Transistor Tip 41 C

1. TRANSISTOR

MARGARITA ROSA CUADRADO MONROY
COD 1047395827
EDICSSON FERNANDO REYES
COD 1118537019
FERNANDO MENDIETA
COD 8903127345

ING.JULIO CESAR OSPINO

ELECTRÓNICA II

UNIVERSIDAD DE PAMPLONA
FACULTAD DE INGENERÍAS Y ARQUITECTURA
INGENERÍA ELECTRÓNICA
PAMPLONA
2009

2. OBJETIVOS

Analizar las características de funcionamiento de transistor
TIP41c
Tener en cuenta la características básicas del transistor el cual en
nuestro caso es el TIP41c
Aprender a medir las ganancias de voltaje y de corriente del
circuito.
Poner en práctica los conceptos vistos, para que el transistor
funcione correctamente.

3. MARCO TEÓRICO

Un transistor (la contracción de transfer resistor, transferencia de resistencia)
es un dispositivo semiconductor con tres terminales utilizado como
amplificador e interruptor en el que una pequeña corriente o tensión aplicada a
uno de los terminales controla o modula la corriente entre los otros dos
terminales. Es el componente fundamental de la moderna electrónica, tanto
digital como analógica. En los circuitos digitales se usan como interruptores, y
disposiciones especiales de transistores configuran las puertas lógicas,
memorias RAM y otros dispositivos; en los circuitos analógicos se usan
principalmente como amplificadores [1].
Condiciones de funcionamiento
Las condiciones normales de funcionamiento de un transistor NPN se dan
cuando el diodo B-E se encuentra polarizado en directa y el diodo B-C se
encuentra polarizado en inversa. En esta situación gran parte de los electrones
que fluyen del emisor a la base consiguen atravesar ésta, debido a su poco
grosor y débil dopado, y llegar al colector.
El transistor posee tres zonas de funcionamiento:
1. Zona de saturación: El diodo colector está polarizado directamente y
es transistor se comporta como una pequeña resistencia. En esta zona un
aumento adicionar de la corriente de base no provoca un aumento de la
corriente de colector, ésta depende exclusivamente de la tensión entre
emisor y colector. El transistor se asemeja en su circuito emisor-
colector a un interruptor cerrado.

4. 2. Zona activa: En este intervalo el transistor se comporta como una
fuente de corriente, determinada por la corriente de base. A pequeños
aumentos de la corriente de base corresponden grandes aumentos de la
corriente de colector, de forma casi independiente de la tensión entre
emisor y colector. Para trabajar en esta zona el diodo B-E ha de estar
polarizado en directa, mientras que el diodo B-C, ha de estar polarizado
en inversa.
3. Zona de corte: El hecho de hacer nula la corriente de base, es
equivalente a mantener el circuito base emisor abierto, en estas
circunstancias la corriente de colector es prácticamente nula y por ello
se puede considerar el transistor en su circuito C-E como un interruptor
abierto.
Los transistores se usan en su zona activa cuando se emplean como
amplificadores de señales. Las zonas de corte y saturación son útiles en
circuitos digitales [2].
Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el
diseño de circuitos electrónicos de reducido tamaño, gran versatilidad y
facilidad de control.
Vienen a sustituir a las antiguas válvulas termoiónicas de hace unas décadas.
Gracias a ellos fue posible la construcción de receptores de radio portátiles
llamados comúnmente "transistores", televisores que se encendían en un par
de segundos, televisores en color... Antes de aparecer los transistores, los
aparatos a válvulas tenían que trabajar con tensiones bastante altas, tardaban
más de 30 segundos en empezar a funcionar, y en ningún caso podían
funcionar a pilas, debido al gran consumo que tenían.

5. Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran:
Amplificación de todo tipo (radio, televisión, instrumentación)
Generación de señal (osciladores, generadores de ondas, emisión de
radiofrecuencia)
Conmutación, actuando de interruptores (control de relés, fuentes de
alimentación conmutadas, control de lámparas, modulación por anchura
de impulsos PWM) [3].

