Silicon Heterostructure Devices 1st Ed. Edition John D. Cressler

yanekacercel 0 views 60 slides Mar 19, 2025
Slide 1
Slide 1 of 60
Slide 1
1
Slide 2
2
Slide 3
3
Slide 4
4
Slide 5
5
Slide 6
6
Slide 7
7
Slide 8
8
Slide 9
9
Slide 10
10
Slide 11
11
Slide 12
12
Slide 13
13
Slide 14
14
Slide 15
15
Slide 16
16
Slide 17
17
Slide 18
18
Slide 19
19
Slide 20
20
Slide 21
21
Slide 22
22
Slide 23
23
Slide 24
24
Slide 25
25
Slide 26
26
Slide 27
27
Slide 28
28
Slide 29
29
Slide 30
30
Slide 31
31
Slide 32
32
Slide 33
33
Slide 34
34
Slide 35
35
Slide 36
36
Slide 37
37
Slide 38
38
Slide 39
39
Slide 40
40
Slide 41
41
Slide 42
42
Slide 43
43
Slide 44
44
Slide 45
45
Slide 46
46
Slide 47
47
Slide 48
48
Slide 49
49
Slide 50
50
Slide 51
51
Slide 52
52
Slide 53
53
Slide 54
54
Slide 55
55
Slide 56
56
Slide 57
57
Slide 58
58
Slide 59
59
Slide 60
60

About This Presentation

Silicon Heterostructure Devices 1st Ed. Edition John D. Cressler
Silicon Heterostructure Devices 1st Ed. Edition John D. Cressler
Silicon Heterostructure Devices 1st Ed. Edition John D. Cressler


Slide Content

Visit https://ebookultra.com to download the full version and
explore more ebooks or textbooks
Silicon Heterostructure Devices 1st Ed. Edition
John D. Cressler
_____ Click the link below to download _____
https://ebookultra.com/download/silicon-heterostructure-
devices-1st-ed-edition-john-d-cressler/
Explore and download more ebooks or textbooks at ebookultra.com

Here are some recommended products that we believe you will be
interested in. You can click the link to download.
Silicon Germanium Heterojunction Bipolar Transistors 1st
edition Edition John D. Cressler
https://ebookultra.com/download/silicon-germanium-heterojunction-
bipolar-transistors-1st-edition-edition-john-d-cressler/
Strained Si Heterostructure Field Effect Devices 1st
Edition C.K Maiti
https://ebookultra.com/download/strained-si-heterostructure-field-
effect-devices-1st-edition-c-k-maiti/
Fundamentals of Silicon Carbide Technology Growth
Characterization Devices and Applications 1st Edition
Tsunenobu Kimoto
https://ebookultra.com/download/fundamentals-of-silicon-carbide-
technology-growth-characterization-devices-and-applications-1st-
edition-tsunenobu-kimoto/
Encyclopedia of Medical Devices and Instrumentation 2nd ed
Edition John G. Webster
https://ebookultra.com/download/encyclopedia-of-medical-devices-and-
instrumentation-2nd-ed-edition-john-g-webster/

Medical masterclass nephrology 2nd ed Edition John D Firth
https://ebookultra.com/download/medical-masterclass-nephrology-2nd-ed-
edition-john-d-firth/
Solid State Electronic Devices 2nd Edition D. K.
Bhattacharya
https://ebookultra.com/download/solid-state-electronic-devices-2nd-
edition-d-k-bhattacharya/
ESD In Silicon Integrated Circuits 2nd ed Edition E. Ajith
Amerasekera
https://ebookultra.com/download/esd-in-silicon-integrated-
circuits-2nd-ed-edition-e-ajith-amerasekera/
Reliable design of medical devices 3rd ed Edition Fries
https://ebookultra.com/download/reliable-design-of-medical-
devices-3rd-ed-edition-fries/
Infective Endocarditis Management in the Era of
Intravascular Devices 1st Edition John L. Brusch
https://ebookultra.com/download/infective-endocarditis-management-in-
the-era-of-intravascular-devices-1st-edition-john-l-brusch/

Silicon Heterostructure Devices 1st Ed. Edition John D.
Cressler Digital Instant Download
Author(s): John D. Cressler
ISBN(s): 9781420066906, 1420066900
Edition: 1st Ed.
File Details: PDF, 7.89 MB
Year: 2007
Language: english

Silicon
Heterostructure
Devices
Cressler / Silicon Heterostructure Devices 66900_C000 Final Proof page i 5.11.2007 12:07pm Compositor Name: JGanesan

Cressler / Silicon Heterostructure Devices 66900_C000 Final Proof page ii 5.11.2007 12:07pm Compositor Name: JGanesan

Edited by
John D. Cressler
CRC Press is an imprint of the
Taylor & Francis Group, an informa business
Boca Raton London New York
Silicon
Heterostructure
Devices
Cressler / Silicon Heterostructure Devices 66900_C000 Final Proof page iii 5.11.2007 12:07pm Compositor Name: JGanesan

The material was previously published in Silicon Heterostructure Handbook: Materials, Fabrication, Devices, Circuits
and Applications of SiGe and Si Strained-Layer Epitaxy © Taylor and Francis 2005.
CRC Press
Taylor & Francis Group
6000 Broken Sound Parkway NW, Suite 300
Boca Raton, FL 33487-2742
© 2008 by Taylor & Francis Group, LLC
CRC Press is an imprint of Taylor & Francis Group, an Informa business
No claim to original U.S. Government works
Printed in the United States of America on acid-free paper
10 9 8 7 6 5 4 3 2 1
International Standard Book Number-13: 978-1-4200-6690-6 (Hardcover)
This book contains information obtained from authentic and highly regarded sources. Reprinted material is quoted
with permission, and sources are indicated. A wide variety of references are listed. Reasonable efforts have been made to
publish reliable data and information, but the author and the publisher cannot assume responsibility for the validity of
all materials or for the consequences of their use.
Except as permitted under U.S. Copyright Law, no part of this book may be reprinted, reproduced, transmitted, or uti-
lized in any form by any electronic, mechanical, or other means, now known or hereafter invented, including photocopy-
ing, microfilming, and recording, or in any information storage or retrieval system, without written permission from the
publishers.
For permission to photocopy or use material electronically from this work, please access www.copyright.com (http://
www.copyright.com/) or contact the Copyright Clearance Center, Inc. (CCC) 222 Rosewood Drive, Danvers, MA 01923,
978-750-8400. CCC is a not-for-profit organization that provides licenses and registration for a variety of users. For orga-
nizations that have been granted a photocopy license by the CCC, a separate system of payment has been arranged.
Trademark Notice: Product or corporate names may be trademarks or registered trademarks, and are used only for
identification and explanation without intent to infringe.
Library of Congress Cataloging-in-Publication Data
Silicon heterostructure devices / editor, John D. Cressler.
p. cm.
Includes bibliographical references and index.
ISBN 978-1-4200-6690-6 (alk. paper)
1. Bipolar transistors. 2. Heterostructures. 3. Bipolar integrated circuits--Design and construction.
I. Cressler, John D.
TK7871.96.B55S54 2008
621.3815’28--dc22 2007030748
Visit the Taylor & Francis Web site at
http://www.taylorandfrancis.com
and the CRC Press Web site at
http://www.crcpress.com
Cressler / Silicon Heterostructure Devices 66900_C000 Final Proof page iv 5.11.2007 12:07pm Compositor Name: JGanesan

For the tireless efforts
Of the many dedicated scientists and engineers
Who helped create this field and make it a success.
I tip my hat, and offer sincere thanks from all of us
Who have benefitted from your keen insights and imaginings.
And . . .
For Maria:
My beautiful wife, best friend, and soul mate for these 25 years.
For Matthew John, Christina Elizabeth, and Joanna Marie:
God’s awesome creations, and our precious gifts.
May your journey of discovery never end.
Cressler / Silicon Heterostructure Devices 66900_C000 Final Proof page v 5.11.2007 12:07pm Compositor Name: JGanesan

He Whose Heart Has Been Set
On The Love Of Learning And True Wisdom
And Has Exercised This Part of Himself,
That Man Must Without Fail Have Thoughts
That Are Immortal And Divine,
If He Lay Hold On Truth.
Plato
¯Œ ı Ø Ø
łı ı `ª ªØÆ Ł
??? `??? ?,
ŒÆØ Ø `ŒŁ ªØÆ ,
‚Æ Ø ¢ æÆ æ
ø ºº Æ ŒØ ŒłØ
`?? ??? ?,
¯ æØŁ `ºŁØÆ.
Pla atvna§
Cressler / Silicon Heterostructure Devices 66900_C000 Final Proof page vi 5.11.2007 12:07pm Compositor Name: JGanesan

Foreword
Progress in a given field of technology is both desired and expected to follow a stable and predictable
long-term trajectory. Semilog plots of technology trends spanning decades in time and orders of
magnitude in value abound. Perhaps the most famous exemplar of such a technology trajectory is the
trend line associated with Moore’s law, where technology density has doubled every 12 to 18 months for
several decades. One must not, however, be lulled into extrapolating such predictability to other aspects
of semiconductor technology, such as device performance, or even to the long-term prospects for
the continuance of device density scaling itself. New physical phenomena assert themselves as one
approaches the limits of a physical system, as when device layers approach atomic dimensions, and thus,
no extrapolation goes on indefinitely.
Technology density and performance trends, though individually constant over many years, are the
result of an enormously complex interaction between a series of decisions made as to the layout of a
given device, the physics behind its operation, manufacturability considerations, and its extensibility
into the future. This complexity poses a fundamental challenge to the device physics and engineering
community, which must delve as far forward into the future as possible to understand when physical law
precludes further progress down a given technology path. The early identification of such impending
technological discontinuities, thus providing time to ameliorate their consequences, is in fact vital to the
health of the semiconductor industry. Recently disrupted trends in CMOS microprocessor performance,
where the ‘‘value’’ of processor-operating frequency was suddenly subordinated to that of integration,
demonstrate the challenges remaining in accurately assessing the behavior of future technologies.
However, current challenges faced in scaling deep submicron CMOS technology are far from unique
in the history of semiconductors.
Bipolar junction transistor (BJT) technology, dominant in high-end computing applications during
the mid-1980s, was being aggressively scaled to provide the requisite performance for future systems. By
the virtue of bipolar transistors being vertical devices rather than lateral (as CMOS is), the length scale of
bipolar transistors is set by the ability to control layer thicknesses rather than lateral dimensions. This
allowed the definition of critical device dimensions, such as base width, to values far below the limits of
optical lithography of the day. Although great strides in device performance had been made by 1985,
with unity gain cutoff frequencies (f
T) in the range 20–30 GHz seemingly feasible, device scaling was
approaching limits at which new physical phenomena became significant. Highly scaled silicon BJTs,
having base widths below 1000 A
˚
, demonstrated inordinately high reverse junction leakage. This was due
to the onset of band-to-band tunneling between heavily doped emitter and base regions, rendering such
devices unreliable. This and other observations presaged one of the seminal technology discontinuities
of the past decade, silicon–germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistor (HBT) technology being
the direct consequence.
Begun as a program to develop bipolar technology with performance capabilities well beyond those
possible via the continued scaling of conventional Si BJTs, SiGe HBT technology has found a wealth of
applications beyond the realm of computing. A revolution in bipolar fabrication methodology, moving
Cressler / Silicon Heterostructure Devices 66900_C000 Final Proof page vii 5.11.2007 12:07pm Compositor Name: JGanesan
vii

from device definition by implantation to device deposition and definition by epitaxy, accompanied by
the exploitation of bandgap tailoring, took silicon-based bipolar transistor performance to levels never
anticipated. It is now common to find SiGe HBTs with performance figures in excess of 300 GHz for
bothf
Tandf max, and circuits operable at frequencies in excess of 100 GHz.
A key observation is that none of this progress occurred in a vacuum, other than perhaps in the field
of materials deposition. The creation of a generation of transistor technology having tenfold improved
performance would of itself have produced far less ultimate value in the absence of an adequate eco-
system to enable its effective creation and utilization. This text is meant to describe the eco-system that
developed around SiGe technology as context for the extraordinary achievement its commercial rollout
represented.
Early SiGe materials, of excellent quality in the context of fundamental physical studies, proved near
useless in later device endeavors, forcing dramatic improvements in layer control and quality to then
enable further development. Rapid device progress that followed drove silicon-based technology (recall
that SiGe technology is still a silicon-based derivative) to unanticipated performance levels, demanding
the development of new characterization and device modeling techniques. As materials work was further
proven SiGe applications expanded to leverage newly available structural and chemical control.
Devices employing ever more sophisticated extensions of SiGe HBT bandgap tailoring have emerged,
utilizing band offsets and the tailoring thereof to create SiGe-based HEMTs, tunneling devices, mobility-
enhanced CMOS, optical detectors, and more to come. Progress in these diverse areas of device design is
timely, as I have already noted the now asymptotic nature of performance gains to be had from
continued classical device scaling, leading to a new industry focus on innovation rather than pure
scaling. Devices now emerging in SiGe are not only to be valued for their performance, but rather their
variety of functionality, where, for example, optically active components open up the prospect of the
seamless integration of broadband communication functionality at the chip level.
Access to high-performance SiGe technology has spurred a rich diversity of exploratory and com-
mercial circuit applications, many elaborated in this text. Communications applications have been most
significantly impacted from a commercial perspective, leveraging the ability of SiGe technologies to
produce extremely high-performance circuits while using back level, and thus far less costly, fabricators
than alternative materials such as InP, GaAs, or in some instances advanced CMOS.
These achievements did not occur without tremendous effort on the part of many workers in the field,
and the chapters in this volume represent examples of such contributions. In its transition from
scientific curiosity to pervasive technology, SiGe-based device work has matured greatly, and I hope
you find this text illuminating as to the path that maturation followed.
Bernard S. Meyerson
IBM Systems and Technology Group
Cressler / Silicon Heterostructure Devices 66900_C000 Final Proof page viii 5.11.2007 12:07pm Compositor Name: JGanesan
viii Foreword

