MEMORIA DRAM

eugeniamabel 28,122 views 10 slides Oct 24, 2011
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MEMORIA RAMMEMORIA RAM
RAM proviene de ("Read
Aleatory Memory") ó
memoria de lectura
aleatoria: es un
dispositivo electrónico
que se encarga de
almacenar datos e
instrucciones de manera
temporal, de ahí el
término de memoria de
tipo volátil ya que pierde
los datos almacenados
una vez apagado el
equipo; pero a cambio
tiene una muy alta
velocidad para realizar la
transmisión de la
información.
 
En la memoria RAM se carga parte del
sistema operativo (Linux Ubuntu, Apple®
MacOS, Microsoft® Windows 7, etc.), 
los programas como (Office, Winzip®,
Nero®, etc.), instrucciones desde el
teclado, memoria para desplegar el video
y opcionalmente una copia del contenido
de la memoria ROM.
 
Figura 1. Memoria RAM tipo
DDR, marca Kingston®, modelo
KVR266, capacidad 128 MB, bus
266 MHz

Los principales tipos de memorias RAM utilizadas en nuestras PCs
se dividen en: DRAM, SRAM Y TAG RAM.
A continuación desarrollaremos la memoria DRAM.
MEMORIA DRAM :
DRAM (Dynamic Random Access Memory) es un tipo de memoria
dinámica de acceso aleatorio que se usa principalmente en los
módulos de memoria RAM y en otros dispositivos, como
memoria principal del sistema.

Características de la memoria DRAM:
Es dinámica, ya que para mantener almacenado un dato,
se requiere revisar el mismo y recargarlo, cada cierto
período, en un ciclo de refresco.
Su principal ventaja es la posibilidad de construir
memorias con una gran densidad de posiciones y que
todavía funcionen a una velocidad alta: en la actualidad
se fabrican integrados con millones de posiciones y
velocidades de acceso medidos en millones de bit por
segundo.
 Es una memoria volátil, es decir cuando no hay
alimentación eléctrica, la memoria no guarda la
información. Inventada a finales de los sesenta, es una
de las memorias más usadas en la actualidad.

La implementación DRAM se basa en una topología de
Circuito eléctrico que permite alcanzar densidades altas
de memoria por cantidad de transistores, logrando
integrados de decenas o cientos de Megabits. Además de
DRAM, los módulos poseen un integrado que permiten la
identificación de los mismos ante el computador por medio
del protocolo de comunicación SPD.
Descripción de la arquitectura:

Reinvención de la memoria DRAM:
Para 1973 Intel y otros fabricantes construían y empacaban sus
integrados de memoria DRAM empleando un esquema en el que se
aumentaba un pin por cada vez que se doblaba la capacidad. De
acuerdo a este esquema, un integrado de 64 kilobits tendría 16 pines
solo para las direcciones. Dentro de los costos más importantes para
el fabricante y el ensamblador de circuitos impresos estaba la
cantidad de pines del empaque y en un mercado tan competido era
crucial tener los menores precios. Debido a eso, un integrado con una
capacidad de 16 pines y 4Kb de capacidad fue un producto apreciado
por los usuarios, que encontraban a los integrados de 22 pines,
ofrecidos por Intel y Texas Instruments como insumos costosos.
El lanzamiento de la memoria MK4096 de 4K, con un solo transistor
por celda y con direccionamiento multiplexado resultó del trabajo de
Robert Proebsting.

El aumento en la velocidad de los procesadores y el aumento en el
ancho de banda requerido, dejaron rezagadas a las memorias
DRAM , de manera que se realizaron una serie de mejoras en el
direccionamiento como las siguientes:
 FPM-RAM
Memoria muy popular,
ya que era la que se
incluía en los antiguos
386, 486 y primeros
Pentium. Alcanza
velocidades de hasta 60
ns. Se encuentra en los
SIMM de 30 contactos
y los posteriores de 72.
 BEDO-RAM
Era un tipo de memoria que
usaba generadores internos de
direcciones y accedía a más de
una posición de memoria en cada
ciclo de reloj, de manera que
lograba un desempeño un 50%
mejor que la EDO. Nunca salió
al mercado, dado que Intel y
otros fabricantes se decidieron
por esquemas de memoria
sincrónicos que si bien tenían
mucho del direccionamiento
MOSTEK, agregan
funcionalidades distintas como
señales de reloj.

 EDO-RAM:
Lanzada en 1995 y con tiempos de accesos
de 40 o 30 ns suponía una mejora sobre su
antecesora la FPM. La EDO, también es
capaz de enviar direcciones contiguas pero
direcciona la columna que va utilizar
mientras que se lee la información de la
columna anterior, dando como resultado una
eliminación de estados de espera,
manteniendo activo el búffer de salida
hasta que comienza el próximo ciclo de
lectura.
SDRAM:
Tecnología DRAM que utiliza un reloj para sincronizar con el
microprocesador la entrada y salida de datos en la memoria de un
chip. Se ha utilizado en las memorias comerciales como SIMM,
DIMM, y actualmente la familia de  memorias DDR (DDR, DDR2,
DDR3, DDR4, GDDR, etc.), entran en esta clasificación.
Módulos formato SIMM de
30 y 72 pines, los últimos
fueron utilizados con
integrados tipo EDO-RAM.

MARCAS DE FABRICANTES Y PRECIOS DE
VENTAS ACTUALES :
MEMORIA SDRAMMEMORIA SDRAM

TECNOLOGÍA DUAL CHANNELTECNOLOGÍA DUAL CHANNEL
Definición: Definición: Doble canal (en
inglés: Dual Channel) es una
tecnología para memorias
aplicada en las computadoras u
ordenadores personales, la cual
permite el incremento del
rendimiento gracias al acceso
simultáneo a dos módulos
distintos de memoria
(haciéndolo a bloques de 128
bits, en lugar de los 64 bits
tradicionales desde el inicio de
la era Pentium en 1993).
Módulos de memoria instalados de
256 MB cada uno en un sistema
con doble canal.

Para que la computadora pueda funcionar en Dual Channel, se debe
tener dos módulos de memoria de la misma capacidad, velocidad y
tipo DDR, DDR2 o DDR3 (ya que no es posible usarlo en SDR) en los
zócalos correspondientes de la placa base, y el chipset de la placa
base debe soportar dicha tecnología. Es recomendable que los
módulos de memoria sean idénticos (mismas frecuencia, latencias y
fabricante), ya que en caso de que sean distintos puede que no
funcionen (en casos esporádicos). Actualmente, es posible utilizar
esta tecnología en memorias DDR, DDR2, y DDR3 cuyas velocidades
estén comprendidas en el rango de las denominaciones comerciales
DDR-266 y DDR3-2000 nominales (entre 133 y 1000 MHz reales, o
entre 7,5 y 2 ns).
En la actualidad el doble canal comienza a ser desplazado por el uso
de canales triples con el advenimiento de la memoria DDR3 y la
arquitectura de los procesadores i7 Intel.
¿EN QUÉ CONSISTE LA TECNOLOGÍA ¿EN QUÉ CONSISTE LA TECNOLOGÍA
DEDE DUAL DUAL CHANNELCHANNEL ?
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