Transistor TBJ, características e gráficos

Transistor TBJ, características e fórmulas

1. NP202 : Eletrônica Analógica I
-
1º Semestre de 2013
Prof. Pedro Sergio Monti e Prof. João Scudeler Neto
4 –TRANSISTOR -TBJ
4.2.1 –Polarização Fixa
Reta de Carga
Deslocamentodopontode
operaçãocomavariaçãodeI
B,
paraV
CC
eR
C
constantes.
Ponto Q
Ponto Q
Ponto Q
Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky
Electronic Devices and Circuit Theory, 8e

2. NP202 : Eletrônica Analógica I
-
1º Semestre de 2013
Prof. Pedro Sergio Monti e Prof. João Scudeler Neto
4 –TRANSISTOR -TBJ
4.2.1 –Polarização Fixa
Reta de Carga
Deslocamentodopontode
operaçãocomavariaçãodeI
C,
paraV
CC
eI
B
constantes.
Ponto Q
Ponto Q
Ponto Q
Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky
Electronic Devices and Circuit Theory, 8e

3. NP202 : Eletrônica Analógica I
-
1º Semestre de 2013
Prof. Pedro Sergio Monti e Prof. João Scudeler Neto
4 –TRANSISTOR -TBJ
4.2.1 –Polarização Fixa
Reta de Carga
Deslocamentodopontode
operaçãocomavariaçãode
V
CC,
paraI
B
eR
C
constantes.
Ponto Q
Ponto Q
Ponto Q
Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky
Electronic Devices and Circuit Theory, 8e

4. NP202 : Eletrônica Analógica I
-
1º Semestre de 2013
Prof. Pedro Sergio Monti e Prof. João Scudeler Neto
4 –TRANSISTOR -TBJ
4.2.1 –Polarização Fixa
Exemplo4.3:Dadaaretadecargaabaixoeopontodeoperação
especificado,determineosvaloresnecessáriosdeV
CC
,R
C
eR
B
.
Ponto Q
Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky
Electronic Devices and Circuit Theory, 8e
Respostas
V
CC
[V] 20
R
C
[kΩ] 2
R
B
[kΩ] 772

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4 –TRANSISTOR -TBJ
4.2.2 –Polarização Emissor Estabilizado
Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky
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4 –TRANSISTOR -TBJ
4.2.2 –Polarização Emissor Estabilizado
EEBEBBCC
RIVRIV 
BE II )1(

EB
BECC
B
RR
VV
I
1



Ei
RR 1
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I
C
I
C
I
B

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4 –TRANSISTOR -TBJ
4.2.2 –Polarização Emissor Estabilizado
EECECCCC
RIVRIV 
 
ECCCCCE
RRIVV 
CCCCC
RIVV 
ECEC
VVV 
BBCCB
RIVV 
EEBEB RIVV 
Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky
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I
C
I
B

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4 –TRANSISTOR -TBJ
4.2.2 –Polarização Emissor Estabilizado
Exemplo4.4:Dadoocircuitoabaixo,determine:
a)I
B
b)I
C
c)V
CE
d)V
C
e)V
E
f)V
B
g)V
BC
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Respostas
I
B
[μA]40,1
I
C
[mA]2,01
V
CE
[V]13,97
V
C
[V]15,98
V
E
[V]2,01
V
B
[V]2,71
V
CB
[V]13,27

9. NP202 : Eletrônica Analógica I
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4.2.2 –Polarização Emissor Estabilizado
Exemplo4.5:Preenchaastabelasabaixo,paraoscircuitosdasfiguras
(a)e(b).Compareosresultados,considerandoasvariaçõesindividuaisno
pontodeoperação,emfunçãodavariaçãodo β.
β I
B
(µA)I
C
(mA)V
CE
(V)
5047,082,356,83
10047,084,711,64
β I
B
(µA)I
C
(mA)V
CE
(V)
5040,12,0113,97
10036,33,639,11
(a) (b)
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4 –TRANSISTOR -TBJ
4.2.2 –Polarização Emissor Estabilizado
Exemplo4.6:Determineacorrentedesaturaçãoparaocircuitodo
exemplo4.4.
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Electronic Devices and Circuit Theory, 8e
Respostas
I
Csat
[mA]6,67

