Strained Si Heterostructure Field Effect Devices 1st Edition C.K Maiti

Strained Si Heterostructure Field Effect Devices 1st Edition C.K Maiti
Strained Si Heterostructure Field Effect Devices 1st Edition C.K Maiti
Strained Si Heterostructure Field Effect Devices 1st Edition C.K Maiti

1. Strained Si Heterostructure Field Effect Devices
1st Edition C.K Maiti download
https://ebookultra.com/download/strained-si-heterostructure-
field-effect-devices-1st-edition-c-k-maiti/
Explore and download more ebooks or textbooks
at ebookultra.com

2. We believe these products will be a great fit for you. Click
the link to download now, or visit ebookultra.com
to discover even more!
Silicon Heterostructure Devices 1st Ed. Edition John D.
Cressler
https://ebookultra.com/download/silicon-heterostructure-devices-1st-
ed-edition-john-d-cressler/
Negative Capacitance Field Effect Transistors 1st Edition
Young Suh Song
https://ebookultra.com/download/negative-capacitance-field-effect-
transistors-1st-edition-young-suh-song/
Integrated Circuits Photodiodes and Organic Field Effect
Transistors 1st Edition Robert Mcintire
https://ebookultra.com/download/integrated-circuits-photodiodes-and-
organic-field-effect-transistors-1st-edition-robert-mcintire/
Strained Metallic Surfaces Theory Nanostructuring and
Fatigue Strength Valim Levitin
https://ebookultra.com/download/strained-metallic-surfaces-theory-
nanostructuring-and-fatigue-strength-valim-levitin/

3. Mechanics of materials Second Edition, Si Edition
Kiusalaas
https://ebookultra.com/download/mechanics-of-materials-second-edition-
si-edition-kiusalaas/
Structural Analysis Fourth Edition SI Edition Aslam
Kassimali
https://ebookultra.com/download/structural-analysis-fourth-edition-si-
edition-aslam-kassimali/
The Casimir Effect 1st Edition Kimball A. Milton
https://ebookultra.com/download/the-casimir-effect-1st-edition-
kimball-a-milton/
Safe Medical Devices for Children 1st Edition Committee On
Postmarket Surveillance Of Pediatric Medical Devices
https://ebookultra.com/download/safe-medical-devices-for-children-1st-
edition-committee-on-postmarket-surveillance-of-pediatric-medical-
devices/
Intention Character and Double Effect Lawrence Masek
https://ebookultra.com/download/intention-character-and-double-effect-
lawrence-masek/

5. Strained Si Heterostructure Field Effect Devices 1st
Edition C.K Maiti Digital Instant Download
Author(s): C.K Maiti, S Chattopadhyay, L.K Bera
ISBN(s): 9780750309936, 0750309938
Edition: 1
File Details: PDF, 5.88 MB
Year: 2007
Language: english

7. Strained-Si Heterostructure Field Effect Devices
IP677_C000a.indd 1 12/12/06 10:47:15 AM

8. Series in Materials Science and Engineering
Series Editors:Alwyn Eades, Lehigh University, Bethlehem, PA, USA
Evan Ma, Johns Hopkins University, Baltimore, MD, USA
Other books in the series:
Spintronic Materials and Technology
Y B Xu, S M Thompson
(Eds)

Fundamentals of Fibre Reinforced Composite Materials
A R Bunsell, J Renard
Novel Nanocrystalline Alloys and Magnetic Nanomaterials
B Cantor (Ed)
3-D Nanoelectronic Computer Architecture and Implementation
D Crawley, K Nikolic, M Forshaw (Eds)
Computer Modelling of Heat and Fluid Flow in Materials Processing
C P Hong
High-K Gate Dielectrics
M Houssa (Ed)
Metal and Ceramic Matrix Composites
B Cantor, F P E Dunne, I C Stone (Eds)
High Pressure Surface Science and Engineering
Y Gogotsi, V Domnich (Eds)
Physical Methods for Materials Characterisation, Second Edition
P E J Flewitt, R K Wild
Topics in the Theory of Solid Materials
J M Vail
Solidification and Casting
B Cantor, K O’Reilly (Eds)
Fundamentals of Ceramics
M W Barsoum
Aerospace Materials
B Cantor, H Assender, P Grant (Eds)
Physical Methods for Materials Characterisation
P E J Flewitt, R K Wild

9. Series in Materials Science and Engineering
New York London
C K Maiti
Indian Institute of Technology, India
S Chattopadhyay
University of Newcastle, UK
L K Bera
Kulim Hi-Tech, Kedah, Malaysia
Strained-Si Heterostructure
Field Effect Devices
IP677_C000a.indd 3 12/12/06 10:47:16 AM