Preface
While the idea of cleverly using silicon–germanium (SiGe) and silicon (Si) strained-layer epitaxy to
practice bandgap engineering of semiconductor devices in the highly manufacturable Si material system
is an old one, only in the past decade has this concept become a practical reality. The final success of
creating novel Si heterostructure transistors with performance far superior to their Si-only homojunction
cousins, while maintaining strict compatibility with the massive economy-of-scale of conventional Si
integrated circuit manufacturing, proved challenging and represents the sustained efforts of literally
thousands of physicists, electrical engineers, material scientists, chemists, and technicians across the world.
In the electronics domain, the fruit of that global effort is SiGe heterojunction bipolar transistor (SiGe
HBT) BiCMOS technology, and strained Si/SiGe CMOS technology, both of which are at present in
commercial manufacturing worldwide and are rapidly finding a number of important circuit and system
applications. As with any new integrated circuit technology, the industry is still actively exploring device
performance and scaling limits (at present well above 300 GHz in frequency response, and rising), new
circuit applications and potential new markets, as well as a host of novel device and structural
innovations. This commercial success in the electronics arena is also spawning successful forays into
the optoelectronics and even nanoelectronics fields. The Si heterostructure field is both exciting and
dynamic in its scope.
The implications of the Si heterostructure success story contained in this book are far-ranging and will
be both lasting and influential in determining the future course of the electronics and optoelectronics
infrastructure, fueling the miraculous communications explosion of the twenty-first century. While
several excellent books on specific aspects of the Si heterostructures field currently exist (for example, on
SiGe HBTs), this is the first reference book of its kind that ‘‘brings-it-all-together,’’ effectively presenting
a comprehensive perspective by providing very broad topical coverage ranging from materials, to
fabrication, to devices (HBT, FET, optoelectronic, and nanostructure), to CAD, to circuits, to applica-
tions. Each chapter is written by a leading international expert, ensuring adequate depth of coverage,
up-to-date research results, and a comprehensive list of seminal references. A novel aspect of this book is
that it also contains ‘‘snap-shot’’ views of the industrial ‘‘state-of-the-art,’’ for both devices and circuits,
and is designed to provide the reader with a useful basis of comparison for the current status and future
course of the global Si heterostructure industry.
This book is intended for a number of different audiences and venues. It should prove to be a useful
resource as:
1. A hands-on reference for practicing engineers and scientists working on various aspects of Si
heterostructure integrated circuit technology (both HBT, FET, and optoelectronic), including
materials, fabrication, device physics, transistor optimization, measurement, compact modeling
and device simulation, circuit design, and applications
2. A hands-on research resource for graduate students in electrical and computer engineering,
physics, or materials science who require information on cutting-edge integrated circuit
technologies
Cressler / Silicon Heterostructure Devices 66900_C000 Final Proof page ix 5.11.2007 12:07pm Compositor Name: JGanesan
ix

3. A textbook for use in graduate-level instruction in this field
4. A reference for technical managers and even technical support/technical sales personnel in the
semiconductor industry
It is assumed that the reader has some modest background in semiconductor physics and semiconductor
devices (at the advanced undergraduate level), but each chapter is self-contained in its treatment.
In this age of extreme activity, in which we are all seriously pressed for time and overworked, my
success in getting such a large collection of rather famous people to commit their precious time to my
vision for this project was immensely satisfying. I am happy to say that my authors made the process
quite painless, and I am extremely grateful for their help. The list of contributors to this book actually
reads like a global ‘‘who’s who’’ of the silicon heterostructure field, and is impressive by any standard.
I would like to formally thank each of my colleagues for their hard work and dedication to executing my
vision of producing a lasting Si heterostructure ‘‘bible.’’ In order of appearance, the ‘‘gurus’’ of our field
include:
Guofu Niu, Auburn University, USA
David R. Greenberg, IBM Thomas J. Watson Research Center, USA
Jae-Sung Rieh, Korea University, South Korea
Greg Freeman, IBM Microelectronics, USA
Andreas Stricker, IBM Microelectronics, USA
Kern (Ken) Rim, IBM Thomas J. Watson Research Center, USA
Scott E. Thompson, University of Florida, USA
Sanjay Banerjee, University of Texas at Austin, USA
Soichiro Tsujino, Paul Scherrer Institute, Switzerland
Detlev Gru¨tzmacher, Paul Scherrer Institute, Switzerland
Ulf Gennser, CNRS-LPN, France
Erich Kasper, University of Stuttgart, Germany
Michael Oehme, University of Stuttgart, Germany
Eugene A. Fitzgerald, Massachusetts Institute of Technology, USA
Robert Hull, University of Virginia, USA
Kang L. Wang, University of California at Los Angeles, USA
S. Tong, University of California at Los Angeles, USA
H.J. Kim, University of California at Los Angeles, USA
Lorenzo Colace, University ‘‘Roma Tre,’’ Italy
Gianlorenzo Masini, University ‘‘Roma Tre,’’ Italy
Gaetano Assanto, University ‘‘Roma Tre,’’ Italy
Wei-Xin Ni, Linko¨ping University, Sweden
Anders Elfving, Linko¨ping University, Sweden
Douglas J. Paul, University of Cambridge, United Kingdom
Michael Schro¨ter, University of California at San Diego, USA
Ramana M. Malladi, IBM Microelectronics, USA
I would also like to thank my graduate students and post-docs, past and present, for their dedication
and tireless work in this fascinating field. I rest on their shoulders. They include: David Richey,
Alvin Joseph, Bill Ansley, Juan Rolda´n, Stacey Salmon, Lakshmi Vempati, Jeff Babcock, Suraj
Mathew, Kartik Jayanaraynan, Greg Bradford, Usha Gogineni, Gaurab Banerjee, Shiming Zhang, Krish
Shivaram, Dave Sheridan, Gang Zhang, Ying Li, Zhenrong Jin, Qingqing Liang, Ram Krithivasan, Yun
Luo, Tianbing Chen, Enhai Zhao, Yuan Lu, Chendong Zhu, Jon Comeau, Jarle Johansen, Joel Andrews,
Lance Kuo, Xiangtao Li, Bhaskar Banerjee, Curtis Grens, Akil Sutton, Adnan Ahmed, Becca Haugerud,
Mustayeen Nayeem, Mustansir Pratapgarhwala, Guofu Niu, Emery Chen, Jongsoo Lee, and Gnana
Prakash.
Cressler / Silicon Heterostructure Devices 66900_C000 Final Proof page x 5.11.2007 12:07pm Compositor Name: JGanesan
x Preface

Finally, I am grateful to Tai Soda at Taylor & Francis for talking me into this project, and supporting
me along the way. I would also like to thank the production team at Taylor & Francis for their able
assistance (and patience!), especially Jessica Vakili.
The many nuances of the Si heterostructure field make for some fascinating subject matter, but this is
no mere academic pursuit. In the grand scheme of things, the Si heterostructure industry is already
reshaping the global communications infrastructure, which is in turn dramatically reshaping the way life
on planet Earth will transpire in the twenty-first century and beyond. The world would do well to pay
attention. It has been immensely satisfying to see both the dream of Si/SiGe bandgap engineering, and
this book, come to fruition. I hope our efforts please you. Enjoy!
John D. Cressler
Editor
Cressler / Silicon Heterostructure Devices 66900_C000 Final Proof page xi 5.11.2007 12:07pm Compositor Name: JGanesan
Preface xi

Cressler / Silicon Heterostructure Devices 66900_C000 Final Proof page xii 5.11.2007 12:07pm Compositor Name: JGanesan

Editor
John D. Cresslerreceived a B.S. in physics from the Georgia Institute
of Technology (Georgia Tech), Atlanta, Georgia, in 1984, and an M.S.
and Ph.D. in applied physics from Columbia University, New York, in
1987 and 1990. From 1984 to 1992 he was on the research staff at
the IBM Thomas J. Watson Research Center in Yorktown Heights,
New York, working on high-speed Si and SiGe bipolar devices and
technology. In 1992 he left IBM Research to join the faculty at Auburn
University, Auburn, Alabama, where he served until 2002. When he left
Auburn University, he was Philpott–Westpoint Stevens Distinguished
Professor of Electrical and Computer Engineering and director of the
Alabama Microelectronics Science and Technology Center.
In 2002, Dr. Cressler joined the faculty at Georgia Tech, where he is
currently Ken Byers Professor of Electrical and Computer Engineering.
His research interests include SiGe devices and technology; Si-based
RF/microwave/millimeter-wave mixed-signal devices and circuits;
radiation effects; device-circuit interactions; noise and linearity; reliability physics; extreme environment
electronics, 2-D/3-D device-level simulation; and compact circuit modeling. He has published more
than 350 technical papers related to his research, and is author of the booksSilicon-Germanium
Heterojunction Bipolar Transistors, Artech House, 2003 (with Guofu Niu), andReinventing Teenagers:
The Gentle Art of Instilling Character in Our Young People, Xlibris, 2004 (a slightly different genre!).
Dr. Cressler was Associate Editor of theIEEE Journal of Solid-State Circuits(1998–2001), Guest Editor
of theIEEE Transactions on Nuclear Science(2003–2006), and Associate Editor of theIEEE Transactions
on Electron Devices(2005–present). He served on the technical program committees of the IEEE
International Solid-State Circuits Conference (1992–1998, 1999–2001), the IEEE Bipolar/BiCMOS
Circuits and Technology Meeting (1995–1999, 2005–present), the IEEE International Electron Devices
Meeting (1996–1997), and the IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference (1999–2000, 2002–
2007). He currently serves on the executive steering committee for the IEEE Topical Meeting on Silicon
Monolithic Integrated Circuits in RF Systems, as international program advisor for the IEEE European
Workshop on Low-Temperature Electronics, on the technical program committee for the IEEE Inter-
national SiGe Technology and Device Meeting, and as subcommittee chair of the 2004 Electrochemical
Society Symposium of SiGe: Materials, Processing, and Devices. He was the Technical Program Chair of
the 1998 IEEE International Solid-State Circuits Conference, the Conference Co-Chair of the 2004 IEEE
Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems, and the Technical Program
Chair of the 2007 IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference.
Dr. Cressler was appointed an IEEE Electron Device Society Distinguished Lecturer in 1994, an IEEE
Nuclear and Plasma Sciences Distinguished Lecturer in 2006, and was awarded the 1994 Office of Naval
Research Young Investigator Award for his SiGe research program. He received the 1996 C. Holmes
Cressler / Silicon Heterostructure Devices 66900_C000 Final Proof page xiii 5.11.2007 12:07pm Compositor Name: JGanesan
xiii