11. NP202 : Eletrônica Analógica I
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4 –TRANSISTOR -TBJ
4.2.2 –Polarização Emissor Estabilizado
Reta de Carga
Ponto Q
0
C
ICCCEVV
0


CE
V
EC
CC
C
RR
V
I
V
CEQ
I
CQ
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12. NP202 : Eletrônica Analógica I
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4 –TRANSISTOR -TBJ
4.2.3 –Polarização por Divisor de Tensão
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13. NP202 : Eletrônica Analógica I
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4 –TRANSISTOR -TBJ
4.2.3 –Polarização por Divisor de Tensão
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Electronic Devices and Circuit Theory, 8e
Opontodeoperaçãodefinido
porI
CQ
eV
CEQ
poderá
permanecerfixo,seforem
empregadosparâmetrosde
circuitoapropriados.
Napolarizaçãopordivisorde
tensão,opontodeoperaçãoé
maisestávelemrelaçãoàs
variaçõesdeβ.
OvalordeI
BQ
éajustadoem
funçãodasvariaçõesdeβ.
Ponto Q I
BQ
resultante

14. NP202 : Eletrônica Analógica I
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4 –TRANSISTOR -TBJ
4.2.3 –Polarização por Divisor de Tensão
Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky
Electronic Devices and Circuit Theory, 8e
CCRTh V
RR
R
VE
21
2
2


21
21
RR
RR
R
Th



ETh
BETh
B
RR
VE
I
1


 
ECCCCCE
RRIVV 
I
C
I
C
I
1
I
B
I
2

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4 –TRANSISTOR -TBJ
4.2.3 –Polarização por Divisor de Tensão
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Electronic Devices and Circuit Theory, 8e
Exemplo4.7:Determineascorrentes
I
B
eI
C
eatensãoV
CE
parao
circuitoabaixo:
Respostas
I
B
[μA]6,05
I
C
[mA]0,85
V
CE
[V]12,22
I
B

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4.2.3 –Polarização por Divisor de Tensão
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Exemplo4.9:Repitaaanálisedocircuitodoexemplo4.7com β=70e
compareosresultados.
βI
BQ
(μA)I
CQ
(mA)V
CEQ
(V)
1406,050,8512,22
7011,810,8312,46

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4.2.3 –Polarização por Divisor de Tensão
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Análise Aproximada

EEi
RRR   1
210RR
E
CCB V
RR
R
V
21
2


 
ECCCCCE RRIVV 
BEBE
VVV 
E
E
E
R
V
I
EC
II

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4 –TRANSISTOR -TBJ
4.2.3 –Polarização por Divisor de Tensão
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Electronic Devices and Circuit Theory, 8e
Exemplo4.8:Verifiqueseépossívelautilizaçãodométodoaproximado
paranaanálisedocircuitodoexemplo4.7.Sepossível,refaçaaanálisee
compareosresultados.
TécnicaI
BQ
(μA)I
CQ
(mA)V
CEQ
(V)
Exata6,050,8512,22
Aproximada6,150,86112,1

19. NP202 : Eletrônica Analógica I
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4 –TRANSISTOR -TBJ
4.2.3 –Polarização por Divisor de Tensão
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Electronic Devices and Circuit Theory, 8e
Exemplo4.10:DetermineosvaloresdeV
CEQ
eI
CQ
paraocircuitoabaixo,
utilizandoastécnicasexataeaproximadaecompareosresultados.
Justifiquesehouverdiscrepâncianosresultadoencontrados.
TécnicaI
CQ
(mA)V
CEQ
(V)
Exata1,984,54
Aproximada2,590,388

20. NP202 : Eletrônica Analógica I
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4.2.3 –Polarização por Divisor de Tensão
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Electronic Devices and Circuit Theory, 8e
Exemplo4.27:DetermineV
B
,V
E
,I
E
eV
CE
paraocircuitoabaixo.
Respostas
V
B
[V]-3,16
V
E
[V]-2,46
I
E
[mA]2,24
V
CE
[V]-10,16