memoria estaba implementada en las mainboard. – Ej e mplo: mainboa r d 80386 . Es muy rápida pero de pequeña capacidad. SRAM (Static Random Access Memory)

54. SRAM (Static Random Access Memory)

55. En los procesadores actuales se tienen dos memorias caché Nivel 1: Nivel 1 Caché de Datos: Se encarga de almacenar datos usados frecuentemente y cuando sea necesario volver a utilizarlos, accede a ellos en muy poco tiempo, por lo que se agilizan los procesos. Nivel 1 Caché de Instrucciones: Se encarga de almacenar instrucciones usadas frecuentemente y cuando sea necesario volver a utilizarlas, inmediatamente las recupera, por lo que se agilizan los procesos. SRAM (Static Random Access Memory)

56. Memoria caché Nivel 2 (Level 2): Es una memoria ubicada fuera del núcleo del procesador, pero en el mismo encapsulado. Inicialmente esta memoria estaba implementado en la mainboard. – Ejemplo: mainboard 80486. SRAM (Static Random Access Memory)

57. La memoria caché L2 se implementó inicialmente en las mainboard 486 de la siguiente manera: SRAM (Static Random Access Memory)

58. Posteriormente se implementa dentro del encapsulado del procesador, pero fuera del núcleo. SRAM (Static Random Access Memory)

59. Existen dos tipos de memoria caché Nivel 2: Caché Exclusivo: Los datos solicitados se eliminan de la memoria caché Nivel 2. Caché Inclusivo: Los datos solicitados se quedan en la memoria caché Nivel 2 (no se borran). Normalmente la memoria caché 2 se implementa por núcleo y no distingue entre datos e instrucciones. SRAM (Static Random Access Memory)

60. Memoria caché Nivel 3 (Level 3): Esta memoria se encuentra en procesadores modernos (fuera del núcleo). Es más rápida que la memoria principal, pero más lenta que las memorias caché Nivel 2. En esta memoria se busca los datos e instrucciones que no fueron localizadas en L1 o L2 . Es generalmente de un tamaño mayor y ayuda a que el sistema guarde gran cantidad de información agilizando las tareas del procesador. SRAM (Static Random Access Memory) Ejemplo: procesador de Intel i7.

61. La memoria Tag RAM se utiliza para especificar cuál es el rango de direcciones de memoria RAM que se encuentra almacenado en la memoria caché. TAG RAM

62. Con la aparición de los procesadores multi-núcleos, se tienen dos opciones para conectar las memorias caché: Memoria caché privada (private): Cada núcleo tiene asignado su propia memoria caché. Ejemplos: La memoria caché Nivel 1 en los procesadores Intel y AMD . Tecnologías en la memoria caché

63. Memoria caché compartida (shared): Los diversos núcleos de un procesador comparte la memoria caché. Ejemplos: L a memoria c aché Ni v el 2 en los p r ocesad o r es I n t el Core Duo. Tecnologías en la memoria caché

64. La memoria caché Nivel 3 en los procesadores Intel i3, i5 e i7. Tecnologías en la memoria caché

65. Smart Cache: Es una tecnología desarrollada por Intel que se aplica a las memorias caché Nivel 2 o 3, en procesadores múltiples núcleos de ejecución. – Smart Cache comparte la memoria caché real entre los núcleos de un procesador multinúcleo (multicore). En comparación a la opción de una caché por cada núcleo. Un solo núcleo puede utilizar todo el nivel 2 o nivel 3 de caché si los otros núcleos están inactivos . Por otra parte, la memoria caché compartida hace que sea más rápido para compartir la memoria entre los diferentes núcleos de ejecución. Tecnologías en la memoria caché

66. DIP (Dual in-line package): SIPP (Single In-line Pin Package): SIPP de 30 pines de 8 bits SIMM (Single in line Memory Module): SIMM de 30 contactos de 8 bits SIMM de 72 contactos 32 bits DIMM (Dual In-Line Memory Module): DIMM de 168 contactos de 64 bits. SO-DIMM (Small Outline DIMM): 72 contactos 100 contactos de 32 bits 144 contactos 200 contactos 204 contactos 256 contactos Factor de Forma o Encapsulados de memorias RAM