MacDonald National Outstanding Teacher Award by Eta Kappa Nu, the 1996 Auburn University Alumni
Engineering Council Research Award, the 1998 Auburn University Birdsong Merit Teaching Award, the
1999 Auburn University Alumni Undergraduate Teaching Excellence Award, an IEEE Third Millennium
Medal in 2000, and the 2007 Georgia Tech Outstanding Faculty Leadership in the Development of
Graduate Students Award. He is an IEEE Fellow.
On a more personal note, John’s hobbies include hiking, gardening, bonsai, all things Italian,
collecting (and drinking!) fine wines, cooking, history, and carving walking sticks, not necessarily in
that order. He considers teaching to be his vocation. John has been married to Maria, his best friend and
soul-mate, for 25 years, and is the proud father of three budding scholars: Matt, Christina, and Jo-Jo.
Dr. Cressler can be reached at School of Electrical and Computer Engineering, 777 Atlantic Drive,
N.W., Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA 30332-0250 U.S.A. or [email protected]
http://users.ece.gatech.edu/cressler/
Cressler / Silicon Heterostructure Devices 66900_C000 Final Proof page xiv 5.11.2007 12:07pm Compositor Name: JGanesan
xiv Editor

Contents
1 The Big Picture ............................................................................................................................ 1-1
John D. Cressler
2 A Brief History of the Field ........................................................................................................2-1
John D. Cressler
3 Overview: SiGe HBTs................................................................................................................... 3-1
John D. Cressler
4 Device Physics .............................................................................................................................. 4-1
John D. Cressler
5 Second-Order Effects ................................................................................................................... 5-1
John D. Cressler
6 Low-Frequency Noise................................................................................................................... 6-1
Guofu Niu
7 Broadband Noise.......................................................................................................................... 7-1
David R. Greenberg
8 Microscopic Noise Simulation ....................................................................................................8-1
Guofu Niu
9 Linearity........................................................................................................................................ 9-1
Guofu Niu
10 pnp SiGe HBTs ........................................................................................................................... 10-1
John D. Cressler
11 Temperature Effects ................................................................................................................... 11-1
John D. Cressler
12 Radiation Effects ........................................................................................................................ 12-1
John D. Cressler
13 Reliability Issues ........................................................................................................................ 13-1
John D. Cressler
14 Self-Heating and Thermal Effects............................................................................................. 14-1
Jae-Sung Rieh
15 Device-Level Simulation............................................................................................................ 15-1
Guofu Niu
16 SiGe HBT Performance Limits.................................................................................................. 16-1
Greg Freeman, Andreas Stricker, David R. Greenberg, and Jae-Sung Rieh
Cressler / Silicon Heterostructure Devices 66900_C000 Final Proof page xv 5.11.2007 12:07pm Compositor Name: JGanesan
xv

17 Overview: Heterostructure FETs............................................................................................... 17-1
John D. Cressler
18 Biaxial Strained Si CMOS ......................................................................................................... 18-1
Kern (Ken) Rim
19 Uniaxial Stressed Si MOSFET ................................................................................................... 19-1
Scott E. Thompson
20 SiGe-Channel HFETs ................................................................................................................. 20-1
Sanjay Banerjee
21 Industry Examples at the State-of-the-Art: Intel’s 90 nm Logic Technologies..................... 21-1
Scott E. Thompson
22 Overview: Other Heterostructure Devices............................................................................... 22-1
John D. Cressler
23 Resonant Tunneling Devices .....................................................................................................23-1
Soichiro Tsujino, Detlev Gru¨tzmacher, and Ulf Gennser
24 IMPATT Diodes.......................................................................................................................... 24-1
Erich Kasper and Michael Oehme
25 Engineered Substrates for Electronic and Optoelectronic Systems ....................................... 25-1
Eugene A. Fitzgerald
26 Self-Assembling Nanostructures in Ge(Si)–Si Heteroepitaxy................................................. 26-1
Robert Hull
27 Overview: Optoelectronic Components ................................................................................... 27-1
John D. Cressler
28 Si–SiGe LEDs.............................................................................................................................. 28-1
Kang L. Wang, S. Tong, and H.J. Kim
29 Near-Infrared Detectors ............................................................................................................ 29-1
Lorenzo Colace, Gianlorenzo Masini, and Gaetano Assanto
30 Si-Based Photonic Transistor Devices for Integrated Optoelectronics ................................. 30-1
Wei-Xin Ni and Anders Elfving
31 Si–SiGe Quantum Cascade Emitters......................................................................................... 31-1
Douglas J. Paul
A.1 Properties of Silicon and Germanium ................................................................................... A.1-1
John D. Cressler
A.2 The Generalized Moll–Ross Relations .................................................................................... A.2-1
John D. Cressler
A.3 Integral Charge-Control Relations ......................................................................................... A.3-1
Michael Schro¨ter
A.4 Sample SiGe HBT Compact Model Parameters..................................................................... A.4-1
Ramana M. Malladi
Index....................................................................................................................................................... I-1
Cressler / Silicon Heterostructure Devices 66900_C000 Final Proof page xvi 5.11.2007 12:07pm Compositor Name: JGanesan
xvi Contents

1
The Big Picture
John D. Cressler
Georgia Institute of Technology
1.1 The Communications Revolution......................................1-1
1.2 Bandgap Engineering in the Silicon
Material System ...................................................................1-3
1.3 Terminology and Definitions .............................................1-4
1.4 The Application Space ........................................................1-5
1.5 Performance Limits and Future Directions ......................1-9
1.1 The Communications Revolution
We are at a unique juncture in the history of humankind, a juncture that amazingly we engineers and
scientists have dreamed up and essentially created on our own. This pivotal event can be aptly termed
the ‘‘Communications Revolution,’’ and the twenty-first century, our century, will be the era of human
history in which this revolution plays itself out.
This communications revolution can be functionally defined and characterized by the pervasive
acquisition, manipulation, storage, transformation, and transmission of ‘‘information’’ on a global
scale. This information, or more generally, knowledge, in its infinitely varied forms and levels of
complexity, is gathered from our analog sensory world, transformed in very clever ways into logical
‘‘1’’s and ‘‘0’’s for ease of manipulation, storage, and transmission, and subsequently regenerated into
analog sensory output for our use and appreciation. In 2005, this planetary communication of
information is occurring at a truly mind-numbing rate, estimates of which are on the order of
80 Tera-bits/sec (10
12
) of data transfer across the globe in 2005 solely in wired and wireless voice and
data transmission, 24 hours a day, 7 days a week, and growing exponentially. The world is quite literally
abuzz with information flow—communication.*It is for the birth of the Communications Revolution
that we humans likely will be remembered for 1000 years hence. Given that this revolution is happening
during the working careers of most of us, I find it a wonderful time to be alive, a fact of which I remind
my students often.
Here is my point. No matter how one slices it, at the most fundamental level, it is semiconductor
devices that are powering this communications revolution. Skeptical? Imagine for a moment that one
could flip a switch and instantly remove all of the integrated circuits (ICs) from planet Earth.
A moment’s reflection will convince you that there is not a single field of human endeavor that would
not come to a grinding halt, be it commerce, or agriculture, or education, or medicine, or entertain-
ment. Life as we in the first world know it in 2005 would simply cease to exist. And yet, remarkably, the
same result would not have been true 50 years ago; even 20 years ago. Given the fact that we humans
have been on planet Earth in our present form for at least 1 million years, and within communities
*I have often joked with my students that it would be truly entertaining if the human retina was sensitive to
longer wavelengths of electromagnetic radiation, such that we could ‘‘see’’ all the wireless communications signals
constantly bathing the planet (say, in greens and blues!). It might change our feelings regarding our ubiquitous
cell phones!
Cressler/Silicon Heterostructure Devices 66900_C001 Final Proof page 1 17.10.2007 10:23am Compositor Name: JGanesan
1-1

having entrenched cultural traditions for at least 15,000 years, this is truly a remarkable fact of history.
A unique juncture indeed.
Okay, hold on tight. It is an easy case to make that the semiconductor silicon (Si) has single-handedly
enabled this communications revolution.*I have previously extolled at length the remarkable virtues of
this rather unglamorous looking silver-grey element [1], and I will not repeat that discussion here, but
suffice it to say that Si represents an extremely unique material system that has, almost on its own,
enabled the conception and evolving execution of this communications revolution. The most compel-
ling attribute, by far, of Si lies in the economy-of-scale it facilitates, culminating in the modern IC
fabrication facility, effectively enabling the production of gazillions of low-cost, very highly integrated,
remarkably powerful ICs, each containing millions of transistors; ICs that can then be affordably placed
into widgets of remarkably varied form and function.
y
So what does this have to do with the book you hold in your hands? To feed the emerging
infrastructure required to support this communications revolution, IC designers must work tirelessly
to support increasingly higher data rates, at increasingly higher carrier frequencies, all in the design
space of decreasing form factor, exponentially increasing functionality, and at ever-decreasing cost. And
by the way, the world is going portable and wireless, using the same old wimpy batteries. Clearly,
satisfying the near-insatiable appetite of the requisite communications infrastructure is no small task.
Think of it as job security!
For long-term success, this quest for more powerful ICs must be conducted within the confines of
conventional Si IC fabrication, so that the massive economy-of-scale of the global Si IC industry can be
brought to bear. Therein lies the fundamental motivation for the field of Si heterostructures, and thus
this book. Can one use clever nanoscale engineering techniques to custom-tailor the energy bandgap of
fairly conventional Si-based transistors to: (a) improve their performance dramatically and thereby ease
the circuit and system design constraints facing IC designers, while (b) performing this feat without
throwing away all the compelling economy-of-scale virtues of Si manufacturing? The answer to this
important question is a resounding ‘‘YES!’’ That said, getting there took time, vision, as well as
dedication and hard work of literally thousands of scientists and engineers across the globe.
In the electronics domain, the fruit of that global effort is silicon–germanium heterojunction bipolar
transistor (SiGe HBT) bipolar complementary metal oxide semiconductor (BiCMOS) technology, and is
in commercial manufacturing worldwide and is rapidly finding a number of important circuit and
system applications. In 2004, the SiGe ICs, by themselves, are expected to generate US$1 billion in
revenue globally, with perhaps US$30 billion in downstream products. This US$1 billion figure is
projected to rise to US$2.09 billion by 2006 [2], representing a growth rate of roughly 42% per year, a
remarkable figure by any economic standard. The biggest single market driver remains the cellular
industry, but applications in optical networking, hard disk drives for storage, and automotive collision-
avoidance radar systems are expected to represent future high growth areas for SiGe. And yet, in the
beginning of 1987, only 18 years ago, there was no such thing as a SiGe HBT. It had not been
demonstrated as a viable concept. An amazing fact.
In parallel with the highly successful development of SiGe HBT technology, a wide class of ‘‘transport
enhanced’’ field effect transistor topologies (e.g., strained Si CMOS) have been developed as a means to
boost the performance of the CMOS side of Si IC coin, and such technologies have also recently begun
*The lone exception to this bold claim lies in the generation and detection of coherent light, which requires direct
bandgap III–V semiconductor devices (e.g., GaAs of InP), and without which long-haul fiber communications
systems would not be viable, at least for the moment.
y
Consider: it has been estimated that in 2005 there are roughly 20,000,000,000,000,000,000 (210
19
) transistors
on planet Earth. While this sounds like a large number, let us compare it to some other large numbers: (1) the universe is
roughly 4.210
17
sec old (13.7 billion years), (2) there are about 110
21
stars in the universe, and (3) the universe
is about 410
23
miles across (15 billion light-years)! Given the fact that all 210
20
of these transistors have been
produced since December 23, 1947 (following the invention of the point-contact transistor by Bardeen, Brattain, and
Shockley), this is a truly remarkable feat of human ingenuity.
Cressler/Silicon Heterostructure Devices 66900_C001 Final Proof page 2 17.10.2007 10:23am Compositor Name: JGanesan
1-2 Silicon Heterostructure Devices