10. CRC Press
Taylor & Francis Group
6000 Broken Sound Parkway NW, Suite 300
Boca Raton, FL 33487-2742
© 2007 by Taylor & Francis Group, LLC
CRC Press is an imprint of Taylor & Francis Group, an Informa business
No claim to original U.S. Government works
Printed in the United States of America on acid-free paper
10 9 8 7 6 5 4 3 2 1
International Standard Book Number-10: 0-7503-0993-8 (Hardcover)
International Standard Book Number-13: 978-0-7503-0993-6 (Hardcover)
This book contains information obtained from authentic and highly regarded sources. Reprinted
material is quoted with permission, and sources are indicated. A wide variety of references are
listed. Reasonable efforts have been made to publish reliable data and information, but the author
and the publisher cannot assume responsibility for the validity of all materials or for the conse-
quences of their use.
No part of this book may be reprinted, reproduced, transmitted, or utilized in any form by any
electronic, mechanical, or other means, now known or hereafter invented, including photocopying,
microfilming, and recording, or in any information storage or retrieval system, without written
permission from the publishers.
For permission to photocopy or use material electronically from this work, please access www.
copyright.com (http://www.copyright.com/) or contact the Copyright Clearance Center, Inc. (CCC)
222 Rosewood Drive, Danvers, MA 01923, 978-750-8400. CCC is a not-for-profit organization that
provides licenses and registration for a variety of users. For organizations that have been granted a
photocopy license by the CCC, a separate system of payment has been arranged.
Trademark Notice: Product or corporate names may be trademarks or registered trademarks, and
are used only for identification and explanation without intent to infringe.
Library of Congress Cataloging-in-Publication Data
Maiti, C. K.
Strained-Si heterostructure field effect devices / C.K. Maiti, L.K. Bera, and S.
Chattopadhyay.
p. cm.
Includes bibliographical references and index.
ISBN-13: 978-0-7503-0993-6 (alk. paper)
1. Metal oxide semiconductor field-effect transistors. 2. Silicon--Electrical
properties. I. Bera, L. K. II. Chattopadhyay, Swapan, 1952- III. Title. IV. Title:
Strained silicon heterostructure field effect devices.
TK7871.95.M27 2007
621.3815’284--dc22 2006031518
Visit the Taylor & Francis Web site at
http://www.taylorandfrancis.com
and the CRC Press Web site at
http://www.crcpress.com
IP677_C000a.indd 4 12/12/06 10:47:16 AM

11. Dedication
WHERE ARE WE HEADING?
The principal applications of any
sufficiently new and innovative technology
always have been
- and will continue to be -
applications created by that new technology
..... Herbert Kroemer
We dedicate this Monograph
Strained-Si Heterostructure Field Effect Devices
to YOU, Sir.

13. Preface
Soon after Bardeen, Brattain, and Shockley invented the solid-state device in
1947, the microelectronics revolution started. Today, the world market for
semiconductors is beyond 200 billion dollars, of which 80% is dominated by
CMOS and interestingly, Si devices account for 97% of all microelectronics.
The semiconductor sales have doubled in every three technology generations.
However, the semiconductor industry is now facing tremendous challenges to
extend the integrated circuit (IC) performance to meet the ever-increasing
demand for complex functionality. Innovations in both the device structures
and new materials are needed to continue with the Si CMOS roadmap.
While introducing new structure innovations has always been an impor-
tant part of device scaling, the integration of new materials is facing serious
hurdles in order to meet the aggressive specifications of the International
Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS). Although the idea of using
silicon-germanium (SiGe) and silicon strained-layer epitaxy toward bandgap
engineering in semiconductor devices is an old one, this concept has become
a reality only during the last two decades. It is expected that strained-Si will
set a new technology roadmap for the CMOS industry with enhanced per-
formance, however, with a minimum change in the existing Si infrastructure.
This is a solution the industry has been searching for the last few years.
Since the mid-nineties, there is a growing interest in bipolar and MOSFETs
designed with SiGe and strained-Si/SiGe as channels because of the potential
enhancement in performance due to improved carrier transport properties.
Recent integration of III-V layers on Si substrates has created tremendous
interest, even though the direct application of such technologies may not take
place in the near future. Novel channel materials may also support operation
at high power or temperature and lead to increased radiation hardness, and
band structure engineering would offer design flexibility and monolithic opto-
electronic circuits would likely become manufacturable. While the new devices
are expected to be highly innovative, they still have to meet the fundamental
criteria of functional capability and economic viability.
The purpose of the monograph is to survey the R&D strategy and address
the research needs associated with the front-end aspects of extending CMOS
technology via strain engineering. Areas covered include transistor structures,
front-end materials and processes along with their characterization, modeling
and simulation. Although lithography, back-end processes, circuit architec-
ture, design and test are very important areas that need to be addressed for
extending the CMOS, they are beyond the scope of this monograph.