6. PREDISEÑO


ANÁLISIS DE RESULTADOS

Para realizar el diseño de este amplificador nos basamos en ciertos
parámetros que dio el profesor para que nos permitieran estimar los
diferentes valores para los componentes que fueron parte de este
montaje.
CALCULO DE DATOS
LOS DATOS TOMADOS EN DC
Vce Vbe Vbc Ib Ic Ie
6.22V 0.64V -5.62V 71.5µA 2.88mA 2.95mA


PARÁMETROS A TENER ENCUENTA PARA EL DISEÑO

7. Vcc=15v VBE=0.7v
= 8
ICQ= 3mA
VCEQ= 6V
VE= 4V
βDC = 30 = βAC
hOE=0
Vspmax=0,75V
VBE=0,7V
RL8.2K

TEÓRICO
ANÁLISIS ESTIMADO EN DC

C5, C0, y CE circuito abiertos

8. IC=βIB → IB = = = 100uA
IE= (β + 1) IB = (30 + 1)(100*) = 3.1mA
LEY DE OHMN
V=IR= RE==
RE =1,29KΩ
Malla II
-VccIcRcVCEIERE= 0
ICRC= Vcc -VCE - IERE
RC= =
RC=1.66k
VB E= VB E
VB = VB E E= 0,7+4V
VB=4,77V
R2 ≤
R2 ≤
R2 ≤ 3,87K

DIV
VB =
VB =
VB R1 VB R2=R2Vcc

9. VB R1
R1=
R1=8,48K
ANÁLISIS ESTIMADO EN AC


VALOR PRÁCTICO
Vce 11.05V
Ve 5.2V
Ib 20.28uA
Ic 3.75mA
βAC

28.99

VT=8,6x 10
-5
K=18
0

r
r
r0= ∞ ABIERTO
r0= = ∞
=

RE1= 109.00Ω

10. RE=RE1RE2
RE2=RERE1
RE2=1.29 Ω = 1.11k
RE2= 1.11k
Ri=
RB=RTh=2,6572k
r RE1=5,67k
Ri=
Ri=1,809k
R0 =
I0=Irc
R0=
R0=
Calculo de capacitores
Req= Rs+[(R1+R2)║[r ]
[r ]=5.6k
R1║R2= 2,6572k Rs=50
Entonces
Req= =1,85k
1Hz (2 )=
Fcs=

11. Fcs
Cs=86µF µF
Fco=
Req2=Rc + RL
Req2=9,86k
1Hz(9,86k)(2)=
C0=16.14 µF
C0=20µF
Fce=
Req3=RE1+R2 )ǁ RE2
Req3=175k+88,6k RE2= 212.98
17Hz (2 ) = µF
µF

12. LISTA DE MATERIALES

No MATERIALES CARACTERISTICAS
1 transistor tip41c
1 fuente dc
Resistencias
1 Protoboard
1 osciloscopio
1 generador de
señales

capacitores varios
1 tester

13. CONCLUSIONES

 Para realizar el diseño propio del amplificador fue importante
hacer énfasis en verificar que este trabaje en la región activa,
también hay que tener en cuenta las especificaciones o
características del fabricante de tal manera que el diseño fije los
parámetros acordados por el profesor.
 Además el transistor TIP41C es un amplificador de potencia
 Se investigo el transistor TIP41C entendiéndolo como un BJT de
tipo NPN con ganancia de 30, si estos datos no son correctos la
estimación teórica de dc no se lograría.

14. REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS

[1]http://enciclopedia.us.es/index.php/Transistor#Transistores_bipolares
[2] Curso de Electrónica Básica. Universidad del País Vasco.
[3]http://www.planetaelectronico.com/cursillo/tema2/tema2.6.html


BIBLIOGRAFÍA

http://enciclopedia.us.es/index.php/Transistor#Transistores_bipolares
Curso de Electrónica Básica. Universidad del País Vasco.
http://www.planetaelectronico.com/cursillo/tema2/tema2.6.html