to enter the marketplace as enhancements to conventional core CMOS technologies. The commercial
success enjoyed in the electronics arena has very naturally also spawned successful forays into the
optoelectronics and even nanoelectronics fields, with potential for a host of important downstream
applications.
The Si heterostructure field is both exciting and dynamic in its scope. The implications of the Si
heterostructure success story contained in this book are far-ranging and will be both lasting and influential
in determining the future course of the electronics and optoelectronics infrastructure, fueling the
miraculous communications explosion of our twenty-first century. The many nuances of the Si hetero-
structure field make for some fascinating subject matter, but this is no mere academic pursuit. As I have
argued, in the grand scheme of things, the Si heterostructure industry is already reshaping the global
communications infrastructure, which is in turn dramatically reshaping the way life of planet Earth will
transpire in the twenty-first century and beyond. The world would do well to pay close attention.
1.2 Bandgap Engineering in the Silicon Material System
As wonderful as Si is from a fabrication viewpoint, from a device or circuit designer’s perspective, it is
hardly the ideal semiconductor. The carrier mobility for both electrons and holes in Si is comparatively
small compared to their III–V cousins, and the maximum velocity that these carriers can attain under
high electric fields is limited to about 110
7
cm/sec under normal conditions, relatively ‘‘slow.’’ Since
the speed of a transistor ultimately depends on how fast the carriers can be transported through the
device under sustainable operating voltages, Si can thus be regarded as a somewhat ‘‘meager’’ semicon-
ductor. In addition, because Si is an indirect gap semiconductor, light emission is fairly inefficient,
making active optical devices such as diode lasers impractical (at least for the present). Many of the III–V
compound semiconductors (e.g., GaAs or InP), on the other hand, enjoy far higher mobilities and
saturation velocities, and because of their direct gap nature, generally make efficient optical generation
and detection devices. In addition, III–V devices, by virtue of the way they are grown, can be
compositionally altered for a specific need or application (e.g., to tune the light output of a diode
laser to a specific wavelength). This atomic-level custom tailoring of a semiconductor is called bandgap
engineering, and yields a large performance advantage for III–V technologies over Si [3]. Unfortunately,
these benefits commonly associated with III–V semiconductors pale in comparison to the practical
deficiencies associated with making highly integrated, low-cost ICs from these materials. There is no
robust thermally grown oxide for GaAs or InP, for instance, and wafers are smaller with much higher
defect densities, are more prone to breakage, and are poorer heat conductors (the list could go on).
These deficiencies translate into generally lower levels of integration, more difficult fabrication, lower
yield, and ultimately higher cost. In truth, of course, III–V materials such as GaAs and InP fill important
niche markets today (e.g., GaAs metal semiconductor field effect transistor (MESFETs) and HBTs for cell
phone power amplifiers, AlGaAs- or InP-based lasers, efficient long wavelength photodetectors, etc.),
and will for the foreseeable future, but III–V semiconductor technologies will never become mainstream
in the infrastructure of the communications revolution if Si-based technologies can do the job.
While Si ICs are well suited to high-transistor-count, high-volume microprocessors and memory
applications, RF, microwave, and even millimeter-wave (mm-wave) electronic circuit applications,
which by definition operate at significantly higher frequencies, generally place much more restrictive
performance demands on the transistor building blocks. In this regime, the poorer intrinsic speed of Si
devices becomes problematic. That is, even if Si ICs are cheap, they must deliver the required device and
circuit performance to produce a competitive system at a given frequency. If not, the higher-priced but
faster III–V technologies will dominate (as they indeed have until very recently in the RF and microwave
markets).
The fundamental question then becomes simple and eminently practical: is it possible to improve the
performance of Si transistors enough to be competitive with III–V devices for high-performance
applications, while preserving the enormous yield, cost, and manufacturing advantages associated
with conventional Si fabrication? The answer is clearly ‘‘yes,’’ and this book addresses the many nuances
Cressler/Silicon Heterostructure Devices 66900_C001 Final Proof page 3 17.10.2007 10:23am Compositor Name: JGanesan
The Big Picture 1-3

Other documents randomly have
different content

III LUKU.
Herkkäuskoinen hra Todhunter.
"Joko posti on tullut"? huusi Priscilla eräälle tytölle käytävän
toiseen päähän.
"En luule. Ei se ole käynyt ainakaan meidän huoneessamme."
"Tuollahan se tuleekin!" ja Priscilla juoksi alas postityttöä vastaan.
"Onko mitään huoneeseen 399."
"Otatteko myöskin Neiti Wyatt'in kirjeet?"
"Kyllä. Minä otan kaikki. Kuinka hirveän paljon! Ovatko ne kaikki
meille?" Ja Priscilla kulki pitkin käytävää huiskuttaen muistikirjallaan
ja aukoen kirjeitä käydessään. Hän lyöttäytyi Georgie Merrilesin
seuraan, joka myöskin huiskutti muistikirjallaan.
"Hei, Pris; oletko menossa englannin luennolle? Tahdotko, että
autan sinua kantamaani postia?"
"Kiitos", sanoi Priscilla. "Saat pitää suurimman osan siitä. Tämä",
lisäsi hän, ojentaen sinisen kirjeen, "on ilmoitus coldcream'ista, joka

ei saa puuttua keneltäkään naiselta; ja tämä" — ojentaen keltaisen
kirjeen — "on ilmoitus lihaekstraktista, joka ei saa puuttua
keneltäkään henkisen työn tekijältä; ja tämä" — ojentaen valkoisen
kirjeen — "on pahin kaikista, sillä se näyttää niin viralliselta, eikä
sisällä muuta kuin räätälini ilmoituksen, että hän on muuttanut
Kahdenneltakymmenenneltätoiselta Neljännellekymmenelle
neljännelle kadulle ja toivoo, että edelleenkin kunnioittaisin häntä
tilauksillani."
"Ja täällä", jatkoi hän, selaillen huonetoverinsa kirjeitä, "on cold
cream- ja lihaekstraktikirje Pattylle, ja kolmas Yalesta: siinä
varmaankin Raoul selittää, miksi hän ei voinut saapua tänne. Mutta
se ei paljoakaan paranna asiaa. Pattya hän ei saa millään voimalla
uskomaan, ettei hän olisi taittanut solisluutaan tarkoituksella. Mutta
tätä minä en tiedä, keneltä se on", jatkoi Priscilla, tutkien viimeistä
kirjettä. "Se on merkitty: Hotel A —, New York. En ole koskaan
kuullut siitä, oletko sinä? En ole nähnyt tällaista käsialaakaan
koskaan."
Georgie naurahti. "Pidätkö sinä luetteloa kaikista, jotka kirjoittavat
Pattylle."
"Oh, tätä nykyä minä tunnen suurimman osan niistä. Tavallisesti
hän lukee mielenkiintoisimmat ääneen ja niihin, jotka ovat ikäviä, ei
hän vastaa koskaan ja he lakkaavat kirjoittamasta. Kiiruhda: kello soi
kohta"; ja he liittyivät tyttölaumaan, jonka kohtasivat kynnyksellä.
Kello soi juuri kun he saapuivat luokkahuoneeseen, ja Priscilla
pudotti ohikulkiessaan mitään sanomatta kirjeet Pattyn syliin. Patty
luki runoa eikä katsahtanut ylös. Hän oli läpikäynyt kymmenkunta
sivua Shelleytä ensimäisen soiton jälkeen ja epätietoisena siitä, mistä
luokalla alettaisiin, ahmi hän nyt hätäisesti Wordsworthia. Pattylla oli

tapana olla lausuntotunneilla hyvin pirteä luennon alussa, kiinnittää
heti opettajan huomio puoleensa, lausua sitten loistavasti ja viettää
luennon loppuosa hiljaa mietiskellen.
Tänä päivänä kuitenkin tavattoman runsas posti käänsi hänen
huomionsa toisille urille. Hänen ei onnistunut kiinnittää ajoissa
opettajan huomiota puoleensa ja lausuminen meni ohi ilman hänen
myötävaikutustaan. Priscilla piti häntä silmällä takaistuimeltaan
hänen lukiessaan Yalen kirjettä epäilevästi otsaansa rypistellen ja
virnisteli suutaan hänen tarttuessaan siniseen ja keltaiseen
kirjeeseen; mutta ennenkuin hän oli ehtinyt ottaa esille Hotel A—
kirjeen, alkoi Priscilla taas tarkkaavasti seurata lausuntoa. Oli
tulossa; hänen vuoronsa ja hän koetti huolestuneena muodostaa
itselleen mielipidettä niistä oleellisista tunnusmerkeistä, jotka olivat
kuvaavia Wordsworthin käsityskannalle kuolemattomuudesta.
Äkkiä hätkähti koko luokka kuullessaan Pattyn äänekkään
hihityksen, jota hän koetti nopeasti tukahuttaa ja tekeytyä niin
viattoman näköiseksi kuin mahdollista — mutta se oli myöhäisiä. Hän
oli vihdoinkin kiinnittänyt itseensä opettajan huomion.
"Neiti Wyatt, mitkä ovat teidän mielestänne kirjailijamme
pahimmat puutteellisuudet?"
Neiti Wyatt ummisti silmänsä pari kertaa. Tämä kysymys,
lausuttuna erillään ajatusyhteydestä, ei ollut varsin valaiseva. Hänen
tapansa ei ollut kuitenkaan joutua vähällä hämilleen. Aina hän
jotenkin selvisi.
"Niin", alkoi hän hyvin miettivän näköisenä, "tähän kysymykseen
voi vastata kahdella tavalla, joko taiteelliselta tahi filosofiselta
näkökannalta."

Tämä kuulosti hyvin lupaavalta ja opettaja hymyili rohkaisevasti.
"Niinkö", sanoi hän.
"Ja sittenkin", jatkoi Patty vielä miettiväisemmän näköisenä, "minä
luulen, että sama syy on oleva molempien äärimmäisenä
selityksenä."
Opettaja olisi voinut kysyä: "Minkä molempien", mutta hän
pidättäytyi ja odotti jatkoa.
Patty luuli sanoneensa jo tarpeeksi, mutta hän pinnisti vielä
epätoivoissaan: "Huolimatta hänen todella syvämielisestä
filosofiastaan voimme huomata jotain — voisi melkein sanoa
liioittelua hänen runoudessaan, ja harkinnan puutetta, joka johtuu
hänen kypsymättömyydestään ja hänen — jokseenkin rajusta
elämästään. Jos hän olisi elänyt kauemmin, niin olisi hän luultavasti
voinut vähitellen vapautua niistä."
Koko luokka näytti ällistyneeltä ja opettajan suupielet vetäytyivät
kokoon. "Se on tosiaankin mielenkiintoinen näkökanta, neiti Wyatt,
ja mikäli minä tiedän, aivan alkuperäinen."
Kun he tulvivat ulos luennon loputtua hyökkäsi Priscilla Pattyn
kimppuun. "Mitä ihmeessä sinä sanoit Wordsworthin nuoruudesta ja
kypsymättömyydestä?" kysyi hän. "Mieshän eli yli
kahdeksankymmenen ikäiseksi ja kirjoitti runon viimeisessä
hengenvedossaan."
"Wordsworth? Minähän puhuin Shelley'stä."
"Niin, mutta luokka ei."

"Mistä minä olisin tiennyt?" kysyi Patty suuttuneena. "Hän sanoi
kirjailijamme ja minä koetin olla kajoamatta yksityiskohtiin niin kauan
kuin voin."
"Oh, Patty, Patty! Ja sinä sanoit, että hän oli raju — tuo
lammasmainen Wordsworth!"
"Mille sinä sitten nauroit?" kysyi Georgie.
Patty hymyili taas. "Hyvänen aika, tälle", sanoi hän, levittäen auki
Hotel A— kirjeen. "Se on eräältä englantilaiselta, herra
Todhunter'ilta, jonka isäni tapasi viime kesänä ja pyysi viipymään
luonamme muutamia päiviä. Olin kokonaan unohtanut hänet ja nyt
hän kirjoittaa ja kysyy, voisiko hän ja milloin tulla minua
tervehtämään ja jos se sopisi, niin voisiko hän tulla tänä iltana. Sepä
vasta oli sisältörikas lause, eikö ollutkin? Hänen junansa saapuu
puoli kuusi ja hän voisi tulla noin kuuden tienoissa. — Minä pyysin
hänen tulemaan joskus päivällisille, vaikka olin jo unohtanut sen.
Hän on sangen miellyttävä, ja huolimatta siitä, mitä ilkeät
sanomalehdet sanovat englantilaisista, kovin huvittava."
"Tahallaanko vai huomaamattaan?" kysyi Georgie.
"Kummallakin tavalla."
"Mitä hän tekee Ameriikassa?" kysyi Priscilla. "Ei kai hän kirjoita
kirjaa amerikalaisesta tytöstä."
"Ei juuri niin", sanoi Patty. "Hän on erään sanomalehden
kirjeenvaihtajana. Hän on hyvin utelias tietämään jotain
oppilaitoksestamme."