14. Strained-Si Heterostructure Field Effect Devices
As the new device structures are expected to provide advanced features
from the materials in current use, the “material limit” is also being reached.
Additional performance boosts can only be expected from new materials with
superior electronic properties. Such properties may include high mobility (in
channel), high dielectric constant (gate dielectric), controllable work func-
tions (gate electrode), or low-resistivity (source/drain and associated con-
tacts). The integration challenges are far more complex than those involved
in the fabrication of bulk materials with specified properties.
Epitaxial technologies continue to emerge as a dominant processing step
for Si-based devices. The process development for strained-Si on SiGe further
points towards epitaxial processes playing an increasingly important role in
future electronic and optoelectronic devices. Introduction of new materials
brings in new metrology needs. These include metrologies for high spatial-
resolution strain measurement, atomic force microscopy for surface analysis,
dopant profiling and dose monitoring in small area and nonplanar topogra-
phies, and characterization of surface mobility in new substrates, such as,
SiGe and strained-Si. Similar requirements are in the modeling and simula-
tion, with the understanding that the new modeling and simulation tools have
to be provided with the supporting database and model parameters for the
materials involved.
Extension of CMOS to 22-nm node and beyond may require new nonclas-
sical MOSFET structures coupled with advanced materials and processes.
Classes of new materials include high-k gate dielectrics, metal and midgap
gate metal electrodes, strained-Si and silicon-germanium alloys. These new
materials will lower the gate leakage current and gate resistance and reduce
the poly-gate electrode depletion capacitance, and increase the device speed.
Nonclassical CMOS structures offer better control of short-channel effects, im-
proved I
onvia higher channel mobility, lower load capacitance and lower prop-
agation delay time. These structures also offer lower I
of fand lower switching
energy.
Currently, strained-Si is the performance booster for extending Moore’s law.
Local strain (process-induced strain) approach towards strained-Si engineer-
ing, perhaps would be the simplest among the possible approaches. However,
scaling issues of local strain approach may require wafer-level uniaxial strain
to provide most of the total strain for future device generations. It is now
believed that wafer scale (substrate-induced) strained-Si will be as effective
as silicon-on-insulator (SOI) technology in terms of extending CMOS per-
formance. Additionally, the combination of new device structures and new
materials enables new operating principles that may provide new behavior
and functionality beyond the constraints of bulk planar or classical CMOS.
Implementation into manufacturing of nonclassical MOSFET device struc-
tures integrated with new materials and processes (for example, a strained-Si
channel integrated with a new high-k gate dielectric material) will be inter-
esting.
The theoretical assessment via simulation of nanodevices is a challenge be-

15. Preface
cause band structures, arbitrary wafer orientation, quantum effects, and elec-
trostatics all are needed to be considered simultaneously. A systematic analy-
sis of the strain effects on bandstructure and mobility in deeply scaled n- and
p-MOSFETs with Si, SiGe, strained-Si and Ge channel is essential. In or-
der to assess and compare the performances of nanoscale CMOS devices with
novel channel materials (e.g., SiGe, strained-Si, and Ge), a new simulation
approach is also necessary.
In this book, current status and future trends in the strained-Si materials
and devices are discussed. This book is devoted to research and development
(R&D) Engineers and Scientists who are actively involved in extending the
roadmap for Si CMOS devices mainly via strain engineering. This monograph
may also serve as a reference for postgraduate and research students. By
introducing a diversity of R&D activities and results in this book, we hope to
ignite even more novel concepts and innovative thinking in the field.
CKMaiti
Indian Institute of Technology, Kharagpur, India
S Chattopadhyay
University of Newcastle, UK
and
LKBera
Kulim Hi-Tech, Kedah, Malaysia

17. Contents
1 Introduction 1
1.1 HeterostructureField-EffectDevices .............. 7
1.2 Substrate Engineering . ..................... 8
1.2.1 Substrate-Induced Strain Engineering . . ....... 9
1.2.2 Process-InducedStressEngineering........... 10
1.2.3 Orientation-Dependent Mobility Engineering . . . . . 11
1.3 Gate Dielectrics on Engineered Substrates . . . . ....... 12
1.4 Strained-SiTechnology:ProcessIntegration .......... 13
1.5 NonclassicalCMOSStructures ................. 14
1.6 Strain-Engineered Hetero-FETs: Modeling and Simulation . . 16
1.7 Summary ............................. 17
References 18
2 Strain Engineering in Microelectronics 23
2.1 StressInducedDuringManufacturing ............. 26
2.2 Globalvs.LocalStrain ..................... 32
2.3 Substrate-Induced Strain ..................... 35
2.4 Process-InducedStress ...................... 37
2.4.1 MechanicalStressControl................ 43
2.4.2 Substrate Orientation Dependence . . . . ....... 46
2.4.3 Strained-Ge........................ 48
2.5 Stress/StrainAnalysis ...................... 48
2.6 Summary ............................. 52
References 53
3 Strain-Engineered Substrates 59
3.1 Epitaxy .............................. 60
3.2 HeteroepitaxyandStrainControl ................ 64
3.3 Engineered Substrates: Technology . .............. 71
3.3.1 VirtualSubstrates .................... 73
3.3.2 Substrate Specifications . . . .............. 79
3.3.3 Strained-SionInsulator ................. 81
3.3.4 Smart-Cut......................... 87
3.3.5 Hybrid Substrates.................... 89
3.3.6 GeOISubstrates ..................... 90

