Transistor UJT

Presentacion acerca del transistor UJT

1. Dispositivo ujt ( UniJuntion Transistor) Equipo 3 Grupo:601 Ingeniero: Maciel Chávez juan Martin Integrantes: González Ramírez Juan Daniel - Robledo Zavala Alexis Yovany Hernández Daniel 04/05/2018 UJT 2N2646 UJT 2N4870

2. Índice ¿Qué es un UJT? Características especiales del UJT Construcción del UJT Características del UJT en base a la curva Operación del UJT Funcionamiento del UJT Regiones del UJT R. de corte R. resistencia negativa R. de saturación Aplicación del UJT 04/05/2018

3. Introducción: ¿Qué es o como se compone? El UJT también puede ser llamado: transistor uniunión  o transistor unijuntura , (en inglés UJT:  UniJuntion Transistor )  y es un tipo de transistor que contiene dos zonas semiconductoras. Tiene tres terminales denominados emisor (E), base uno (B1) y base dos (B2). Está formado por una barra semiconductora tipo N, entre los terminales B1-B2, en la que se difunde una región tipo P+, el emisor, en algún punto a lo largo de la barra, lo que determina el valor del parámetro η, standoff ratio, conocido como razón de resistencias o factor intrínseco. 04/05/2018

4. Características ESPECIALES del ujt Este es un dispositivo de conmutación del tipo ruptura y puede provocar grandes tistores con un pulso en B1. Sus características lo hacen muy útil en muchos circuitos industriales, incluyendo temporizadores, osciladores, generadores de onda, y màs importante aún, en circuitos de control de puerta para SCR y TRIACs . Es un dispositivo semiconductor unipolar, con un funcionamiento diferente al de otros dispositivos. Buen dispositivo de disparo. Esta constituido por dos regiones contaminadas con tres terminales externos: dos bases y un emisor . El emisor esta fuertemente dopado con impurezas P y la región N débilmente dopado con N. Por ello, la resistencia entre las dos bases, RBB o resistencia Interbase, es elevada (de 5 a 10KΩ estando el emisor abierto). 04/05/2018

5. Construcción del ujt Consiste en una placa de material ligeramente dopado de silicio tipo-n. Los dos contactos de base se unen a los extremos de esta superficie tipo n. Estos se indican como B1 y B2 respectivamente. Un material de tipo p se utiliza para formar una juntura p-n en el límite de la varilla de aluminio y la placa de silicio tipo n. El tercer terminal llamado emisor (E) se hace a partir de este material tipo-p. El tipo n está ligeramente contaminado, mientras que el de tipo p está fuertemente contaminado. Como el tipo n está ligeramente dopado, ofrece una alta resistencia mientras que el material tipo p, ofrece baja resistividad puesto que está fuertemente contaminado. 04/05/2018

6. Características del ujt EN BASE A LA CURVA Fijándose en la curva característica del UJT se puede notar que cuando el voltaje E-B1 sobrepasa un valor Vp de ruptura, el UJT presenta un fenómeno de modulación de resistencia que: al aumentar la corriente que pasa por el dispositivo, la resistencia de esta baja y por ello, también baja el voltaje en el dispositivo , esta región se llama región de resistencia negativa. Este es un proceso con realimentación positiva, por lo que esta región no es estable, lo que lo hace excelente para conmutar, para: Circuitos de disparo de tiristores Para osciladores de relajación 04/05/2018

7. Características del ujt EN BASE A LA CURVA En la curva se puede apreciar que a medida que aumenta el VE, aumenta la corriente IE hasta un punto máximo IP. Mas allá del punto máximo, la corriente aumenta a medida que disminuye la tensión en la región de resistencia negativa (disminución de la resistencia), hasta que la tensión alcanza un mínimo en el punto valle. La resistencia RB1 o resistencia de saturación es mas bajo en el punto valle. Donde: VP: voltaje de pico o tensión de disparo. IP: corriente de pico (de 20 a 30 µA). VV: voltaje de valle del emisor. IV: corriente de valle el emisor. 04/05/2018

8. operación del ujt El UJT se polariza normalmente según se ve en su curva de polarización. La base B1 se lleva a una tensión positiva (5V≤VBB≤30V). Por la resistencia RB1B2 circula entonces una corriente B2: ; El cátodo del diodo emisor se encuentra a una tensión: El diodo puede presentar una polarización inversa si (Ve) es inferior a ( Vc ) por lo que se presentará una corriente de fuga (Ieb0) muy pequeña. Por otro lado si (Ve) es superior ( Vc ), el diodo queda polarizado directamente y por ende circula una corriente ( Ie ) formada por portadores minoritarios que son depositados en R1.   04/05/2018