"Patty, toivottavasti sinä et ole koettanut uskotella tuolle
englantilaiselle, joka oli vieraana isäsi talossa, kaikkia sepittämiäsi
valheita!"
"Luonnollisesti en", sanoi Patty: "Minä olin hyvin varovainen
kaikkeen nähden, mitä hänelle kerroin. Mutta", myönsi hän, "hän —
hän on herkkä vaikutuksille."
"Jokainen on herkkä vaikutuksille puhuessaan sinun kanssasi",
huomautti Georgie.
"Hän kysyi minulta", jatkoi Patty välittämättä tästä
huomautuksesta, "mitä me opiskelimme täällä! Mutta minä muistin,
että hän oli muukalainen vieraalla maalla ja hillitsin luonnolliset
vaistoni ja selostin hänelle kaikki oppikurssit sanasta sanaan
ohjelman mukaan ja selitin eri opetusmetoodit ja kuvailin kirjaston,
laboratoriot ja luentosalit."
"Tekikö se häneen vaikutuksen?" kysyi Priscilla.
"Kyllä", sanoi Patty; "luulen että hän oli melkein ällistynyt. Hän
kysyi minulta, onko meillä milloinkaan mitään huvituksia ja minä
sanoin: Kyllä vaan! Meillä on Browning- ja Ibsen-klubi ja joskus
esitämme kreikkalaisia murhenäytelmiä alkukielellä. Hän ei sitten
yrittänyt tulla enää lähelleni, peläten että epähuomiossa puhuisin
kreikkaa englannin asemesta."
Ottaen huomioon hänen kreikankielen taitonsa pitivät Pattyn
ystävät tätä viimeistä huomautusta melkein humoristisena.
"Koska hän on sanomalehtimies", sanoi Priscilla, "niin toivon, että
sinä koetat hiukan lieventää hänen vaikutelmiaan, tai hän ei tule

koskaan suosimaan naisten oppilaitoksia Englannissa."
"Sitä minä en ole tullut ajatelleeksi", sanoi Patty. "Kenties minun
olisi pitänyt."
He olivat saapuneet makuuhuoneen kynnykselle. "Ei mennä
sisään", sanoi Georgie; "mennään alas rouva Muldoon'in luo
saamaan vähän suklaakakkua."
"Ei kiitoksia", sanoi Priscilla.
"No soppaa sitten."
"En voi syödä ateriain välillä."
"Tule sitten sinä, Patty."
"Valitettavasti en voi; minun täytyy viedä valkea pukuni
silitettäväksi."
"Aiotko pukeutua häntä varten juhlapukuun?"
"Kyllä", sanoi Patty. "Luulen, että minun täytyy se tehdä
amerikalaisena tyttönä."
"No niin", huokasi Georgie. "Minulla on nälkä, mutta luulen, että
minun pitää mennä pukemaan nukkeani College Settlement
Association'ia varten. Näyttelyhän on tänä iltana."
"Minun on valmis", sanoi Priscilla, "ja Patty ei tahdo ottaa osaa.
Näitkö Bonnie Connaught'in istuvan takimaisella penkillä biologian
luennolla tänä aamuna päärmäten nukkensa alushametta koko
luennon ajan."

"Todellako?" naurahti Patty. "Hyvä että professori Hitchcock on
likinäköinen."
College Settlement Association piti, sivumennen sanoen, tapanaan
jakaa kolmesataa nukkea oppilaiden kesken joka vuosi ennen joulua,
puettaviksi ja lähettäviksi takaisin New-York'iin. Nukkien luultiin
tulevan niin hyvin puetuiksi, että äidit voisivat käyttää niitä
malleinaan omia lapsiaan pukiessaan, vaikka onkin myönnettävä,
että tytöt enemmän koettivat saada aikaan hyvän yleisvaikutuksen
kuin kiinnittää huomiotaan yksityiskohtiin. Ennenkuin nuket
lähetettiin pois, pidettiin säännöllisesti edellisenä iltana
nukkenäyttely, johon kannettiin kahden cent'in pääsymaksu
(postimerkkejäkin otettiin vastaan) lähetyskustannusten
peittämiseksi.
Kello oli kymmenen minuuttia yli kuuden kun palvelustyttö astui
sisään tuoden Hra Algernon Vivian Todhunterin käyntikortin. Patty,
säteillen valkoisessa juhlapuvussaan, koetti kaikin tavoin kiemurrella
ruumistaan saadakseen sen takaa kiinni.
"Oh, Sadie", sanoi hän palvelustytölle, "tahdotko olla ystävällinen
ja tulla kiinnittämään pukuni? En ylety sinne itse miltään puolelta."
"Te näytätte aika komealta, neiti Wyatt", sanoi tyttö ihaillen.
Patty naurahti. "Luuletko, että voin kunnialla edustaa maatani?"
"Aivan varmaan, neiti", sanoi Sadie kohteliaasti.
Patty juoksi käytävän läpi vastaanottohuoneen ovelle, ja astui
sitten hiljaa sisään maailmannaisen levollisuudella. Huone oli tyhjä.
Hän katseli hiukan hämmästyneenä ympärilleen, sillä hän tiesi, että

molemmat toiset vastaanottohuoneet eteisen toisella puolella olivat
varatut nukkenäyttelyä varten. Hän sipsutteli kuitenkin sinne ja
kurkisti puoliavoimesta ovesta sisään. Huone oli täpötäynnä nukkeja.
Kaikki huonekalut olivat niiden peitossa; ja perimmäisessä nurkassa
pitkän nukkekujan päässä istui Hra Algernon Vivian Todhunter
varovasti tuolin reunalla, pellavapäisten nukkien ympäröimänä,
pidellen kömpelösti sylissään niitä, jotka hän oli nostanut pois
tuolilta. Patty vetäytyi takaisin oven taa ja jäi sinne muutamiksi
minuuteiksi saavuttaakseen jälleen maailmannaisen levollisuutensa;
sitten hän astui sisään ja tervehti ystävällisesti hra Todhunteria, joka
varovasti siirsi nuket vasemmalle käsivarrelleen ja nousi ylös tarttuen
ojennettuun käteen.
"Ehkä minä otan ne pienokaiset", sanoi Patty ystävällisesti;
"pelkään, että ne ovat teidän tiellänne."
Hra Todhunter mutisi jotain sellaista, että oli suuri nautinto ja
etuoikeus pidellä niitä.
Patty kohenteli niiden vaatteita ja asetti ne uudelleen sohvalle
äidillisellä hellyydellä hra Todhunterin katsellessa häntä vakavana,
samalla kun hänen synnynnäinen kohteliaisuutensa ja
sanomalehtimiesvaistonsa taistelivat keskenään vallasta. Lopulta
alkoi hän varovasti: "Kuulkaa, neiti Wyatt, kuluttavatko nuoret neidit
paljonkin aikaa leikkiessään nukkien kanssa?"
"Ei", sanoi Patty avomielisesti; "en luule, että voidaan sanoa
heidän kuluttavan siihen liian paljon aikaa. En ole vielä koskaan
kuullut kuin yhden ainoan tytön laiminlyöneen työnsä niiden tähden.
Ette saa ajatella, että meillä on täällä yhtä monta nukkea joka ilta",
jatkoi hän. "Tämä on jokseenkin tavaton sattuma. Vain kerran

vuodessa pitävät tytöt nukkenäyttelyn nähdäkseen kuka on pukenut
nukkensa parhaiten."
"Ah, minä ymmärrän", sanoi hra Todhunter; "pieni ystävällinen
kilpailu."
"Puhtaasti ystävällinen", sanoi Patty.
Kun he lähtivät ruokasaliin asetti hra Todhunter monokkelin
silmäänsä ja heitti vielä jäähyväissilmäyksen nukkenäyttelyyn.
"Pelkään, että pidätte meitä lapsellisina, hra Todhunter", sanoi
Patty.
"En ensinkään, neiti Wyatt", vakuutti hän.
"Minusta se oli kovin ihastuttavaa, tiedättekö, ja niin —
odottamatonta. Minulle on kerrottu, että näissä naisoppilaitoksissa
tehdään kaikellaisia hulluja kepposia, mutta minä en ole koskaan
luullut niiden oppilaiden olevan niin naisellisia, että leikkisivät
nukkien kanssa."
Kun Patty palasi sinä iltana huoneeseensa, löysi hän Georgien ja
Priscillan kielioppien ja sanakirjain keskeltä kääntämässä
saksankielen kirjoitusta. Hänen päälleen satoi tulvimalla suuttuneita
vastalauseita.
"Kun minulla on mies", sanoi Priscilla, "niin minä jaan hänet
ystävieni kesken."
"Varsinkin kun hän on harvinaisuus", lisäsi Georgie.

"Ja me olimme pukeutuneet juhlapukuun ja seisoimme aivan
teidän lähellänne tullessanne ulos kappelista", jatkoi Priscilla, "ja te
ette edes katsahtaneet meihin."
"Englantilaiset ovat niin ujoja", puolusteli Patty, "ja minä en
tahtonut peloittaa häntä."
Priscilla katsoi häneen epäluuloisesti. "Patty, toivoakseni et ole
käyttänyt hyväksesi mies-paran herkkäuskoisuutta!"
"Tietysti en!" sanoi Patty arvokkaasti. "Minä selitin kaikki mitä hän
minulta kysyi ja koetin olla mahdollisimman varovainen ollakseni
liioittelematta. Mutta", lisäsi hän avomielisesti, "minä en voi vastata
niistä vaikutelmista, jotka hän on voinut saada. Kun kerran
englantilainen saa asiasta jonkun käsityksen, niin on melkein
mahdoton saada sitä muutetuksi."

IV LUKU.
Etiikan luento.
Menettelytapa, millä Patty suhtautui opettajiinsa, oli hänen pitkän
ajan kuluessa saavuttamiensa kokemusten tulos. Kolmantena
oppivuotenaan hän oli järjestänyt tekemänsä havainnot systeemiksi
ja hän voi sanoa etukäteen erehtymättömällä tarkkuudella päivän,
milloinka, ja kysymyksen, johon hänen piti vastata. Hänen
taktiikkansa vaihteli oppiaineiden ja opettajain mukaan ja oli samoin
hänen tarkkanäköisyytensä ja ihmistuntemuksensa tulos, joka
arvokkaammassa asiassa olisi voinut saada suurtakin aikaan.
Hänen kemian opettajansa, esimerkiksi, ei sietänyt torkkumista
luennoillaan ja ne, jotka eivät olleet kylliksi tarkkaavaisia, saivat sen
heti kalliisti maksaa. Patty keksi tämän hänen heikkoutensa jo heti
alussa ja laati taistelusuunnitelmansa sen mukaan. Silloin kun hän ei
ymmärtänyt hänen suorittamiaan kokeiluja katsoi hän häneen kasvot
älykkäisyyttä loistavina, mutta niin pian kun hän ymmärsi ja tahtoi
osoittaa tietojaan, antoi hän katseensa siirtyä akkunaan ja tuijotti
epämääräiseen kaukaisuuteen ikäänkuin hänen ajatuksensa olisivat
harhailleet jossakin pitkien matkojen päässä, ja kun hänelle tehtiin