18. Strained-Si Heterostructure Field Effect Devices
3.4 CharacterizationofStrainedLayers ............... 93
3.4.1 XRD............................ 96
3.4.2 SIMS............................100
3.4.3 Raman...........................101
3.5 Engineered Substrates . .....................106
3.5.1 Mobility Comparison . . . . . ..............106
3.5.2 Thermal Conductivity . . . . ..............109
3.6 Summary .............................111
References 111
4 Electronic Properties of Engineered Substrates 119
4.1 Substrate-induced Strained-Si . . . . ..............120
4.1.1 EnergyGapandBandStructure ............122
4.1.2 Electron Mobility .....................134
4.1.3 Hole Mobility . . .....................138
4.1.4 FieldDependence.....................141
4.1.5 DopingDependence ...................145
4.2 CarrierLifetime ..........................146
4.3 Mobility: Thickness Dependence . . ..............150
4.4 Mobility: Temperature Dependence . ..............157
4.5 DiffusioninStrained-Si .....................159
4.6 Process-inducedStrained-Si ...................160
4.6.1 Hole Mobility . . .....................166
4.6.2 Electron Mobility .....................170
4.7 Uniaxialvs.BiaxialStrainEngineering.............176
4.8 Summary .............................179
References 180
5 Gate Dielectrics on Engineered Substrates 189
5.1 Strained-SiMOSFETStructures ................190
5.2 ThermalOxidationofStrained-Si ................191
5.2.1 GeDiffusion........................193
5.2.2 Kinetics: Oxidation of Si
1−xGexLayers ........197
5.2.3 OxidationofStrained-SiLayers.............198
5.3 RapidThermalOxidation ....................200
5.4 PlasmaNitridationofStrained-Si ................203
5.5 EffectofSurfaceRoughness ...................207
5.6 EffectofStrained-SiLayerThickness ..............210
5.7 High-kGateDielectricsonStrained-Si .............220
5.7.1 MicrowavePlasmaDeposition..............225
5.7.2 ChemicalAnalysis ....................226
5.7.3 Conduction Mechanism . . . ..............230
5.7.4 Reliability Issues .....................232

19. Table of Contents
5.8 GateDielectricsonGe ......................234
5.9 Summary .............................234
References 235
6 Heterostructure SiGe/SiGeC MOSFETs 245
6.1 SiGe/SiGeC:MaterialParameters ...............247
6.2 SiGeHetero-FETs:StructuresandOperation .........250
6.3 SiGep-MOSFETsonSOI ....................267
6.4 SiGeCHetero-FETs .......................273
6.5 SiGe-basedHEMTs ........................277
6.6 DesignIssues ...........................281
6.6.1 GateEngineering.....................281
6.6.2 LayerDesign .......................286
6.7 Summary .............................287
References 288
7 Strained-Si Heterostructure MOSFETs 295
7.1 OperatingPrinciple........................296
7.1.1 ThresholdVoltage ....................297
7.2 UniaxialStress:ProcessFlow ..................306
7.3 Strained-SiMOSFETswithSiC-Stressor ............309
7.4 BiaxialStrain:ProcessFlow ...................315
7.5 ScalingofStrained-SiMOSFETs ................323
7.5.1 LayoutDependence....................333
7.5.2 ThicknessDependence..................338
7.5.3 OrientationDependence .................341
7.5.4 Hetero-FETs:SingleGatevs.DoubleGate ......344
7.5.5 Hetero-FET:DualChannelStructure .........346
7.6 Strained-Si MOSFETs: Reliability . ..............353
7.6.1 Self-heating........................358
7.7 Industry Example: TSMC ....................360
7.8 Industry Example: AMD ....................370
7.9 Summary .............................371
References 376
8 Modeling and Simulation of Hetero-FETs 385
8.1 SimulationofHetero-FETs ...................386
8.2 Strained-SiMaterialParametersforModeling .........387
8.3 SimulationofStrained-Sin-MOSFETs .............390
8.4 CharacterizationofStrained-SiHetero-FETs .........399
8.5 TCAD:Strain-engineeredHetero-FETs .............400
8.6 SPICEParameterExtraction ..................409

20. Strained-Si Heterostructure Field Effect Devices
8.7 PerformanceAssessment .....................412
8.8 Summary .............................415
References 417
Index 421

21. Random documents with unrelated
content Scribd suggests to you:

25. The Project Gutenberg eBook of Visions & Cants

26. This ebook is for the use of anyone anywhere in the United States and
most other parts of the world at no cost and with almost no restrictions
whatsoever. You may copy it, give it away or re-use it under the terms of
the Project Gutenberg License included with this ebook or online at
www.gutenberg.org. If you are not located in the United States, you will
have to check the laws of the country where you are located before using
this eBook.
Title: Visions & Cants
Author: Joan Maragall
Release date: June 25, 2016 [eBook #52409]
Most recently updated: October 23, 2024
Language: Catalan
Credits: Produced by David Starner and the Online Distributed
Proofreading Team at http://www.pgdp.net (This book was
produced from scanned images of public domain material
from the Google Books project.)
*** START OF THE PROJECT GUTENBERG EBOOK VISIONS & CANTS ***

27. VISIONS & CANTS
JOAN MARAGALL
VISIONS
&
CANTS
BARCELONA
Tié. «L’AîÉnç»: RçnÇa ÇÉ l’UniîÉêsiíaí, 20
1900

28. VISIONS
EL MAL CAÇADOR

29. La missa matinal
la diuen allà dalt
aixís que s fa de dia.
La missa de l’Estiu
el capellà la diu
am les portes obertes.
S’oeix de tots costats
quan enflaira ls serrats
el ginestar de Corpus.
El caçadô s daleix:
De fòra estant la oeix
amb un genoll a terra.
Al bon punt d’alçar Déu,
li bóta allà al bell peu
la llebre endiastrada.
S’esventa l goç lladrant,
la llebre fuig botant,
i el caçadô al darrera.
«Corres i correras.
Mai més t’aturaras.»
Aquesta és la sentencia.
«Doncs, corro i correré.
Mai més m’aturaré.
Alegra és la sentencia.»
S’allunyen amb el vent,
perdent-se en un moment
els crits, la fressa, el rastre…
Passen dies i nits…
Pels marges reflorits
ha tornat Corpus Christi.
La missa matinal
ladiuenallàdalt:

30. la diuen allà dalt:
les portes són obertes.
En un vent de visió
passa l mal caçadô
entre lladrucs i fressa.
Se gira i veu l’altâ,
i al peu el capellà,
i en alt veu l’hostia candida.
Passa i es perd al lluny…
La boirina de Juny
cenyeix l’horitzó immobil.
Roden les estacions,
revénen els plançons:
cada any, cada any ve Corpus.
Cada any torna a passar;
cada any torna a mirar,
cada any, la missa augusta.
Cada any els capellans
tenen més cabells blancs
i aixequen més els braços.
Cada any l’hostia s va alçant,
el temple s va aixafant
i l’hostia puja, puja…
Passen més anys i més,
el capellà no hi és:
l’hostia va sola en l’aire.
Amunt… amunt… amunt…
La volta perd el junt,
la llum del cel s’hi filtra.
L’hostia s’hi va acostant…
El temple s va esquerdant…
El caçador no para.
Veunanylavoltacau

31. Ve un any, la volta cau
i s’obre l gran cel blau
damunt de l’hostia blanca,
que s’alça lentament…
Al ser l’estiu vinent
floreix el temple en runes.
Sen va pujant al cel…
El caçadô, amb anhel,
cada any, cada any la mira.
L’hostia, per’nâ al zenit,
té l’espai infinit,
i ell, per caçâ, encisat,
té l temps, l’eternitat.
JOAN GARÍ
I
A la montanya miracle
una llegenda ha florit:
la llegenda del diable
i de Fra Joan Garí.
Fra Joan fa penitencia
enfilat a dalt d’un cim.
Li duien una donzella
que tenia ls mals esprits.
Montserrat, montanya santa,
la montanya de cent cims.
II

32. Fra Joan dintre la cova
estava fent oració:
Riquilda se li presenta
vestida de temptació.
Fra Joan clou les parpelles,
més la veu contra-claror.
Montserrat és ple de boira:
Riquilda és un raig de sol.
III
Després del pecat tant gran
ell resta boca-terrosa.
Riquilda és timbes avall,
Montserrat és nèt de boira.
Fra Garí veu els abims
i les cames li tremolen.
Si prova de redreçâ-s
cau de mans una altra volta.
Joan Garí ja no és un sant,
Joan Garí ja no és un home,
que és una fera dels camps
que per Montserrat pastora.
IV

33. Al cap d’anys de terrejar
sent una veu d’ignocencia:
«Aixeca-t, Joan Garí:
la teva sort és complerta:
ja pots alçâ ls ulls al cel,
que ja ls tens prou plens de terra.»
Joan Garí s’alça de mans
com un ós quan se redreça.
EL COMTE ARNAU
I
Els timbals de l’orgia ofenen l’aire
de l’hora matinal, que encara guarda
les quietuts de l’aire de la nit.
I surt dalt de cavall el comte Arnau,
que porta la capa blanca
i va a veure a l’abadessa
del convent de Sant Joan.
Els pastors, per les montanyes,
tots de lluny guaiten com passa;
els pagesos tots tremolen…
«És el comte Arnau!»
II

34. Adalaisa, l’abadessa,
l’espera mig desmaiada.
Ell travessa la capella
am la barba escabellada
de l’orgia de la nit.
Passa, i la deixa tota profanada…
I entra rialler en la cambra d’Adalaisa.
Adalaisa mig-riu i està contenta;
té la cara carnosa i molt afable,
i un xic de sota-barba arrodonida,
i un clot a cada galta.
III

35. —Treu-te la capa,—li demana ella.—
Treu-te la capa, que t veuré més gran.
—Treu-te tu l manto, que t veuré més bella.
—No, que só l’abadessa de Sant Joan.—
Canta una alosa de la part de fòra,
per la finestra entra l sol brillant,
el cel és blau i resplendenta l’hora:
el comte i l’abadessa s van mirant.
—Treu-te tu l manto, que t veuré més bella:
sense toca t voldria i sense vel.
—De genolls jo t voldria en la capella:
tant gloriós, faries goig al cel.
—Prô a mi l cel no m fa goig més que si l miro
desde la terra sobre meu obert:
me plau trobar-lo, quan els ulls hi giro,
buid i silenciós com un desert.
El cel és el repòs de la mirada,
i és el repòs del braç i el pensament;
per xò, ajegut a terra, el cel m’agrada
i m’adormo mirant-lo fixament.
—Altre cel és per mi la tenebrosa
capella ont un altar brilla tot sol:
el còs humiliat sobre una llosa,
l’ànima deslliurada aixeca l vol.
I de la terra i d’aquest món s’oblida,
sospirant per la mort que ha de venir.
—En tos llavis groixuts, de mort al dir,
com hi oneja suaument la vida!
—Més, són fang. Quan per sempre s’hauran clos,
vindran els cucs i sen faran pastura.
Vull amagrî ls meus llavis i el meu còs
per fer-me tornar l’ànima més pura.—
Canta una alosa de la part de fòra,
lfit tllbillt