67. DDR-DIMM 184 contactos 240 contactos 288 contactos (DDR4) RIMM (Rambus in-line Memory Module): 184 contactos SO-RIMM (Small Outline RIMM): 160 pines Factor de Forma o Encapsulados de memorias RAM

68. Básicamente las memorias RAM se utilizan para: Dich o p r o g r a ma p r e v iam e nt e ha – Almacenar p r ocesado r . "cargado" a la los p r o g r amas qu e e st a eje c u t ando un sido de memoria secund a rio desde c omo u n disp o siti v o un dis c o du r o . almacenam i e n t o Ejemplos: Memoria Principal de una computadora. Memoria Caché. Memoria CMOS. Aplicaciones de las memorias RAM

69. Memoria RAM en interfases. Ejemplo: VRAM o RAM de video que tiene toda interfase de video. Almacenar datos que se transmite entre el procesador y una interfase o viceversa. Ejemplo: Buffer de la interfase de red. Aplicaciones de las memorias RAM

70. Memoria CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) es una memoria RAM donde se almacena los datos de configuración del sistema (lo que se configura con el programa Setup). Antiguamente esta memoria requería de una pila o batería para mantener almacenado la información. Hoy en día se usa EEPROM . Aplicaciones de las memorias RAM

71. Ejemplos: Memoria SRAM Memoria DRAM

72. La ROM (memoria de sólo lectura) es un tipo de memoria en la que los datos se almacenan de forma permanente o semipermanente. Los datos pueden ser leídos pero no se pueden cambiar en lo absoluto. La ROM mantiene los datos almacenados cuando se desconecta la alimentación. Las memorias ROM se clasifican en: ROM de máscara, ROM programable (PROM), PROM borrable (EPROM), EPROM mediante ultravioleta (UV EPROM), PROM borrable eléctricamente (EEPROM). ROM de máscara . Normalmente se le denomina simplemente ROM. Es una memoria programada de forma permanente durante el proceso de fabricación, para proporcionar funciones estándar de uso extendido o para proporcionar funciones especificadas por el usuario. Una vez programada, no puede cambiarse. PROM . Utilizan algún tipo de mecanismo de fundición para almacenar bits. Donde un hilo de memoria se funde o queda intacto para representar un 0 o un 1, el proceso de fundición es irreversible. Una vez programada, no puede modificarse. MEMORIA ROM

73. EPROM .- Es una PROM borrable; puede ser reprogramada si antes se borrara el programa existente en la matriz de memoria. Utilizan una matriz NMOSFET con una estructura de puerta aislada. La puerta del transistor no tiene ninguna conexión eléctrica y puede almacenar una carga eléctrica durante un periodo de tiempo indefinido. El borrado de datos es un proceso que elimina la carga de la puerta. UV EPROM .- Esta se puede reconocer por la ventana de cuarzo transparente en su encapsulado, la puerta aislada del FET esta flotando dentro de un material óxido aislante. El proceso de programación hace que los electrones sean eliminados de la puerta flotante. El borrado se realiza mediante la exposición del chip de la matriz a una radiación UV de alta intensidad a través de la ventana de cuarzo en la parte superior del encapsulado. EEPROM . Las PROM borrables se pueden borrar y programar mediante impulsos eléctricos. Ya que se pueden borrar y grabar eléctricamente, las EEPROM se pueden reprogramar dentro del circuito final, lo que permite reconfigurar cualquier sistema. Los dos tipos de EEPROM son la MOS de puerta flotante y la de Silicio Oxido Nitroso Metal (MNOS, Metal Nitride -Oxide Silicon). La aplicación de una tensión en la puerta de control de la estructura de puerta flotante, permite la eliminación y el almacenamiento de la carga en esta puerta. MEMORIA ROM

74. Ejemplos: Memoria EPROM Flash memory

75. ¡MUCHAS GRACIAS!