sitten kysymys siirtyi hän vähitellen jälleen todellisuuteen ja oltuaan
hetkisen miettivinään antoi loistavan vastauksen.
Ranskankielen luennolla oli hänen taktiikkansa aivan
päinvastainen. Rotunsa synnynnäisellä kohteliaisuudella ei opettaja
tehnyt kysymyksiä muille kuin niille, jotka kiinnittivät itseensä hänen
huomionsa ja näyttivät halukkailta vastaamaan. Tämä teki asian
verrattain yksinkertaiseksi, mutta vaati kuitenkin melkoista oveluutta.
Patty pudotti kynänsä, sitoi kiinni kengännauhojaan, irroitti lehtiä
muistikirjastaan, vieläpä aivastelikin, jottei opettaja kysyisi häneltä
sopimattomalla hetkellä. Toiset oppilaat, jotka eivät olleet niin suuria
taiteilijoita, tyytyivät vain painamaan silmänsä alas, kun opettaja
antoi katseensa kulkea pitkin koko linjaa, — joka Pattyn ivallisen
arvostelun mukaan oli samaa kuin jos olisi sanonut: "Olkaa hyvä
älkääkä kysykö minulta; minä en tiedä."
Mutta professori Cairnsleytä, joka opetti filosofiaa, ei ollutkaan niin
helppo pettää. Pitäen itsestään selvänä, että oppilaat olivat yhtä
innostuneita filosofisten totuuksien mietiskelyyn kuin hän itse, ei hän
epäillyt mitään petosta heidän puoleltaan ja antoi menettelytapansa
kokonaan riippua hetken innoituksesta. Se olikin sen vuoksi jäänyt
arvoitukseksi, jota monet oppilaspolvet olivat turhaan koettaneet
ratkaista. Muutamat arvailivat, että hän kysyi joka seitsemänneltä
tytöltä: toiset taas, että hän heitti arpaa. Patty ilmoitti kerran
voitonriemuisena, että hän oli keksinyt vihdoinkin salaisuuden — että
maanantaina hän kysyi punatukkaisilta tytöiltä; tiistaina
keltatukkaisilta, keskiviikkona ja torstaina ruskeatukkaisilta ja
perjantaina valkotukkaisilta. Mutta tämä johtopäätös, kuten monet
muutkin, osoittautui käytännössä paikkansa pitämättömältä; ja Patty
kerrankin huomasi, että oli tarpeen koko hänen nerokkuutensa,
vieläpä hyvä joukko opiskelua, jotta hän voisi ylläpitää loistavan

maineensa myöskin professori Cairnsleyn luennoilla. Ja hän koetti
ylläpitää sitä, sillä hän piti professorista ja oli hänen
suosikkioppilaansa. Hän oli tuntenut professorin rouvan ennen
kouluuntuloaan ja oli usein käynyt heidän kotonaan.
Aina kolmanteen oppivuoteensa asti, jolloin hän aloitti etiikan
opiskelun, oli Patty säilyttänyt filosofiassakin ansaitsemattoman ja
niin heikoilla perusteilla lepäävän maineensa, että keveinkin kosketus
olisi voinut sen kaataa kumoon. Hän oli ylläpitänyt sitä kaikella
kunnialla aina joululomaan asti, mutta sittenkun he olivat alkaneet
opiskella varsinaista teologiaa, joka perustui määrättyihin
historiallisiin tosiasioihin, ei Pattyllä ollut paljoakaan hyötyä
mielikuvituksestaan ja useat kerrat hän oli pelastunut joutumasta
pulaan pelkästään onnellisen sattuman kautta. Kerran oli kello soinut
juuri sopivalla hetkellä ja pari kertaa oli hänen onnistunut välttää
suora vastaus johtamalla keskustelun toisille urille. Hän käsitti, että
onni voi joskus pettää hänetkin ja kun opettaja tavallisesti unohti
toimittaa nimenhuudon, alkoi hän pitää tapanaan jäädä pois
luennoilta.
Varsinkin parina viikkona oli hänellä niin paljon työtä toisella
taholla, että hän ei voinut omistaa tarpeeksi suurta huolta filosofisen
maineensa ylläpitämiseen ja sen vuoksi hän jäi pois useilta etiikan
luennoilta peräkkäin.
"Mistä hän puhui etiikan luennoilla niinä päivinä, jolloin minä olin
poissa?" kysyi hän Priscillalta eräänä iltapäivänä.
"Swedenborgista."
"Swedenborgista", toisti Patty uneksien. "Hän perusti uuden
uskonnon, eikö niin? Vai oliko se uusi voimistelusysteemi? Olen kyllä

kuullut hänestä, mutta en voi muistaa mitään yksityiskohtia."
"Parasta, että tutustuisit häneen; hän on tärkeä."
"Luulen kyllä; mutta kun olen elänyt kaksikymmentä vuotta
tietämättä hänestä, niin voinhan odottaa vielä kuukauden lisää. Minä
säästän Confucius'en ja Jesuiitat tutkintoajaksi ja lisään
Swedenborgin samalle listalle."
"Parasta ettet jättäisi. Professori Cairnsley on ihastunut häneen ja
voi pistää erikoistutkinnon minä hetkenä tahansa."
"Mitä vielä", naurahti Patty. "Hän ei tahdo hukata suotta aikaa.
Hän aikoo luennoida kaksi viikkoa yhtämittaa. Minä näen sen hänen
silmistään."
"Kyllä sinä vielä eräänä kauniina päivänä huomaat surkeasti
erehtyneesi."
"Ei mitään hätää. Minä tunnen professori Cairnsleyn ja professori
Cairnsley luulee tuntevansa minut; ja me tulemme hyvin toimeen
keskenämme. Jospa olisi enemmän hänen kaltaisiaan."
Professori Cairnsley alkoi seuraavana aamuna luennon, joka oli
nähtävästi laskettu kestävän kokonaisen tunnin, ja Patty katsahti
riemuitsevasti Priscillaan. Mutta luennon kestäessä sai hän
tilaisuuden viitata Swedenborgiin, ja pysähtyen hetkeksi kysyi hän
sattumalta eräältä eturivissä istuvalta tytöltä Swedenborgin filosofian
pääpiirteitä. Tämä sekoitti hänet kaikeksi onnettomuudeksi
Schopenhauerin kanssa. Professori teki saman kysymyksen toiselle
tytölle, mutta yhtä huonolla tuloksella. Koko luokka oli nähtävästi
ollut Pattyn harhakuvitelman vallassa ja ajatellut, ettei vielä ollut aika

kerrata muistiinpanoja. Hämmästyneenä ja suuttuneena alkoi hän
käydä järjestään tytöstä tyttöön läpi koko luokan ja tuli yhä
ivallisemmaksi jokaisen vastauksen jälkeen.
Nähdessään hänen lopettavan ensimäisen rivin ja siirtyvän siihen,
missä hän istui, huomasi Patty olevansa hukassa. Hän koetti vaivata
aivojaan muistaakseen edes jotain Swedenborgista. Mutta se oli
hänelle ainoastaan nimi eikä mitään muuta. Hän olisi voinut olla yhtä
hyvin vanha kreikkalainen kuin uudenaikainen amerikkalainen. Patty
huomasi, että hänen mielikuvituksensa ei voinut häntä auttaa, että
tuo lempeä professori oli kerta kaikkiaan sotajalalla ja että vain
Swedenborg eikä mikään muu kuin Swedenborg voinut nyt pelastaa.
Hän heitti tuskallisen katseen Priscillaan ja Priscilla virnisti takaisin
niinkuin jokaisesta hänen kasvojenpiirteestään olisi voinut lukea
sanat: "Sanoinhan minä sen sinulle."
Patty vilkuili epätoivoisena ympärilleen. Luentosali oli amfiteatterin
tapainen: osa istuimista oli lattian tasalla, toiset kohosivat
kerroksittain ylemmäs. Patty istui keskilattialla vähän taempana. Hän
näki ainoastaan opettajan pään, mutta hänen vuoronsa lähestyi
auttamattomasti. Hänen edellään oleva tyttö oli vastannut aivan päin
mäntyyn, ja pahasti rypistäen otsaansa tarkasteli professori
nimikirjaansa ja merkitsi sinne hitaasti ja ehdoin tahdoin nollan.
Kun hän taas nosti silmänsä oli Pattyn istuin tyhjä. Hän polvistui
lattialle taivuttaen päänsä edessään istuvan tytön selän taakse.
Mitään aavistamatta meni professori hänen kumartuneen päänsä ohi
ja kysyi hänen toisella puolellaan istuvalta tytöltä, joka ainoastaan
yskäisi hermostuneesti kerran tai pari; ja sill'aikaa kun hän teki
asianmukaisen merkinnän nimikirjaansa asettui Patty taas tyynesti
paikoilleen. Äkillisiä nauruntirskahduksia kuului ympäri huonetta;

professori vain rypisti otsaansa ja sanoi, ettei hänen mielestään ollut
mitään syytä nauruun. Kello soi ja tytöt ryntäsivät ulos hiukan
häpeissään.
Samana iltapäivänä tulla tuiskahti Patty huoneeseen, missä
Priscilla ja Georgie Merriles valmistivat teetä. "Oletteko koskaan
ajatelleet, että minulla on paljoakaan omaatuntoa", kysyi hän.
"Emme ole milloinkaan luulleet sitä sinun vahvimmaksi
puoleksesi", sanoi Georgie.
"Mutta nyt on aivan hirvittävä! Mitä luulette minun tehneen?"
"Kerranneen etiikan luentojen muistiinpanoja", sanoi Priscilla.
"Vieläkin pahempaa. — No niin, kerron sen teille. Tapasin portilla
professori Cairnsleyn ja menin sisään hänen kanssaan ja hän kehui
minun etiikan opintojani."
"Sen täytyi olla yllättävää", sanoi Georgie.
"Niin olikin", myönsi Patty. "Minä sanoin hänelle, etten tiennyt niin
paljon kuin hän luuli minun tietävän."
"No, mitä hän sanoi?"
"Hän sanoi, että olin niin vaatimaton. Hän on niin herttainen vanha
ukko, tiedättekö, että on aivan sääli pettää häntä. Ja voitteko uskoa?
Minä kerroin hänelle suoraan aamullisen kepposeni."
Priscilla hymyili hyväksyvästi huonetoverilleen. "Patty, sinä olet
todellakin parempi kuin olen luullutkaan!"
"Kiitos", mutisi Patty.

"Minä alan uskoa, että sinulla on omatunto", sanoi Georgie.
"Erinomainen", sanoi Patty tyytyväisenä.
"Lopultakin se tulee näkyviin", sanoi Priscilla.
"Niinpä kyllä", myönsi Patty. "Professori Cairnsley sanoi, että hän
selittää minulle Swedenborgin itse ja kutsui minut luokseen
pävällisille tänä iltana!"

V LUKU.
Salaperäinen Kate Ferris.
Salaperäinen Kate Ferris, joka piti Priscillaa hermostuneen
alakuloisuuden vallassa kokonaisen lukukauden ajan, ilmestyi
näyttämölle varsin omituisella tavalla. Se tapahtui eräänä
marraskuun päivänä. Georgie Merriles ja Patty olivat juuri tulleet
kotiin kävelyltä. Heidän astuessaan työhuoneeseen pysähtyi Georgie
tutkimaan muutamia irtonaisia paperiliuskoja, jotka olivat kiinnitetyt
oven ulkopuolelle.
"Mitä tämä on, Patty?"
"Se on saksalaisen klubin jäsenlista. Priscilla on sihteeri, kuten
tiedät, ja kaikki, jotka haluavat liittyä siihen, tulevat tänne. Työhuone
on ollut koko ajan niin täynnä uusia tulokkaita, että minä pyysin
hänen ripustamaan listan oven ulkopuolelle, jotta he voivat merkitä
siihen nimensä."
Patty käänteli lehtiä ja silmäili epätasaisella käsialalla piirrettyjä
nimikirjoituksia. "Se on suosittu järjestö, eikö totta? Kaikki uudet
oppilaat näyttävät kilvan rientävän kirjoittautumaan siihen jäseniksi."