36. per la finestra entra l sol brillant,
el cel és blau i resplendenta l’hora:
el comte i l’abadessa s van mirant.
—Adalaisa, tu que ets tant vividora
i que ls ulls els tens plens de voluntat,
i aquesta avida boca prenedora,
i en els teus aires tanta majestat,
com és que ara malparles de la vida,
per la que estas tant fortament armada?
No t’escau la mirada esmortuida
sota l’arc de la cella ben poblada.
Escaurà bé a tes palides germanes,
tristos còssos per sempre immaternals:
per elles són les fantasies vanes
de vagues resplendors celestials.
Però tu, performada criatura,
delicia de la terra, torna al món!
Romp el cordó que injuria ta cintura!
Arrenca-t, Adalaisa, els vels del front!—
I avança Arnau hermosament; prô s gira
airosa ella an el Sant Cristo nu,
i, signant-lo an el comte, li diu:—Mira:
aquest encara és més hermós que tu!—
Canta una alosa de la part de fòra,
per la finestra entra l sol brillant,
el cel és blau i resplendenta l’hora:
el comte i l’abadessa s van mirant.
IV

37. Totes les veus de la terra
criden contra l comte Arnau
perquè, volent a Adalaisa,
séns ella se n’ha tornat.
«Fill de la terra,—fill de la terra,
comte l’Arnau:
per una imatge
t’has deturat,
per un cadavre,
tu que n fas tants!»
«Com el Sant Cristo—no n’he fet cap.»
«Què té l Sant Cristo?—Què té l Sant Cristo,
comte l’Arnau?
És fusta morta:—no pot brotar.»
«Ai, sí, que brota!—Ai, sí, que brota!
Valga-m Déu val!
Quina mirada—ella li ha dat!»
«Quina mirada,—quina mirada,
comte l’Arnau,
quina mirada—deu havê estat!»
Ell vol esclafir la rialla,
fa un gran crit i arrenca l plor.
Al rugit del plor que arrenca
clamorós el comte Arnau,
totes les veus de la terra
se dispersen udolant.
V

38. Nit!… Tota l’hermosura d’Adalaisa
jeu adormida als peus del Cristo nu.
Arnau segueix pacient un camí negre
per dins de les montanyes silencioses.
Per damunt de la volta hi passa un riu
una estona… Després se perd i calla…
L’Arnau de sota terra surt al porxo.
Va cercant a Adalaisa entre les celdes
i la veu que adormia sa hermosura
tota ajeguda als peus del Cristo nu,
sense vels, sense toca, sense manto,
séns gesto ni defensa… Allí, adormida.
Té una gran cabellera molt frondosa.
«Quins cabells més sedosos, Adalaisa!»,
pensa Arnau. Però calla i se la mira.
Ella dorm, ella dorm, i a poc a poc
se li amoroseix tota la cara
com reflectant el pas serè d’un somni,
fins que mig-riu molt dolçament. Li vola
una estona l somrís entorn dels llavis.
«Quins llavis amorosos, Adalaisa!»,
pensa Arnau. Però calla i se la mira.
Un gran sospir travessa l dormir d’ella
com onada del mar, i s’aquieta.
«Quin pit sospirador tens, Adalaisa!»,
pensa Arnau. Però calla i se la mira.
Més quan ella obre ls ulls, ell desencanta-s,
la pren amb un braçat i se l’emporta.
Quan surten a camp ras se fa de dia.
VI

39. Totes les veus de la terra
aclamen al comte Arnau
perquè de la fosca prova
ha sortit tant triomfant:
«Fill de la terra,—fill de la terra,
comte l’Arnau,
ara demana,—ara demana:
què no podras?
—Viure, viure, viure sempre:
no voldria morir mai;
ser com roure que s’arrela
i obre la copa en l’espai.
—Els roures viuen i viuen,
prô també compten els anys.
—Doncs, vull ser la roca immobil
entre sols i temporals.
—La roca viu sense viure,
que res la penetra mai.
—Doncs, la mar somovedora
que a tot s’obre i dóna pas.
—La mar s’està tota sola,
i tu vas acompanyat.
—Doncs, ser l’aire quan l’inflama
la llum del sol immortal.
—Prô l’aire ni l sol no estimen
ni senten l’eternitat.
—Doncs, ser home sobre-home,
ser la terra palpitant.
—Seras roure, seras penya,
seras mar esvalotat,
seras aire que s’inflama,

40. q ,
seras astre rutilant,
seras home sobre-home,
perquè n tens la voluntat.
Correras per monts i planes,
per la terra, que és tant gran,
muntat en cavall de flames
que no set cançarà mai.
El teu pas farà basarda
com el pas del temporal.
Totes les veus de la terra
cridaran al teu voltant.
Te diran ànima en pena
com si fossis condemnat.»
VII