9. Funcionamiento del ujt El punto de funcionamiento viene determinado por las características del circuito exterior. El funcionamiento del UJT se basa en el control de la resistencia RB1B2 mediante la tensión aplicada al emisor. Si el emisor no está conectado ó VE < VP ⇒ Diodo polarizado inversamente ⇒ no conduce ⇒ IE = 0. Si VE ≥ VP ⇒ Diodo polarizado directamente ⇒ conduce ⇒ aumenta IE. Cuando IP < IE < IV ⇒ entramos en una zona de resistencia negativa donde RBB varia en función de IE. A partir del punto de funcionamiento, si IE disminuye hasta alcanzar un valor inferior a IV el diodo se polariza inversamente. 04/05/2018

10. regiones del ujt : Región de corte Región de corte: En esta región, la tensión de emisor es baja de forma que la tensión intrínseca mantiene polarizado inversamente el diodo emisor. La corriente de emisor es muy baja y se verifica que VE < VP e IE < IP. Esta tensión de pico en el UJT viene definida por la siguiente ecuación: Donde la VD varia entre 0.35 V a 0.7 V con un valor típico de 0.5 V. El UJT en esta región se comporta como un elemento resistivo lineal entre las dos bases de valor RBB. 04/05/2018

11. regiones del ujt : Región de resistencia negativa Región de resistencia negativa: Si la tensión de emisor es suficiente para polarizar el diodo de emisor, es decir, VE=VP entonces el diodo entra en conducción e inyecta huecos a B1 disminuyendo bruscamente la resistencia R1 debido a procesos de recombinación. Desde el emisor, se observa como el UJT disminuye su resistencia interna con un comportamiento similar a la de una resistencia negativa ( dVE / dIE < 0). En esta región, la corriente de emisor esta comprendida entre la corriente de pico y de valle (IP< IE< IV). 04/05/2018

12. regiones del ujt : Región de saturación Región de saturación: Esta zona es similar a la zona activa de un tiristor con unas corrientes y tensiones de mantenimiento (punto de valle) y una relación lineal de muy baja resistencia entre la tensión y la corriente de emisor. En esta región, la corriente de emisor es mayor que la corriente de valle (IE > IV). Si no se verifica las condiciones del punto de valle, el UJT entrara de forma natural a la región de corte. 04/05/2018

13. Aplicación del ujt : oscilador de relajación Funcionamiento de un oscilador de relajación con UJT Circuito que sirve para generar señales para dispositivos de control de potencia como Tiristores o TRIACs El capacitor se carga hasta llegar al voltaje de disparo del transistor UJT, cuando esto sucede este se descarga a través de la unión E-B1. El capacitor se descarga hasta que llega a un voltaje que se llama de valle ( Vv ) de aproximadamente 2.5 Voltios. Con este voltaje el UJT se apaga (deja de conducir entre E y B1) y el capacitor inicia su carga otra vez. 04/05/2018 Línea verde representa la forma en la que se carga y descarga el capacitor. El gráfico de línea negra representa el voltaje que aparece en el resistor R3 (conectado entre B1 y tierra) cuando el capacitor se descarga.

14. Aplicación del ujt : oscilador de relajación Si se desea variar la frecuencia de oscilación se puede modificar tanto el capacitor C como el resistor R1. R2 y R3 también son importantes para encontrar la frecuencia de oscilación. La frecuencia de oscilación está aproximadamente dada por: F = 1/R1C Es muy importante saber que R1 debe tener valores que deben estar entre límites aceptables para que el circuito pueda oscilar. Estos valores se obtienen con las siguientes fórmulas: R1 máximo = (Vs - Vp ) / Ip ; R1 mínimo = (Vs - Vv ) / Iv 04/05/2018 Línea verde representa la forma en la que se carga y descarga el capacitor. El gráfico de línea negra representa el voltaje que aparece en el resistor R3 (conectado entre B1 y tierra) cuando el capacitor se descarga.

15. Conclusión: Video de aplicación de ujt 04/05/2018 https://www.youtube.com/watch?v=ZOOUofPeSYY

16. bibliografía (APA) 04/05/2018 Alley . (2001). Ingeniería Electrónica. Colombia: Atwood. Boylestad . (2006). Electrónica. Teoría de circuitos. Nashelsky : Electronic. Maloney, T. J. (1983). Electrónica Industrial: Dispositivos y Sistemas. México: Prentice Hall Hispanoamérica. Philips, P. y. (2005). Electricidad y magnetismo clásico. New York, Dover: W. K. H .

17. Gracias por su atención Que tengan un buen día!  04/05/2018