"He koettavat näyttää Fräulein Scherin'ille, kuinka he ovat
aineeseen innostuneita", naurahti Georgie.
Patty otti kynän käteensä. "Tahdotko liittyä jäseneksi? Priscilla
tulisi siitä hyvin tyytyväiseksi."
"Ei kiitos, minä maksan jo aivan tarpeeksi klubimaksuja."
"Pelkään, että minua itseäni ei hyväksytä jäseneksi, kun en osaa
ensinkään saksaa. Tämä on kuitenkin niin ihanan terävä kynä, että
mielisin sillä kirjoittaa." Patty heilutteli kynää hetkisen ja sitten
hajamielisenä piirsi nimen "Kate Ferris."
Georgie naurahti. "Jos hyvinkin sattuisi olemaan Kate Ferris
oppilaitoksessamme, niin hän varmaankin hämmästyisi löytäessään
nimensä saksalaisen klubin jäsenluettelosta." Koko tapahtuma jäi
sitten unohduksiin.
Muutamia päiviä myöhemmin, kun molemmat tulivat sisään
luennolta, näkivät he Priscillan ja saksalaisen klubin puheenjohtajan
istuvan sohvalla päät yhdessä raivoissaan käännellen koulun
oppilasluettelon lehtiä.
"Hän ei ole toisen vuoden oppilas", sanoi puheenjohtaja. "Hänen
täytyy olla ensikurssilainen, Priscilla. Katsoppas uudelleen."
"Olen läpikäynyt tämän luettelon kolme kertaa ja siellä ei ole
ainoatakaan Ferris'ta."
Georgie ja Patty vaihtoivat silmäyksiä ja kysyivät, mitä he hakivat.
"Kate Ferris-niminen tyttö on merkitty jäseneksi saksalaiseen
klubiin ja me olemme käyneet läpi kaikki vuosikurssit, eikä koko

koulussa ole ketään sen nimistä tyttöä."
"Ehkä hän on ylimääräinen oppilas", sanoi Patty.
"Luonnollisesti! Miksemme sitä heti huomanneet? Ja Priscilla alkoi
selata ylimääräisten oppilaiden luetteloa. Ei, ei hän ole täälläkään."
"Annapas minun katsoa"; ja Patty silmäili läpi koko sarekkeen. "Te
olette varmaankin erehtyneet nimestä", huomautti hän, ojentaen
takaisin kirjan olkapäitään kohottaen.
Priscilla haki esiin merkitsemislistan ja ojensi sen hänelle
voitonriemuisena. Siinä oli aivan selvästi ja erehtymättömästi Kate
Ferris.
"Ne ovat unohtaneet ottaa hänet oppilasluetteloon."
"En ole koskaan ennen tiennyt heidän tehneen sellaista
erehdystä", sanoi puheenjohtaja. "En luule, että voimme merkitä
hänet jäsenluetteloon ennenkuin olemme saaneet selville, kuka hän
on."
"Silloin te voitte loukata hänen tunteitaan", sanoi Georgie.
"Tulokkaat ovat hirveän arkatuntoisia ja luulevat, että heitä
halveksitaan."
"No, samantekevää." Ja Kate Ferris merkittiin siis klubin luetteloon.
Muutamia viikkoja myöhemmin oli Priscillalla kova puuha
kääntäessään viimeisen klubikokouksen pöytäkirjaa hyvälle
saksankielelle ja kun hän vihdoin sulki sanakirjan ja kieliopin
helpoituksesta huoaten, huomautti hän Pattylle: "Tiedätkö, on aivan
kummallista tuon Kate Ferris'en kanssa. Hän ei ole maksanut

jäsenmaksuaan ja mikäli minä voin tietää, ei hän ole ollut läsnä
yhdessäkään kokouksessa. Etkö tahtoisi poistaa hänen nimeään
luettelosta. En luule hänen enää olevan koulussa."
"Sinä voit sen tehdä yhtä hyvin itse", sanoi Patty ja katseli
välinpitämättömänä Priscillaa tämän raaputtaessa nimeä
kynäveitsellä.
Seuraavana aamuna kun Priscilla tuli luennolta löysi hän pienen
kirjelappusen, johon oli kirjoitettu Kate Ferris'in pystysuoralla
käsialalla seuraavaa:
'Rakas neiti Pond: Tulin maksamaan saksalaisen klubin
jäsenmaksua, mutta kun ette ollut sisällä niin panin rahat
kirjakaappiin. Olen pahoillani, että olen ollut poissa niin
monesta kokouksesta, mutta en ole voinut käydä luennoilla
viime aikoina.
Kate Ferris.'
Priscilla näytti kirjelappusen klubin puheenjohtajalle
kouraantuntuvana todistuksena siitä, että Kate Ferris vielä oli
olemassa, ja kirjoitti nimen uudelleen jäsenkirjaan.
Muutamia viikkoja myöhemmin hän löysi toisen kirjelappusen
oveltaan.
Se kuului:
'Rakas neiti Pond: Koska minulla on kovin paljon työtä
opinnoissani, en minä ehdi käymään saksalaisen klubin
kokouksissa, jonka vuoksi olen päättänyt erota. Jätin
eroamisilmoitukseni kirjakaapin päälle.

Kate Ferris.'
Kun Priscilla taas raaputti nimeä jäsenkirjasta, huomautti hän
Pattylle: "Olen iloinen, että tuo Kate Ferris on vihdoinkin jättänyt
klubin. Hän on tuottanut minulle enemmän vaivaa kuin kaikki muut
jäsenet yhteensä."
Seuraavana päivänä löysi hän kolmannen kirjelappusen oveltaan:
'Rakas neiti Pond: Satuin mainitsemaan eilisiltana Fräulein
Scherin'ille, että olin päättänyt erota saksalaisesta klubista ja
hän sanoi, että klubi auttaisi minua työssäni ja kehoitti minua
jäämään siihen. Sentähden pyydän Teidän hyväntahtoisesti
olemaan esittämättä kirjettäni kokouksessa, koska olen
päättänyt seurata hänen neuvoaan.
Kate Ferris.'
Priscilla heittää sinkahutti kirjelappusen Pattylle ja hakien esiin
jäsenkirjan merkitsi sinne uudelleen Kate Ferris'en nimen.
Patty katseli osaaottavasti toimitusta hänen olkansa yli. "Kirja tulee
siitä paikasta kohta niin ohueksi, että Kate Ferris menee läpi toiselle
puolelle", sanoi hän naurahtaen. "Jos hän muuttaa mieltään vielä
montakin kertaa, niin siitä ei jää mitään jälelle."
"Minä menen kysymään hänestä Fräulein Scheriniltä", sanoi
Priscilla. "Minulla on ollut hänestä niin paljon vaivaa, että olen utelias
näkemään miltä hän näyttää."
Hän kävi kysymässä Fräulein Scheriniltä, mutta Fräulein Scherin
kielsi tietävänsä mitään koko tytöstä. "Minulla on niin monta uutta

tulokasta", sanoi hän kuin anteeksipyytäen, "etten minä voi muistaa
heidän kummallisia nimiään."
Priscilla tiedusteli Kate Ferrisistä uusilta tulokkailta, jotka hän
tunsi, mutta vaikka kaikkien mielestä nimi tuntui tutulta, ei kukaan
voinut kuitenkaan antaa hänestä tarkempaa selitystä. Häntä
kuvailtiin milloin pitkäksi ja tummaksi, milloin lyhyeksi ja vaaleaksi,
mutta lähempi tutkimus osoitti aina, että se tyttö, joka heillä oli
mielessään, olikin aivan toinen.
Priscilla tiedusteli tytöstä kaikilta tahoilta, mutta ei nähnyt
vilahdustakaan hänestä. Hän oli käynyt useita kertoja asialla, mutta
Priscilla sattui aina olemaan poissa. Vieläpä hän kirjoitti esitelmänkin
erääseen saksalaisen klubin kokoukseen (Georgie ei ollut parhaita
saksankielen oppilaita ja häneltä meni siihen koko lauvantaipäivä);
mutta kun hänen täytyi äkkiä matkustaa pois koko kaupungista ei
hän voinut sitä esittää henkilökohtaisesti.
Pari kuukautta sen jälkeen kun Kate Ferris ilmestyi näyttämölle, sai
Priscilla vieraita New-Yorkista, joille hän järjesti teekutsut
työhuoneessaan.
"Minä aion kutsua myöskin Kate Ferrisin", ilmoitti hän. "Tahdon
ehdottomasti nähdä miltä hän näyttää."
"Tee se", sanoi Patty. "Minuakin haluttaisi nähdä hänet."
Kutsukirje lähetettiin ja seuraavana päivänä sai Priscilla
muodollisen suostumuksen.
"Kummallista, että hän lähetti suostumuksensa saapua teelle",
huomautti hän lukiessaan sitä, "mutta olen kuitenkin iloinen saatuani

sen. On hauska tuntea olevansa varma siitä, että saa hänet
vihdoinkin nähdä."
Tee-iltana sittenkun vieraat olivat menneet pois ja huonekalut
siirretyt paikoilleen, kestitsivät väsyneet emännät vielä paria ystävää
voileivillä ja leivoksilla, jotka kohteliaat vieraat olivat jättäneet
nauttimatta. Sittenkun kaikki vieraat ja heidän pukunsa oli vuoron
perään arvosteltu, laimeni keskustelu hiukan, ja Georgie kysyi äkkiä:
"Oliko Kate Ferris täällä? Minulla oli tarpeeksi työtä leivosten
tarjoilemisessa, niin etten ehtinyt katsella, vaikka olisin erikoisesti
tahtonut nähdä hänet."
"Todellakin", huudahti Patty, "en minäkään nähnyt häntä. Miltä
hän näyttää, Pris?"
Priscilla rypisti otsaansa. "Hän ei ole nähtävästi voinut tulla. Minä
koetin pitää häntä silmällä koko illan. Se on kummallista, eikö ole? —
kun hän oli niin huomaavainen, että lähetti suostumuksensa. Minua
se tyttö alkaa vähitellen hermostuttaa. Rupean jo luulemaan, että
hän on näkymätön."
"Samaa minäkin alan luulla", sanoi Patty.
Seuraavana aamuna posti toi kimpun orvokkeja ja
anteeksipyynnön Kate
Ferrisiltä. "Hänelle oli sattunut peruuttamaton este."
"Se on suorastaan hirveää!" sanoi Priscilla. "Minä menen
reistraattorin luo ja sanon hänelle, että tuo Kate Ferris ei ole
oppilasluettelossa eikä koulun osoitekirjassa ja otan selvän, missä
hän asuu."

"Ei maksa vaivaa", sanoi Georgie. "Ota vastaan mitä jumalat
lähettävät ja ole kiitollinen."
Mutta Priscilla ei hevillä hellittänyt ja hetkisen kuluttua palasi hän
reistraattorin konttorista kiihoittuneena ja uhmaavana. "Hän väittää,
ettei koulussa ole ketään sellaista oppilasta ja että minun on täytynyt
erehtyä nimessä! Oletteko koskaan kuullut mitään niin hullua?"
"Se näyttää minustakin ainoalta järkevältä selitykseltä", myönsi
Patty ystävällisesti. "Ehkä se on Harris eikä Ferris."
Priscilla katsoi häneen epäluuloisesti. "Sinähän luit itse nimen. Se
oli kirjoitettu yhtä selvästi kuin jos olisi ollut painettu."
"Me olemme kaikki erehtyväisiä", sanoi Patty rauhoittaen.
"Tiedätkö", sanoi Georgie, "minä alan ajatella, että se on vain
mielenharha ja ettei ole olemassakaan mitään Kate Ferristä. Se on
hyvin kummallista, luonnollisesti, mutta ei sen kummallisempaa kuin
muutamat niistä tapauksista, joista olemme lukeneet sielutieteessä."
"Mielenharhat eivät lähetä kukkia", sanoi Priscilla kiivaasti; ja hän
poistui huoneesta jättäen Pattyn ja Georgien kahden.
"Luulen, että tämä on mennyt jo tarpeeksi pitkälle", sanoi Georgie.
"Jos hän vaivaa kovin paljon virastoa, niin siitä voi tulla virallinen
tiedustelu."
"Samaa minäkin luulen", huokasi Patty. "Se on ollut hyvin
huvittavaa, mutta hän on tullut kovin hermostuneeksi asian vuoksi,
ja minä en uskalla mainita Kate Ferris'in nimeä kun olemme kahden."
"Sanommeko sen hänelle?"

Patty pudisti päätään. "Ei ainakaan nyt — minä en kumminkaan
uskaltaisi."
Muutamia päiviä myöhemmin sai Priscilla taas uuden kirjeen. Hän
heitti sen avaamattomana paperikoriin, mutta uteliaisuus voitti hänet
kuitenkin ja hän otti sen jälleen ylös ja luki:
'Rakas neiti Pond: Koska minun on täytynyt keskeyttää
opintoni terveydellisistä syistä, niin oheenliitän
erohakemukseni saksalaisesta klubista. Kiitän Teitä
vilpittömästi minulle tänä vuonna osoittamastanne
ystävällisyydestä ja säilytän sen yhtenä kouluaikani
hauskimmista muistoista.
Vilpittömällä kunnioituksella
Kate Ferris.'
Kun Patty tuli sisään näki hän Priscillan äänetönnä ja nyrpeissään
raaputtavan reikää jäsenkirjaan sille kohtaa, missä Kate Ferris'in nimi
oli ollut.
"Onko hän taaskin muuttanut mieltään", kysyi Patty iloisesti.
"Hän on eronnut koulusta", sähisi Priscilla, "äläkä enää koskaan
mainitse hänen nimeään minulle."