41. «Tota la nit l’he cridada
i encara no ha obert els ulls.
No ls obris ara, Adalaisa,
que l mig-dia no és per tu.
El mig-dia no és per tu,
de cara al cel en mos braços.
Nit i dia i tot per mi,
que miro al dret dels meus passos!
Tu desclouras les parpelles
quan el cel s’haurà enfosquit.»
…
Al punt de la mitja nit
Adalaisa obre ls ulls a les estrelles.
«Arnau, que m puges al cel?
—El nostre cel és la terra.
—Ont anem, Arnau?—Pel món.
—Prô jo miraré al cel sempre.
—Jo l miraré en els teus ulls
cada nit quan te despertis.
—Jo am mos ulls t’alçaré al cel.
—La carga del teu còs m’aferma a terra.
—Mos ulls faran lleu mon còs.
—Tota tu ets d’eterna dura.
—Els meus ulls són cel en flor.
—I el teu còs fruita madura!»
VIII

42. El comte Arnau no s lleva,
tampoc no sen va al llit,
que corre i corre sempre,
i sempre am més dalit.
No segueix nord ni via,
que va d’ençà i enllà.
Arreu on passa, mira:
no s cança de mirar.
No hi ha res que l deturi,
que corre com el vent:
si algun destorb l’afronta,
l’abat d’un cop rient.
Per xò va deixant rastre
de plors i de renecs;
prô ls seus grans crits de «juli!»
ofeguen clams i precs.
IX

43. Aquella nit els ulls de l’Adalaisa
se van omplir d’una pietat tant gran
que l comte Arnau s’hi va encisâ una estona,
oblidat dels seus passos. Aviat
va sentir no tocar de peus en terra.
Quin esglai! Va llençâ un gran crit d’esglai.
Totes les veus de la terra—s’hi van arremolinar;
prô desseguida
l’infant pesà en el ventre d’Adalaisa
i els va tornâ a la terra. I digué Arnau:
«Com s’ha espessit ta figura!
La boca t surt enfòra avida i dura:
demana per l’infant.
S’ha desformat ta cintura
i el teu esguart al cel és menys brillant.
Ja t lliguen a la terra prou forts llaços…
Doncs en la terra t deixo… I, ara, adéu.
—Arnau, si jo era teva, no eres meu?
—Jo soc sols dels meus braços i els meus passos.»
X
A punta de dematí,
les monges del monestî,
que dies ha l’havien soterrada,
varen trobâ a la morta fòra l sot,
que tomava la rosada.
L’ESTIMADA DE DON JAUME
I

44. Don Jaume té una estimada
que ben jove l va emprendar.
L’estimada de Don Jaume,
una terra sobre l mar.
No més de sentir parlar-ne
ja n va quedâ enamorat.
Diu als barons que l’ajudin,
que la vol anâ a cercar.
Mentre ls barons treuen comptes
Don Jaume va a mirâ al mar.
De tant mirar-hi i mirar-hi
en surt un estol de naus,
en surt un estol de veles
que tot el mar n’era blanc.
Don Jaume somriu i hi entra;
l’estol mar endins sen va.
II
A l’hora que l sol va a pondre-s
Mallorca veu l’aimador
que ve dret damunt la barca,
els ulls encesos d’amor.
L’illa s torna tota roja
i el cap del rei nimbat d’or.
Ell, quan posa l peu en terra,
ja sen sent conquistador.
En terra posa la planta
i en el cel l’esguart piadós.
La terra la vol pel cel,
el rei Jaume d’Aragó.
Per xò és alt de més alçada
que no tots els seus barons,
i per xò ls ulls li blavegen,
i per xò té l cap tant ros.
III

45. Tota la nit ha vetllat,
i quan veu l’alba esclarida
alça l’espasa real
boi cridant: Santa Maria!
Tots els cavallers s’aixequen,
més els raca l’embestida.
«Vergonya, barons, vergonya!»,
clama l rei en santa ira;
i com fera celestial
entra al combat i els hi atia.
Fou llavors que ls sarrains,
amb ullada estemordida,
van veure a l’host catalana
com mai ningú més l’ha vista,
i al blanc cavaller Sant Jordi
lluitâ en nostra companyia.
IV
«Mallorca, dó-m menjâ i beure,
que m seran dolços tos fruits.
Ara que t’he fet ben meva,
bé puc gaudir-me de tu.
Que n’és de bona la terra!
Com li escau el cel damunt!
Com més terra, més cel sobre;
com més cel, més quïetut.»
Així a soles se parlava
aquell vespre l rei august,
i entre ls morts de la batalla
s’adormia am sòn segur.
V

46. Sempre més hi ha pensat
en Mallorca cristiana:
ni ls grans amors de Valencia,
ni ls de Murcia, ni cap altre,
li han fet perdre la memoria
de la dolça illa daurada.
«Tinc un regne sobre l mar
com no l té cap rei d’Espanya»,
murmura sovint el rei,
mig-rient i ple d’ufana.
I quan han passat molts anys
i és un vell de barba blanca,
encara li riu als ulls
la conquesta jovençana;
i quan, camí de Poblet,
dins de Valencia finava,
va girâ-s de cara al mar
cercant l’amorosa platja,
i va morir mig-rient,
pensant que se n’hi anava.
LA FI DEN SERRALLONGA