VI LUKU.
Tarina, johon oli neljä jatkoa.
Patty oli työskennellyt yhteen mittaan koko päivän,
lukuunottamatta pientä pysähdystä aamiaisen aikana, valmistellen
kirjoitelmaa aiheesta "Shakespeare ihmisenä." Kello neljän tienoissa
laski hän kynän kädestään, heitti käsikirjoituksen paperikoriin ja
katsoi uhmaavasti huonetoveriinsa.
"Mitä minua liikuttaa Shakespeare ihmisenä? Hän on kuollut jo
kolmesataa vuotta sitten."
Priscilla naurahti välinpitämättömästi. "Ja mitä minua sitten
liikuttaa sammakon hermosysteemi, jos siitä on kysymys. Mutta minä
voin siitä huolimatta kirjoittaa siitä mielenkiintoisen kirjoitelman."
"Se tulee varmaankin olemaan arvokas lisä aineeseen."
"No, ainakin yhtä arvokas kuin sinun antamasi lisä Shakespearea
käsittelevään kirjallisuuteen."
Patty päästi syvän huokauksen ja kääntyi akkunaan todetakseen,
että sade valui virtanaan.

"Oh, jätä se vain sisään", sanoi Priscilla rohkaisten. — "Sinä olet
uhrannut siihen kokonaisen päivän; tuskinpa se on yhtään huonompi
kuin monet muutkaan sinun kirjoitelmasi", lisäsi hän naurahtaen.
"Mille sinä naurat", kysyi Patty äreästi. "Minä en näe mitään
huvittavaa tässä kirotussa paikassa. Tehdä aina sitä mitä ei tahdo,
juuri silloin kun vähimmin tahtoo sitä tehdä. Aina yhtä ja samaa
päivä toisensa jälkeen; nousta ylös kellon mukaan, syödä kellon
mukaan, mennä nukkumaan kellon mukaan. Tuntuu melkein kuin
olisi rikollisten kasvatuslaitoksessa."
Priscilla ei kiinnittänyt sen suurempaa huomiota tähän
sisunpurkaukseen ja Patty kääntyi jälleen akkunaan tuijottaen ulos
sateen liottamalle pihamaalle.
"Tapahtuisi edes jotain", sanoi hän tyytymättömänä. "Luulenpa,
että pistän sadetakin päälleni ja menen etsimään seikkailua."
"Mene vaan, jos tahdot saada keuhkokuumeen."
"No mitä varten siellä sitten sataa vettä, kun pitäisi sataa lunta?"
Koska tähän ei voinut mitään vastata, ryhtyi Priscilla taas
puuhaamaan sammakkojensa kanssa ja Patty rummutti nyrpeänä
akkunaruutuun, kunnes palvelustyttö ilmestyi sisään tuoden
käyntikortin.
"Vieras?" huudahti Patty. "Pelastaja! Vapauttaja! Taivas lähettää
sen minulle!"
"Neiti Pond", sanoi Sadie, laskien kortin pöydälle.

Patty hyökkäsi sitä katsomaan. "Hra Frederick K. Stanthrope. Kuka
hän on, Pris?"
Priscilla rypisti otsaansa. "En tiedä. En ole koskaan kuullut
hänestä. Mitä luulette tämän voivan olla?"
"Seikkailu — aivan varmaan seikkailu. Luultavasti setäsi, josta et
ole koskaan kuullut, on kuollut jossakin Etelä-meren saarilla ja
jättänyt omaisuutensa sinulle, sentähden että sinä olet hänen
kaimansa; tai sinä olet oikeudenmukaisesti kreivitär, joka lapsena
ryöstettiin kehdostaan, ja hän on asianajaja, joka on tullut sitä
ilmoittamaan. Se olisi voinut tapahtua minulle kun minä olen niin
perin kyllästynyt tähän elämään! Mutta joudu nyt, ja kerro siitä sitten
minulle; välillinenkin seikkailu on parempi kuin ei mitään. Oh, sinun
tukkasi on aivan hyvin; se välttää peiliin katsomattakin."
Patty työnsi huonetoverinsa ulos ovesta ja istuutuen jälleen
pulpettinsa ääreen otti hän iloisesti hyljätyn kirjoitelmansa ylös
paperikorista ja alkoi lukea sitä ilmeisesti tyytyväisen näköisenä.
Priscilla tuli takaisin ennenkuin hän oli lopettanut. "Ei hän
kysynytkään minua. Hän tahtoi tavata neiti McKay'ta."
"Kuinka ikävää!" huudahti Patty. "Ja minä kun olin jo suunnitellut,
kuinka minä asuisin kanssasi sinun linnassasi Harz-vuoristossa, ja nyt
käykin ilmi, että neiti McKay on kreivitär ja minä en edes tunne
häntä. Miltä se mies näytti ja mitä hän teki?"
"Oh, hän näytti jokseenkin pelästyneeltä, eikä tehnyt muuta kuin
änkytti. Siellä oli kaksi miestä vastaanottohuoneessa ja minä tietysti
iskin väärään mieheen ja pyysin anteeksi ja kysyin, oliko hän hra

Stanthrope. Hän vastasi kieltävästi; hänen nimensä oli Viggins. Niin
ollen ei minulla ollut muuta neuvoa kuin kääntyä toisen puoleen."
"Hän istui siinä korkeaselkäisessä vihreässä tuolissa katsellen
kenkänsä kärkiä ja pidellen hattuaan ja keppiään edessään kuten
rintasuojusta, ikäänkuin olisi valmistautunut torjumaan hyökkäystä.
Hän ei näyttänyt varsin sävyisältä, mutta minä lähestyin häntä
rohkeasti ja kysyin, oliko hän hra Stanthrope. Hän nousi ylös
änkyttäen ja punastuen aivan kuin olisi tahtonut sen kieltää, mutta
lopulta kuitenkin tunnusti olevansa se ja seisoi sitten kohteliaasti
odottaen, että minä toimittaisin asiani! Minä selitin ja hän änkytti
vielä jotain ja sai lopulta sanotuksi, että hän oli tullut tapaamaan
neiti McKay'ta, ja että palvelustytön oli täytynyt erehtyä. Hän oli
aivan suunniltaan sen johdosta ja käyttäytyi niin kuin minä olisin
loukannut häntä; ja se toinen mies — se kamala Viggins — nauroi, ja
katsoi sitten ikkunasta ulos niinkuin hän ei olisi mitään huomannut.
Minä pyysin anteeksi, — vaikka en voi kuolemaksenikaan käsittää,
mitä anteeksi pyydettävää siinä oli — ja sanoin hänelle, että
lähettäisin palvelustytön hakemaan neiti McKay'ta ja poistuin."
"Siinäkö kaikki?" kysyi Patty pettyneenä. "Ellei minulla olisi
parempaa seikkailua kuin tämä, niin en tahtoisi sitäkään."
"Mutta vielä kummallisempaa on se, että kun minä kerroin tästä
Sadielle, niin hän väitti kiven kovaan, että mies oli kysynyt minua."
"Oh! vyyhti sotkeutuu joka tapauksessa. Mitä tämä merkitsee?
Näyttikö hän salapoliisilta, vaiko vain taskuvarkaalta."
"Hän näytti hyvin tavalliselta, pelästyneeltä nuorelta mieheltä."

Patty pudisti alakuloisena päätään. "Tässä on jotain salaperäistä
mukana, mutta en luule siitä olevan paljoakaan huvia. Luulen, että
kun neiti McKay tuli, niin hän sanoi, ettei hän ollutkaan kysynyt
häntä, vaan neiti Higginbotham'ia. Ainoa selitys on minun
nähdäkseni se, että hän on mielipuoli, ja maailmassa on niin paljon
mielipuolia ihmisiä, ettei sekään ole enää huvittavaa."
Patty kertoi tarinan Priscillan vieraasta päivällispöydässä samana
iltana.
"Minä tiedän jatkoa", sanoi Lucille Carter. "Toinen mies, hra
Viggins, on Bonnie Connaughtin serkku; ja hän kertoi Bonnielle
jostakin nuoresta miehestä, joka tuli sisään samalla kuin hänkin ja
kysyi ovella neiti Pond'ia ja sitten aivan odottamatta näytti
muuttaneen mielensä ja juoksi hurjana pitkin käytävää palvelustytön
jälestä, kirkuen: 'Hei, hei! kuulkaa!' minkä jaksoi; mutta hän ei
voinut enää saavuttaa tyttöä ja kun neiti Pond saapui, niin hän väitti,
ettei hän ollut kysynytkään häntä."
"Siinäkö kaikki?" kysyi Patty. "Minun mielestäni se todistaa, että on
olemassa salaliitto Priscillan henkeä vastaan ja minä jo tiesin sen.
Minä aion käydä tiedustelemassa hänestä neiti McKay'lta. En tunne
häntä kuin ulkonäöltä, mutta tällaisessa tapauksessa, kun on
kysymys elämästä ja kuolemasta, en luule tarvitsevan odottaa
kunnes tulee esitellyksi."
Seuraavana iltana Patty ilmoitti: "Seuraus numero kaksi! Hra
Frederick K. Stanthrope asuu New-Yorkissa ja on neiti McKay'n veljen
paras ystävä. Neiti McKay on tavannut hänet ainoastaan kerran
ennen, eikä tunne mitään hänen entisyydestään. Mutta
kummallisinta on, ettei hän maininnut hänelle mitään Priscillasta.

Eikö teistä tunnu luonnolliselta, että hänen olisi pitänyt kertoa
hänelle niin hullunkurisesta erehdyksestä?"
"Minun käsittääkseni", jatkoi Patty juhlallisesti, "se olisi ollut
suorastaan välttämätöntä. Hän on epäilemättä joku roisto
valepuvussa ja hän käytti tuttavuuttaan neiti McKayn kanssa
verhonaan estääkseen joutumasta ilmi. Minun mielipiteeni on
seuraava: Hän sai Priscillan osoitteen oppilasluettelosta ja tuli tänne
aikoen murhata hänet; mutta nähtyään kuinka suuri hän oli pelästyi
hän ja luopui halpamaisesta aikeestaan. Jos hän olisi valinnut minut
uhrikseen niin minun ruumiini olisi nyt piiloitettuna sohvan takana."
Kylmät väreet kulkivat pitkin Pattyn ruumista. "Ajatelkaahan, mistä
minä pelastuin. Ja minä kun koko ajan olen valittanut, ettei täällä
mitään tapahdu!"
Muutamia päiviä myöhemmin hän ilmestyi päivällispöytään
ilmoittaen: "Minulla on ilo jättää teidän harkittavaksenne, nuoret
naiset, kolmas ja viimeinen jatko suureen Stanthrope-Pond-McKay-
mysteriaan. Ja samalla käytän tilaisuutta peruuttaakseni ne
halpamaiset epäluulot, jotka lausuin hra Stanthropista. Hän ei ole
roisto, ei salapoliisi, ei murhaaja, eikä myöskään asianajaja. Hän on
vain nuori mies särkyneine toiveineen."
"Kuinka sinä sait sen selville?" huudahtivat kaikki yhteen ääneen.
"Tapasin juuri neiti McKayn eteisessä; hän on ollut New-Yorkissa,
jossa hänen veljensä on kertonut hänelle yksityiskohdat. Kolme tai
neljä vuotta sitten oli hra Stanthrope kihloissa erään täällä
oppilaitoksessa olevan tytön kanssa, nimeltä Alice Pond — hän on
nyt rouva Hiram Brown, mutta sillä ei ole mitään tekemistä tämän
tarinan kanssa."

Welcome to our website – the ideal destination for book lovers and
knowledge seekers. With a mission to inspire endlessly, we offer a
vast collection of books, ranging from classic literary works to
specialized publications, self-development books, and children's
literature. Each book is a new journey of discovery, expanding
knowledge and enriching the soul of the reade
Our website is not just a platform for buying books, but a bridge
connecting readers to the timeless values of culture and wisdom. With
an elegant, user-friendly interface and an intelligent search system,
we are committed to providing a quick and convenient shopping
experience. Additionally, our special promotions and home delivery
services ensure that you save time and fully enjoy the joy of reading.
Let us accompany you on the journey of exploring knowledge and
personal growth!
ebookultra.com