47. —Pare, absoleu-me: só cançat de viure.
—T’escomet a bona hora l cançament.
La teva via s’ha acabat i ets lliure
d’anar-ten al repòs eternalment.
Més, abans d’adormir-te i reposar-te,
cal que t recordis dels teus grans pecats:
tots aquells que jo puga perdonar-te,
també de Déu seran-te perdonats.
—El primer pecat meu és l’orgull, pare:
jo só aquell que he tingut un rei al còs;
mai he pogut sofrir que algú m manara:
fer la llei a tot Déu era l meu goig.
Per xò he tingut tant odi al rei d’Espanya
i li he fet la guerra jo tot sol.
Ell la terra ns ha omplert de gent estranya
i manar-nos-ho tot és lo que vol.
Doncs, jo li he dit: «No m plau!» I, via fòra!,
he anat pel món com m’ha vingut a plaê,
he fet lo que he volgut, lliure a tot’hora,
i no he obeit llei, ni rei, ni re.
I, tant se val!, és una bella cosa
fer tremolâ a tot-hom i estar segû!
Cap respecte en ma via m’ha fet nosa,
mai he abaixat la testa per ningú…
—Més, ara…
—Més, ara, que ja sé que compareixo
en presencia de Déu omnipotent…
—Ten penedeixes?
—Sí, men penedeixo.
—Doncs, sia-t perdonat.
—Amén, amén…
—Quin altre pecat tens?
—La ira, pare.
Quan m’encenc no tinc fre ni aturadô,
me giro contra l món, Déu i sa Mare,
i tot voldria dur-ho a destrucció.
Pare, he estat crudel: moltes vegades
m’he delitat vegent rajar la sang;
he vist alçar-se a mi mans ajuntades

48. i segar-se genolls caient al fang.
I jo me n’he rigut, perquè m plavia,
i, podent perdonar, no he perdonat…
És una cosa dolça i fa alegria
veure un ’nemic als peus ben manillat!
I fer mal! I fer mal! Allò era viure:
destruir sols per gust i per voler,
sentir plorâ a tot-hom i poder riure…
Ser com rei de dolor… És bell, a fe!
—Fill meu! Fill meu! Això és massa malesa;
això és un mal esprit que tens al còs:
encara n parles am la vista encesa,
en foc d’infern!…
—No, no!… Ja ve l repòs.
Doncs, ara que ja sé que compareixo
en presencia de Déu omnipotent…
—Ten penedeixes?
—Sí, men penedeixo.
—Doncs, sia-t perdonat.
—Amén, amén…
—També he tingut enveja i mala bava
per corrompre la gloria dels demés:
allí on jo he conegut que no arribava,
no he volgut que cap altre hi arribés.
D’aquell que m feia ombra o bé respecte,
m’he gaudit fent-ne córrer males veus,
i, tot fingint-li acatament i afecte,
li anava segant l’herba sota ls peus.
De lo que no he entès n’he dit mentida,
dels fets més grans que ls meus n’he dit rampells,
he volgut sols un pes, sols una mida:
la meva: els que n passaven, pobres d’ells!
Rebaixar, rebaixar, fins que s confonga
tot-hom en un mesquí i humil estol,
i al damunt en Joan Sala i Serrallonga,
sent més que tots i governant tot sol.
—Més, ara…
—Més, ara, que ja sé que compareixo
en presencia de Déu omnipotent…
—Ten penedeixes?
Sí d

49. —Sí, men penedeixo.
—Doncs, sia-t perdonat.
—Amén, amén…
—He estat avar: mai he tingut de sobra,
sempre he anat per més al camí ral;
per molt que posseís, sentia-m pobre
i am la por d’anâ a raure a l’hospital.
Ai! La cobdicia no m deixava viure,
era ruí pels altres i per mi:
per un parell de bous, per una lliura,
hauria fet déu hores de camí.
Veure-m dinê apilat m’aconsolava,
més fruir no podia-n altrament
que pensant a quants altres els mancava
allò que era per mi un bon passament.
«Això és ben meu,—pensava;—això no falla:
els altres, si miseria o fam vingués,
que s pengin!» I, llavores, ni una malla
hauria dat a un pobre que passés.
—Més, ara…
—Més, ara, que ja sé que compareixo
en presencia de Déu omnipotent…
—Ten penedeixes?
—Sí, men penedeixo.
—Doncs, sia-t perdonat.
—Amén, amén…
—La peresa, la gola i la luxuria
ben cert que foren mos pecats més xics;
prô algun cop m’ha plagut deixar la furia
dels combats, lluny d’amics i d’enemics.
Me n’anava a fer cap a la masia
oblidada en el fons d’alguna vall,
i m’entaulava en bona companyia,
menyspreant tota lluita i tot treball.
Llavores jo men reia de la guerra
i dels meus que s batien, cap-cigranys!,
i tant se men donava que la terra
la manessin els propris o ls estranys.
Ben menjat, ben begut, plavia-m jeure
abonaombraperferlamigdiada

50. Welcome to our website – the ideal destination for book lovers and
knowledge seekers. With a mission to inspire endlessly, we offer a
vast collection of books, ranging from classic literary works to
specialized publications, self-development books, and children's
literature. Each book is a new journey of discovery, expanding
knowledge and enriching the soul of the reade
Our website is not just a platform for buying books, but a bridge
connecting readers to the timeless values of culture and wisdom. With
an elegant, user-friendly interface and an intelligent search system,
we are committed to providing a quick and convenient shopping
experience. Additionally, our special promotions and home delivery
services ensure that you save time and fully enjoy the joy of reading.
Let us accompany you on the journey of exploring knowledge and
personal growth!
ebookultra.com